Отжиг - кристалл
Cтраница 2
Описывается методика получения монокристаллов CdSnAsa, легированных соединениями А111 В до 0 1 - Н) 5 ат. Отжиг кристаллов в парах мышьяка приводит к уменьшению концентрации носителей заряда от 2 - 10 до 2 - 10 см-3 Предполагается, что это связано с образованием вакансий в той или иной подрешетке. [16]
Методом селективной электронной дифракции было показано, что кристаллографические ячейки в утолщенных частях находятся в хорошем регистре с прежними - сохраняется расположение всех кристаллографических осей. Отжиг многослойных кристаллов не сопровождается образованием пор [99, 100], и вместо прежнего кристалла возникает одна утолщенная ламель. [17]
 |
Картина декорирования исходного ( а и облученного ( б кристаллов NaCl. [18] |
Как можно видеть из приведенных снимков ( рис. 7), плотность зародышей золота на необлученном кристалле заметно меньше, чем на облученном. После отжига кристаллов различие между плотностями зародышей на облученном и необлученном кристаллах сглаживается. Для окончательного решения этого вопроса требуются дальнейшие исследования. [19]
 |
В. Шаровые модели плоскостей кубических гранецентрированных кристаллов ( по Мею. [20] |
Так, поверхности скола по плоскости ( 111) в сверхвысоком вакууме обнаруживают двухмерную поверхностную структуру, в то время как соответствующая грань в объеме кристалла должна была бы иметь тригональную симметрию. При отжиге кристаллов происходит перестройка поверхностной структуры. [21]
 |
Зависимость времени релак - Рис, 71. Зависимость поглощения АВ. [22] |
На примере кристаллов граната с лютецием было изучено влияние высокотемпературного отжига на поглощение АВ. Известно, что отжиг кристаллов уменьшает внутренние напряжения и устраняет некоторые дефекты в структуре, которые в свою очередь могут повлиять на акустические характеристики граната. Измерено затухание АВ в неотожженных образцах ИАГ состава ( Yi - xLu sAljO и в образцах после отжига. [23]
 |
Зависимость времени релаксации тепловых фононов в кристаллах Y3 - iLu. vAlsOi2 (. t3 от концентрации Lu. [24] |
На примере кристаллов граната с лютецием было изучено влияние высокотемпературного отжига на поглощение АВ. Известно, что отжиг кристаллов уменьшает внутренние напряжения и устраняет некоторые дефекты в структуре, которые в свою очередь могут повлиять на акустические характеристики граната. Измерено затухание АВ в неотожженных образцах ИАГ состава ( Y Lu sAlsO и в образцах после отжига. [25]
С 1954 по 1958 г. многие исследователи изучали этот вопрос; основные наблюдения будут перечислены далее. После прокаливания и отжига кристалла в течение нескольких часов при температурах от 400 до 500 С количество имеющихся в нем доноров значительно возрастает, а затем падает и при продолжении процесса стабилизируется. При отжиге свыше 500 С добавочные доноры исчезают. Их присутствие связано с содержанием кислорода около 1018 атомов в 1 см3, найденных в кристаллах кремния, расплавленного в кварцевом тигле. [26]
Так же как и в случае неориентированных материалов, появление кристаллов с вытянутыми цепями связано, вероятно, с рекристаллизацией, о начале которой свидетельствует сегрегация низкомолекулярных фракций. В противоположность исследованиям отжига дефор-млрованных кристаллов при атмосферном давлении ( разд. Отсутствие каких-либо эффектов, кроме фазового перехода в моноклинную решетку, при отжиге в этой температурной области позволяет предположить, что протекающие в промежуточной температурной области процессы под повышенным давлением оказываются замедленными. [27]
Эти дефекты всегда присутствуют в кристаллах GaAs, выращенных методом Чохральского из-под слоя флюса. Количество дефектов возрастает при отжиге кристалла в любой атмосфере. При термообработке выращенных кристаллов часто наблюдается исчезновение уже имевшихся дефектов и появление новых. [28]
Упорядоченное распределение примеси по структурным позициям, не совпадающее с симметрией кристаллической матрицы, является, конечно, существенно неравновесным и поэтому может быть переведено в упорядоченное ( равномерное по всем эквивалентным положениям) с помощью высокотемпературного отжига. Зависимость этой величины от температуры и времени отжига кристалла приведена на рис. 13, из которого видно, что, например, при 600 С отжиг в течение суток практически полностью устраняет аномальное распределение примеси. [29]
Толщина пластины тем больше, чем выше температура, при которой происходит рост кристаллов. Кроме того, период складки возрастает при отжиге кристаллов после их образования [13], что свидетельствует о том, что в основном рекристаллизация происходит в твердом состоянии. [30]
Страницы: 1 2 3 4