Полевая зависимость
Cтраница 3
 |
Зависимость от поля вероятности рекомбинации диффузионных РП с одним магнитным ядром со спином 1 / 2. Л 10Э рад / с. rD Q - nc. / - Л0 99. 2 - Х. . [31] |
Сравнение (1.119) и (1.120) дает возможность интерпретировать отмеченную выше особенность полевой зависимости вероятности рекомбинации РП с одним магнитным ядром ( см. рис. 1.10 и 1.11), что в нулевом и сильном магнитных полях эффективности S - Г - смешивания отличаются очень мало. [32]
Результаты приведены на рис. 1.11. Видно, что и в этом случае полевая зависимость вероятности рекомбинации для СТВ-механизма S - Г - перехо-дов в полях Я0 - Л проходит через четко выраженный максимум аналогично рекомбинации РП из триплетного начального состояния. [33]
Артур, Гибсон и Гренвиль [50] экспериментально исследовали в германии n - типа полевую зависимость подвижности и. Несмотря на это, использованная ими методика измерений была настолько чувствительна, что они смогли заметить вполне ощутимое отклонение л от ( 10 уже при полях порядка 10 в. Необходимо отметить, что в проведенном выше расчете использована модель полупроводника со скалярной эффективной массой тпе. Поэтому следует предположить, что в этой области температур имеются другие механизмы, которые значительно ускоряют отдачу энергии со стороны электронов. Маловероятно, чтобы таким механизмом оказалось примесное рассеяние, поскольку оно в высшей степени упруго. Влияние рассеяния на ионизированных примесях, а также комбинированного действия обоих типов рассеяния - решеточного и примесного - в случае сильного поля были рассмотрены Ганном [52], который составил также обзор теоретических и экспериментальных работ по данному вопросу. Для рассеяния на ионах примеси знак коэффициента а в формуле (5.321) отрицателен, так что с ростом поля g подвижность должна расти. Однако из условий опыта совершенно очевидно, что обнаруженные малые значения а не могут быть следствием случайной взаимной компенсации в результате одновременного действия обоих механизмов рассеяния. [34]
Проведенное в предыдущей лекции обсуждение спиновой динамики РП, некоторых механизмов синглет-триплетных переходов позволяет качественно предсказать вид полевой зависимости рекомбинации РП. Очевидно, в случае триплетного предшественника геминальной пары S-T переходы увеличивают вероятность рекомбинации РП, так как без S-T переходов такая РП не может рекомбинировать. Если же предшественник РП находился в синглетном состоянии, то S-T переходы уменьшают вероятность рекомбинации, так как они переводят РП из реакционноспособного синглетно-го состояния в триплетное состояние, в котором мы считаем рекомбинацию запрещенной. Имея в виду эти соображения, рассмотрим полевую зависимость рекомбинации РП для некоторых механизмов S-T переходов. Как было показано в предыдущей лекции, разница зеемановских частот спинов неспаренных электронов РП за счет различия g - факторов радикалов пары смешивает синглетное и триплетное состояния РП. Согласно обсуждению в предыдущей лекции частота S - T0 переходов РП растет с увеличением индукции магнитного поля. [35]
При сильнополевой инжекции заряда в диэлектрик МДП-структур, содержащий электронные ловушки, например 8Ю2 - ФСС ( фосфорно-силикатное стекло), в режиме постоянного напряжения наблюдается меньшая полевая зависимость напряжений сдвига ВАХ, чем в режиме постоянного тока. Следовательно, режим постоянного тока для таких структур является более жестким по сравнению с режимом постоянного напряжения, в то же время использование этого режима позволяет в несколько раз уменьшить время проведения инжекционных исследований. Однако особенности режимов инжекции заряда в диэлектрик в настоящее время не всегда учитываются при проведении инжекционных исследований и интерпретации полученных результатов. [36]
Этот пример, а также ряд других экспериментов [112] показывают, что методика переноса образца правильно отражает положение максимумов ХПЯ, но для детального описания всего хода полевой зависимости поляризации в области слабых полей необходимы прямые измерения. [37]
В многочисленных полупроводниках типа - Ge, в сильных ( греющих электронный газ) Е, кроме поперечной, наблюдается также продольная анизотропия а, под которой понимают различия в полевых зависимостях а ( Е) для различных кристаллографических направлений. [38]
Измерения барических зависимостей R ( Р), а ( Р) при 80, 140 и 300 К, а ( Р), Q ( Р) при 140 и 300 К проведены на той же серии образцов, на которых исследовались температурные и полевые зависимости этих коэффициентов. [40]
При этом магнитное поле ускоряет реакцию. Полевая зависимость скорости выделения О2 в реакции Н2О2 с димерным комплексом приведена на рис. 11.15. Обнаруженные магнитные эффекты ( 20 - 30 %) по масштабу близки к соответствующим эффектам, зарегистрированным в жидкофазных радикальных реакциях. [42]
 |
Зависимость мнимой части поперечной начальной восприимчивости х7 fl 1Т h - Л, для трех различных направлений поля. ( 50, л / 4 и л / 2. [43] |
Исследования продольной воспргнщ-чивости Х / р таюке представляют интерес. Эта полевая зависимость подтверждается экспериментами на однородных пленках с малым скосом. [44]
Полученная в эксперименте полевая зависимость R ( см. рис. 8) согласуется с тем, что ожидается для Ag-механизма магнитного эффекта для геминальной рекомбинации РП с начальным триплетным состоянием. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5