Переходное отверстие

Cтраница 2

Для перехода ( проводников) с одного слоя на другой используются переходные отверстия. На печатной плате они могут занимать все свободное поле платы и размещаться в узлах основной координатной сетки. Размещение их в любом месте платы позволяет упростить задачу трассировки соединений с точки зрения защиты от помех в линиях связи. При большем шаге трассировки проводников переходные отверстия уменьшают число трассировочных каналов печатной платы. [16]

Осаждение барьерного слоя ( барьерных слоев) на стенки канавок и переходных отверстий. [17]

Пересечение проводников устраняется переводом на другую сторону платы с помощью монтажного или переходного отверстия. На платах с насыщенным монтажом допускается установка как в металлизированные, так и в неметаллизированные отверстия перемычек, которые следует устанавливать по тем же правилам, что и навесные элементы. Перемычки, а также места пропайки переходных отверстий с введением в каждое отверстие отрезка объемного проводника необходимо указывать в чертеже печатного узла. [18]

ХМП и ПХТ она не должна оставаться на областях вне контактных или переходных отверстий, и в то же время нельзя допускать большого опускания поверхности вольфрамовых перемычек ( пробок) относительно поверхности пластины. [19]

Размеры отверстий под выводы ИС, навесных радиоэлементов, разъемов, а также переходных отверстий, как правило, одинаковы. Если принять, что максимальный диаметр вывода любого радиоэлемента е ( в0 6 мм ( см. § 2.4), то размеры отверстий должны быть следующие: после металлизации с. [20]

Элементы конструкции ТЭЗ. [21]

Чтобы аннулировать связь в ДПП, достаточно просто разорвать печатный проводник вблизи контактной площадки монтажного или переходного отверстия. [22]

Далее отдельные слои собирают в пакет, прессуют ( склеивают) их в единую многослойную структуру, создают переходные отверстия в многослойных структурах и металлизируют их стенки. При этом электрически соединяют все металлические контактные площадки на наружных и внутренних слоях, вышедшие торцами в данное отверстие. [23]

Поэтому ИС на двухсторонних печатных платах надо располагать свободно, оставляя зазоры между корпусами для прокладки печатных проводников, при этом переходные отверстия должны располагаться в шаге 5 мм и более. [24]

Полости ушка и предсердия рассматриваются как участки, не имеющие сквозного протока Лг0 - Во входном отверстии контура имеется местное гидравлическое сопротивление переходного отверстия или прикуспидаль-ного клапана. [25]

Программы расстановки с учетом определенных требований к трассировке ( минимум числа пересечений между связями микросхем, минимум суммарной длины соединений, минимум числа переходных отверстий, наибольшее число связей между соседними микросхемами) выполняют: распределение микросхем между внешними слоями платы, расстановку микросхем по посадочным местам, ориентацию микросхем на плате, распределение контактов разъемов и контрольных гнезд. [26]

При необходимости прокладки проводника шириной 0 3 - 0 4 мм на всем его протяжении рекомендуется через 25 - 30 мм длины проводника предусматривать переходные отверстия или местное расширение проводника типа контактной площадки, размерами не менее 1 X 1 мм или с иным соотношением сторон, но при сохранении величины площади. [27]

Результаты расчетов и раскладки связей согласуют с технологическими возможностями и только после этого принимают решения о числе сигнальных слоев, условиях трассировки ( включая размещение переходных отверстий) и параметрах печатных проводников. [28]

Существуют также многослойные печатные платы ( рис. 24.17, где 1 - материал основания, 2 - проводящий рисунок, 3 - сквозное металлизированное отверстие, 4 - переходное отверстие), в которых печатные слои разделены диэлектрическим слоем. [29]

Для повышения надежности ИМС, изготавливаемых в технологических маршрутах с высоким термическим бюджетом ( особенно микросхем с большим количеством уровней металлизации и высоким аспектным отношением топологического рельефа), при заполнении контактных и переходных отверстий ( соответственно contacts и vias) используются пленки вольфрама, осаждаемые в процессах ХОГФ. [30]

Страницы: 1 2 3 4