Отжиг - кристалл
Cтраница 3
 |
Диаграмма напряжение. [31] |
Влияние слоя, полученного при химической реакции, на связь напряжений и деформаций кристалла LiF показано на рис. 14.27. Внешнее сдвиговое напряжение представлено как функция деформации сдвига. Реакционную пленку толщиной в несколько микрон получали путем отжига кристалла LiF в порошке MgO при 700 - 800 С. Из диаграммы следует, что для деформации обработанного таким образом кристалла требуются значительно более высокие напряжения, чем для кристаллов с чистыми поверхностями. [32]
Исследования отжига при повышенном давлении вызвали особый интерес после того, как было обнаружено, что полиэтилен и политетрафторэтилен могут кристаллизоваться при повышенном давлении с образованием полностью вытянутой макроконформпции ( разд. В данном разделе сначала будут рассмотрены данные по отжигу кристаллов полиэтилена, полученных из раствора и из расплава, а затем обсуждены результаты отжига ориентированного полиэтилена и полипропилена. В конце раздела коротко изложены данные о влиянии давления на отжиг других макромолекул. [33]
Реальное состояние изучаемых твердых тел часто является промежуточным между двумя крайними случаями: а) истинным равновесием как внутри самого твердого тела, так и по отношению к другим фазам и б) полным отсутствием равновесия. Равновесное состояние обычно достигается в процессе образования кристалла или в результате отжига кристалла при достаточно высокой температуре. Полностью неравновесное состояние встречается очень редко. Наиболее часто наблюдаются промежуточные случаи - состояния частичного равновесия. Например, если кристаллы, находящиеся в равновесии при высокой температуре, более или менее быстро охлаждаются, то при этом некоторые равновесия в кристаллах замораживаются в высокотемпературном состоянии, в то время как другие процессы достигают состояния, отвечающего равновесию при низкой температуре. [34]
В работах [41, 66] сообщается, что в качестве дополнительного нагревателя при выращивании кристаллов НБН использовался платиновый экран, нагревающийся высокочастотным полем. Для этой цели применялся двухсекционный ипдукюр, позволяющий совместить процесс роста и первичный отжиг кристаллов. [35]
Предварительные сообщения об эксимерной эмиссии в / 3 - 9 10-дихлорантрацене [161], которая первоначально сопоставлялась с люминесценцией автолокализованных экситонов, как стало теперь известно [158], не удовлетворяют вышеуказанным критериям, поскольку это мономерное излучение возникает из-за наличия дефектов. К такому заключению пришли, когда обнаружили, что интенсивность мономерного излучения значительно уменьшается после отжига кристаллов. Таким образом, в данном случае образование эксимера не является термически-активируемым процессом. [36]
В зависимости от условий получения ( растворитель, концентрация, темп - pa кристаллизации) кристаллы образуются в виде ромбов, пластинок или дендритов. Длина складки не зависит от молекулярного веса и увеличивается при повышении темп-ры кристаллизации и при отжиге кристаллов. Многие кристаллы растут но спирально-дислокационному механизму в виде полых пирамид [8, 9], к-рые становятся плоскими после удаления растворителя. С увеличением концентрации раствора наблюдаются менее правильные, часто слипшиеся, но пс-преяшему монокристальные пластинчатые структуры. [38]
 |
Поликристаллический пруток хлористою серебра диаметром 3 мм, связанный в узел при комнатной температуре.| Место разрыва круглого кристалла хлористого серебра, показанное. [39] |
Эти опыты были проведены на кристаллах, которые отжигались четыре дня при температуре 350 С. Отметим, что полный, совершенный отжиг кристаллов таких размеров очень труден и удается только при определенном температурном режиме и медленном охлаждении. [40]
К настоящему времени еще не получены достоверные данные о характере распределения кислородных дефектов в структуре кристалла НБС. Так, неизвестно, существуют ли они в виде вакансий или образуют разупорядо-ченные плоскости. Однако результаты изучения процесса кислородного отжига кристаллов дают основание предполагать, что преобладающими дефектами являются кислородные вакансии. [41]
Центры окраски можно создать в бесцветных кристаллах щелочных галогенидов, это сопровождается изменением цвета. Аддитивное окрашивание происходит при отжиге кристаллов в парах соответствующего щелочного металла при температурах, близких к точке плавления. При этом в кристалл проникают электроны. Компенсация избытка отрицательных зарядов происходит благодаря выделению анионов из решетки путем диффузии вакансий. Одним из вариантов аддитивного окрашивания является электролитическое окрашивание. Оно состоит в электролизе кристалла при температуре на несколько сот градусов ниже точки плавления. Введение электронов связано с выделением атомов щелочного металла. [42]
 |
Частота применения различных методов лазерной термометрии в основных операциях микротехнологии. [43] |
Наиболее часто методы ЛТ применяются при исследованиях плазменных процессов, воздействий лазерных и электронных пучков на поверхность, эпитаксиального роста пленок. Неожиданным представляется то, что при проведении ионной имплантации полупроводников методы Л Т совсем не используются. Вероятно, более существенным является температурный режим при отжиге имплантированного кристалла, чем в ходе самой имплантации. [44]
На рис. 8.11 приведены определенные методом калориметрии значения температур плавления образцов полиэтилена, закристаллизованных при различных температурах из расплава. Максимальные температуры плавления ( кривая 5), наблюдаемые после полной кристаллизации образцов и их отжига для совершенствования структуры кристаллов, хорошо ложатся на прямую линию, экстраполяция кото-рой. Начальный горизонтальный участок кривых зависимости температур начала плавления и пика плавления от температуры кристаллизации указывает на отжиг кристаллов при нагревании. Экстраполяция вторых линейных участков кривых приводит к значениям равновесной температуры плавления 413 К ( кривая 2) и 416 К ( кривая 4 Наклон второго участка кривой зависимости температуры начала плавления от температуры кристаллизации ( кривая 1) больше 45 и поэтому этот участок не может быть использован для экстраполяции. Из приведенных данных видно, что экстраполированное значение Т п чувствительно к условиям кристаллизации и плавления. [45]
Страницы: 1 2 3 4