Переходное отверстие

Cтраница 3

Этот метод позволяет быстро воспроизвести изображение. Металлизацию переходных отверстий осуществляют одновременно с получением проводников. К недостаткам метода следует отнести: длительность процесса изготовления печатных форм; сложность изменения рисунка схемы; трудность подбора краски; необходимость применения технологических проводников при металлизации; воздействие на изоляционную плату химических реагентов. [31]

Критерием наилучшего решения служит правило двух минимумов: при топологическом конструировании ПП должен быть достигнут минимум пересечений и минимум длины связей. Минимум пересечений означает и минимум переходных отверстий. Это требование обычно имеет приоритет, так как обеспечивает технологичность по минимуму числа слоев и создает важные предпосылки для безотказности. [32]

Фрагмент коммутационной платы с проводниками, расположенными между соседними контактными площадками и переходными отверстиями. [33]

Для решения этой проблемы необходимо иметь технологические варианты производства коммутационных плат, содержащих несколько десятков уровней разводки с плотностью размещения проводников в одном уровне не менее 10 линий на 1 мм. Коммутационные платы должны содержать сотни переходных отверстий между уровнями, десятки контактных площадок для присоединения выводов СБИС на 1 см2 и допускать размещение проводников между ними. Возможность размещения одного или нескольких проводников между соседними контактными площадками и переходными отверстиями ( рис. 2.2) позволяет повысить плотность монтажа, но одновременно усложняет технологию изготовления и требует автоматизации процесса конструирования коммутационной платы с многоуровневой разводкой. Конструктивные требования определяют оптимальную схему соединений для данной технологии монтажа. Максимальная длина соединений, приходящаяся на единицу площади поверхности многоуровневой коммутационной платы, равна числу сигнальных слоев, умноженному на число сигнальных проводников, которые можно расположить между двумя соседними отверстиями, и деленному на шаг выводов. Например, для двусторонней платы с шагом сетки 2 5 мм, двумя рядами проводников между отверстиями максимальная длина соединений равна 15 5 см на 1 см2 площади платы. [34]

Горизонтальные сегменты располагаются в одном слое, вертикальные - в другом. Соединения между горизонтальными и вертикальными сегментами делаются через переходные отверстия. [35]

Наибольшее распространение в современных конструкциях ЭВМ третьего поколения получили двухсторонний и многослойный печатные монтажи. Недостатками двухстороннего монтажа является необходимость введения большого числа переходных отверстий с одной стороны платы на другую и очень высокая плотность проводников, в связи с чем некоторые соединения приходится выполнять навесными проводниками. [36]

Эскиз канала с разведенными цепями ( первое альтернативное решение. [37]

С - число контактов, программная функция UsedTrack ( A) определяет число магистралей, занимаемых каналом, полученным при восстановлении из хромосомы А, а программная функция TotalVertSeg ( A) определяет длину вертикальных сегментов цепей в полученном решении. Длина вертикальных сегментов цепи определяется как расстояние между контактами и переходными отверстиями, которые соединяют вертикальные и горизонтальные сегменты. [38]

Для получения коммутационных плат с большим числом слоев ( до шести) применяют технологию на основе многослойной керамики. Отдельно изготовляют диэлектрические пластины с толстопленочными проводниками и изоляционные пластины с переходными отверстиями, а затем собирают их в пакет и спекают. Распространена также технология на основе полиимидной пленки. При этом достигается трехуровневая разводка тонкопленочных проводников. Первый уровень формируют на ситалловой подложке, второй и третий - с помощью фотолитографии с обеих сторон полиимидной пленки. Для коммутации между ними в пленке предварительно создают металлизированные отверстия. [39]

Трудность осаждения пленок алюминия на поверхность SiO2 или поверхность кремния с естественным окислом при пиролизе ОМАН возникает из-за легкости окисления атомов А1 на поверхностях соединений, содержащих кислород. Даже равновесный окисел на поверхности алюминиевых шин металлизации подавляет рост ХОГФ пленки алюминия в переходных отверстиях. Равновесный окисел с пленок алюминия удаляют ионным или реактивным ионным травлением, а затем в вакууме передают пластину в реактор ХОГФ алюминиевых пленок, что требует использования кластерной установки. [40]

При производстве двусторонних ПП токопроводящий рисунок получают способом фотопечати. Затем химическим способом, как и при производстве односторонних ПП, стравливают фольгу с пробельных мест, а переходные отверстия металлизируют электрохимическим способом. [41]

Система холостого хода карбюратора выполнена в первичной камере. Она включает в себя топливный 21 и воздушный 20 жиклеры, винт 22 производственной настройки ( токсичности), переходные отверстия, распылитель 32 с радиальными отверстиями, дозирующий конус 31, на хвостовике которого закреплена мембрана пневмопривода 29 экономайзера принудительного хода, винт 28 регулировки качества смеси и винт 30 регулировки количества смеси. [42]

При движении поршня 3 с манжетой 4 ( рис. 5.21, а, /) в направлении от тормозного устройства рабочая жидкость, отжимая кромки манжет 5, поступает к поршню. При движении поршня в обратном направлении ( рис. 5.21, а, / /) манжета 5 входит в переходное отверстие, а ее кромка под давлением жидкости перекрывает это отверстие. Интенсивность торможения регулируется винтом / дросселя. [43]

Прессоэлектрохимический метод позволяет для изоляционного основания применить в качестве материала пресс-порошки, обладающие лучшими электрическими характеристиками, чем гети-накс и текстолит. Сущность метода - при прессовании изоляционного основания в нем образуются канавки, соответствующие позитивному изображению проводников схемы, и необходимые переходные отверстия. Канавки и отверстия металлизируются электрохимическим способом. [44]

Блок аэрации промывочной жидкости. [45]

Страницы: 1 2 3 4