Отжиг - кристалл
Cтраница 1
Отжиг кристаллов в этих случаях происходил недостаточно интенсивно. Так, например, четко, определенная температура плавлени я большинства образцов полиэтилена, закристаллизованных из расплава, составляла при медленном нагревании 137 5 С, т.е. приблизительно на 4 С ниже равновесной температур плавления этого полимера. Из сказанного следует, что использоваг медленные скорости нагревания для определения равновесной темпе ратуры плавления полимера можно тогда, когда скорость отжига достаточно велика или когда в исходном образце присутствуют кри таллы, близкие по совершенству и размерам к равновесным. Предполагают, что при таких условиях проведения опыта можно определить температуру плавлеш с нулевым производством энтропии ( разд. [1]
Отжиг кристаллов CdSe с электропроводностью n - типа в парах селена приводит к образованию на их поверхности слоя с дырочной электропроводностью. Селенид кадмия применяют в электролюминесцентных устройствах и в фотоэлементах. [2]
Другие примеры отжига кристаллов с участием химических реакций можно позаимствовать из экспериментов по травлению, описанных в разд. Совершенство исходных кристаллов регенерированной целлюлозы увеличивалось после удаления из аморфных областей напряженных участков макромолекул. [3]
Дефект появляется после отжига кристаллов при 170 С и исчезает при температурах 450 С. [4]
Особый интерес для отжига кристаллов представляют такие химические реакции, с помошью которых после удаления напряженных участков макромолекул удается изменить характер связей на поверхностях кристаллов. Такие реакции служат предпосылкой для получения больших агрегатов более совершенных кристаллов. [5]
Первые эксперименты по отжигу кристаллов полиэтилена под давлением были проведены Осуги и др. [91] до давления 2 103 атм и Брауном и Иби [21] до давления 0 6 103 атм. [6]
 |
Изохронный отжиг атомов отдачи фосфора при равномерном нагреве различных кристаллов КС1 (. 44, радиофосфор получен по реакции КС1 (, о 32Р. [7] |
Опыты по облучению и отжигу кристаллов различной и, как правило, неопределенной чистоты необходимо дополнить исследованием образцов, легированных определенным количеством катионных или анионных примесей. [8]
Во всех случаях при отжиге кристаллов в свободном состоянии вследствие наличия большого числа эквивалентных кристаллографических плоскостей и напряжений в решетке распределение петель и других вторичных образований в объеме кристалла беспорядочное. Она позволяет получить зависимость пересыщения точечных дефектов и пластической деформации от времени. [9]
Одним из таких методов может явиться отжиг кристаллов в различных газовых средах. Отжигом можно изменять поверхностное состояние кристалла, которое оказывает непосредственное влияние на величину тока рекомбинации. При отжиге приборов в атмосфере водорода наблюдается уменьшение, а в атмосфере кислорода - увеличение рекомбинационного тока. [10]
Завадскому и Брэйтшнайдеру удалось показать, что отжиг кристаллов карбонатов при давлении газообразной двуокиси углерода, превышающем давление диссоциации, способствует уменьшению скорости образования окисной фазы при последующем разложении в вакууме. Это свидетельствует о предпочтительном образовании зародышей в местах повреждений поверхностей кристаллов, пропадающих при отжиге. [11]
Были разработаны различные методы для того, чтобы так затруднить отжиг кристаллов при нагревании, чтобы достигнуть плавления с нулевым производством энтропии, т.е. превращения метаста-бильного мелкого кристалла в метастабильный расплав без изменения устойчивости кристалла ( разд. Существуют три основных способа, позволяющих свести к минимуму влияние структурных перестроек при плавлении: 1) быстрое плавление, при котором не хватает времени для перестройки, 2) введение поперечны: связей между молекулами в аморфных областях, которые позволяют избежать утолщения ламелей при отжиге, и 3) травление складчатых поверхностей-ламелей, при котором молекулы становятся олигомерными и после которого соответственно не может происходить утолщения ламелей при отжиге. [12]
При изучении закономерностей распределения неструктурной примеси в синтетическом кварце методом отжига кристаллов получены следующие результаты. В интенсивно опалесцирующих и мутнеющих после отжига кристаллах спектрофотометрическим методом обнаружено повышенное содержание натрия. Коэффициент захвата примеси натрия, а также интенсивность помутнения кристаллов после отжига возрастают с увеличением скорости роста и существенным образом зависят от природы грани. Вследствие этого распределение неструктурной примеси в кристалле носит отчетливо выраженный зональный и секториальный характер. [13]
Так же удаление поверхностных слоев, искаженных механической обработкой и процессами растворения, проводят с помощью отжига кристаллов в вакууме или в атмосфере инертного газа, а также путем испарения этого слоя в вакууме. В первом случае происходит рекристаллизация нарушенной поверхности с образованием монокристаллического слоя, который обычно принимает ориентацию лежащей под ним решетки. На рис. 14.2 показаны механически полированные поверхности кристалла NiO с различной ориентацией после отжига. Монокристаллическая структура поверхности отражает симметрию соответствующей грани кристалла. На снимке механически полированной поверхности видно сильное почернение фона и размытое кольцо ( кольцо Дебая), связанное с намечающейся текстурой. Испарение слоев в высоком вакууме происходит в зависимости от давления и температуры. [14]
В общем имеется достаточно оснований предположить, что отжиг ламелярных кристаллов, выращенных из расплава, аналогичен отжигу кристаллов, полученных из раствора. Так же как и в том случае, основной целью исследований процесса отжига является выделение трех температурных областей отжига, однако в настоящее время известно очень немного относительно низкотемпературной области и не определена температура, разделяющая высокотемпературную и промежуточную области. [15]
Страницы: 1 2 3 4