Cтраница 1
Катастрофические отказы связаны главным образом с недостатками конструкции, хотя в ряде случаев являются следствием неотработанности или нарушения технологического процесса. Они проявляются в виде обрывов внешних и внутренних выводов и деталей, трещин кристаллов, пробоев и коротких замыканий в цепях электродов. [1]
![]() |
Обобщенная зависимость интенсивности отказов транзисторов от нормализованной температуры при различных отношениях рабочей мощности рассеяния к максимально допустимой мощности на коллекторе. [2] |
Катастрофические отказы не являются основными для транзисторов - на их долю приходится примерно 20 % всех наблюдаемых отказов. В основном же отказы транзисторов обусловлены постепенным изменением параметров сверх допустимых отклонений. [3]
Катастрофические отказы часто приводят к полной потере работоспособности прибора. Катастрофические отказы, как правило, обусловлены недостатками конструкции или технологии, а также условиями эксплуатации. В случае условных отказов прибор сожет сохранять полную или частичную работоспособность, но его параметры с течением времени заметно отклонятся от первоначальных значений. [4]
Катастрофические отказы по вине человека случаются редко; значительно чаще имеют место отказы, вызванные недостатками производства. Статистические данные об этих дефектах важны не как источник информации об отказе, имеющем индивидуальную основу, так как по обнаруженным отказам, очевидно, уже были приняты меры. Их важное значение состоит в том, что обнаружение большого количества подобных дефектов позволяет оценить реальную ситуацию и предсказать ожидаемое количество ошибок и дефектов данного типа. Статистические данные характеризуют общий уровень производства и общую атмосферу работы. [5]
Катастрофические отказы не являются основными для транзисторов - на их долю приходится примерно 20 % всех наблюдаемых отказов. В основном же отказы транзисторов обусловлены постепенным изменением параметров сверх допустимых отклонений. [6]
Катастрофические отказы не являются основными для транзисторов - на их долю приходится примерно 20 % всех наблюдаемых отказов. В основном же отказы транзисторов обусловлены постепенным изменением параметров сверх допустимых отклонений. [7]
Катастрофический отказ - это отказ, возникший Б результате скачкообразного изменения значений одного или нескольких основных параметров изделия. [8]
Катастрофические отказы связаны с полной потерей работоспособности прибора и происходят в результате обрывов или коротких замыканий внутренних или внешних выводов, пробоя р-и-перехода, трещин стекла. Они обусловлены главным образом недостатками конструкции или нарушением технологического процесса. [9]
Катастрофические отказы связаны с полной потерей работоспособности прибора и происходят в результате обрывов или коротких замыканий внутренних или внешних выводов, пробоя р-п-перехо-да, трещин стекла. Они обусловлены главным образом недостатками конструкции или нарушением технологического процесса. [10]
Катастрофические отказы по вине человека случаются редко; значительно чаще имеют место отказы, вызванные недостатками производства. Статистические данные об этих дефектах важны не как источник информации об отказе, имеющем индивидуальную основу, так как по обнаруженным отказам, очевидно, уже были приняты меры. Их важное значение состоит в том, что обнаружение большого количества подобных дефектов позволяет оценить реальную ситуацию и предсказать ожидаемое количество ошибок и дефектов данного типа. Статистические данные характеризуют общий уровень производства и общую атмосферу работы. [11]
Катастрофические отказы по вине человека случаются редко; значительно чаще имеют место отказы, вызванные недостатками npo-v изводства. Статистические данные об этих дефектах важны не как источник информации об отказе, имеющем индивидуальную основу, так как по обнаруженным отказам, очевидно, уже были приняты меры. Их важное значение заключается в том, что обнаружение большого числа подобных дефектов позволяет оценить реальную ситуацию и предсказать ожидаемое число ошибок и дефектов данного типа. Статистические данные характеризуют общий уровень производства и общую атмосферу работы. [12]
Катастрофические отказы транзисторов являются чаще всего следствием либо недостаточной отработки их конструкции, либо нарушений в технологии. Как и в полупроводниковых диодах ( см. § 3.32), катастрофические отказы транзисторов вызываются обрывами выводов, растрескиванием кристалла, пробоем переходов или оксидного слоя, короткими замыканиями. [13]
Катастрофические отказы транзисторов являются чаще всего следствием либо недостаточной отработки их конструкции, либо нарушений в технологии. Как и в полупроводниковых диодах ( см. § 1.23), катастрофические отказы транзисторов вызываются обрывами выводов, растрескиванием кристалла, пробоем переходов или окисного слоя, короткими замыканиями. [14]
Катастрофические отказы транзисторов являются чаще всего следствием либо недостаточной отработки их конструкции, либо нарушений в технологии. Как и в полупроводниковых диодах ( см. § 3.31), катастрофические отказы транзисторов вызываются обрывами выводов, растрескиванием кристалла, пробоем переходов или окисного слоя, короткими замыканиями. [15]