Отжиг - кристалл
Cтраница 4
Отжиг кристаллов с вытянутыми цепями при повышенном давлении сопровождается незначительным изменением их совершенства. Действительно, отжиг при температурах выше 221 С приводит к небольшому уменьшению плотности, как следует из табл. 7.5. Это уменьшение плотности - следствие плавления низкомолекулярных фракций, которые в этих образцах полностью сегрегированы и их кристаллизация при охлаждении приводит к образованию менее совершенных кристаллов. [46]
Радиационные дефекты, по Френкелю, могут возникнуть при облучении кристаллов быстрыми частицами: нейтронами, дейтронами, а-частицами, осколками деления ядер и электронами. Возникающие при облучении кристаллов у-кватами фотоэлектроны и комптонэлектроны также вызывают структурные дефекты. В отличие от тепловых, радиационные дефекты термодинамически неравновесны, в результате чего состояние кристалла после прекращения облучения не бывает стационарным. Отжиг кристаллов при высокой температуре ( после облучения) ускоряет диффузию радиационных дефектов и их рекомбинацию. [47]
 |
Монокристаллы полимеров ( х 30 000. [48] |
Области, где происходит складывание, не могут обладать кристаллич. Поэтому каждая пластина состоит из средней части, где молекулы упакованы в кристаллич. Толщина пластины и размер складки не постоянны, они увеличиваются при возрастании темп-ры кристаллизации. При отжиге кристаллов в интервале между темп-рами кристаллизации и плавления их толщина, а следовательно, и размер складки также могут увеличиться в неск. При отжиге меняется морфология кристалла и появляется большое число пор. [49]
Пластически деформированный кристалл уже не является более однокристаллом, но представляет собою агрегат малых смещенных кристалликов, слипшихся между собою настолько, что они представляют как бы одно целое. Можно спросить, изменяется ли при пластической деформации решетка каждого из осколков в отдельности. Исследование в поляризованном свете показывает наличие напряжений в кристаллах вследствие взаимных воздействий зерен друг на друга. Эти напряжения могут, однако, быть уничтожены посредством отжига кристалла при высокой температуре. Строение отдельных осколков было изучено далее посредством дебаевского метода в монохроматических лучах серебра. Этот метод показывает, что атомные расстояния не зависят от ориентации индивидуальных кристалликов. Было показано, что, несмотря на столь энергичную деформацию всего кристалла, отдельные зерна остаются неизменными. [50]
Петерлин и Майнел [98] исследовали процесс растворения методом рассеяния света и также установили наличие частичного растворения и рекристаллизации для кристаллов более высокой степени совершенства. Нагрев со скоростью 1 - 2 град / мин оказывается достаточным для подавления отжига кристаллов, образовавшихся при температуре 80 - 85 С. [51]
Тот факт, что конечные толщины ламелей после отжига и после изотермической кристаллизации при тех же температурах часта близки между собой, наводит на мысль, что процессы отжига и совершенствования кристаллов имеют много общего. Если при этом обнаруживаются различия в больших периодах [14], то оказывается, что подвергнутые отжигу кристаллы более тонки. Это различие указывает на более эффективное протекание утолщения непосредственно за кристаллизацией ( см. также разд. Для некоторых полимеров наблюдается необычное поведение. Например, отжиг поли-3 3 - & мс - ( хлорметил) циклооксабута-на не сопровождается утолщением ламелей ( как и отжиг кристаллов, выращенных из раствора, разд. [52]
Фибриллярные кристаллы типа шиш-кебаб, выращенные из раствора в процессе перемешивания ( разд. Внутренний остов образован более вытянутыми структурами, содержащими различные плохо охарактеризованные дефекты. Наружные слои представляют собой образовавшиеся по эпитаксиальному механизму ламели со сложенными цепями ( разд. Отжиг такой структуры сопровождается сложными эффектами. Степень вытянуто-сти цепей во внутреннем остове можно измерить лишь путем рекристаллизации ( разд. Отжиг кристаллов со сложенными цепями должен протекать так, как описано в разд. [53]
Весьма распространенными оптическими материалами для инфракрасной техники являются стеклообразные материалы, представляющие собой затвердевшие расплавы аморфного строения. Стеклообразные материалы обладают некоторыми преимуществами по сравнению с кристаллами. Во-первых, стеклообразные материалы, как правило, отличаются высокой оптической однородностью и из них можно изготовлять детали достаточно больших размеров, удовлетворяющие в оптическом отношении самым высоким требованиям. Во-вторых, стекла, в отличие от кристаллов, не обладают спайностью и поэтому отличаются повышенной стойкостью к механическим ударам они также имеют большую поверхностную твердость. В-третьих, большинство стекол устойчиво к воздействию атмосферы. Кроме того, процессы получения и отжига стекол значительно проще процессов выращивания и отжига кристаллов. [54]
Страницы: 1 2 3 4