Cтраница 2
Катастрофический отказ изделий приводит к полному нарушению работоспособности. К нему относятся обрывы и короткие замыкания; изломы, деформации и заедания механических деталей; расплавление или сгорание деталей конструкции или компонентов схем. Параметрические отказы компонентов являются частичными отказами сложных изделий, в которые они входят, и выражаются в ухудшении качества функционирования изделия. Это ухудшение может быть устойчивым или временным. [16]
Катастрофические отказы транзисторов являются чаще всего следствием либо недостаточной отработки их конструкции, либо нарушений в технологии. Как и в полупроводниковых диодах ( см. § 3.32), катастрофические отказы транзисторов вызываются обрывами выводов, растрескиванием кристалла, пробоем переходов или оксидного слоя, короткими замыканиями. [17]
Катастрофические отказы полупроводниковых диодов могут быть обусловлены недостатками конструкции или технологии, а также неправильной эксплуатацией диодов. [18]
Катастрофические отказы полупроводниковых диодов могут быть обусловлены недостатками конструкции или технологии, а также их неправильной эксплуатацией. [19]
Катастрофические отказы полупроводниковых диодов могут быть обусловлены недостатками конструкции или технологии, а также неправильной эксплуатацией диодов. [20]
Катастрофические отказы полупроводниковых диодов могут быть обусловлены недостатками конструкции или технологии, а также неправильной эксплуатацией диодов. [21]
Поскольку катастрофические отказы из-за помех случаются существенно реже, чем сбои, то в дальнейшем чаще всего будем упоминать только сбои. [22]
Кроме катастрофических отказов, когда изделие ( компонент, элемент, прибор или устройство) приходит полностью в нерабочее состояние и не может работать без ремонта или требует замены, существуют отказы, выражающиеся в том, что изделие ( компонент, элемент, прибор или устройство) работает, но не так, как это требуется по техническим условиям. [23]
К катастрофическим отказам можно отнести обрыв или перегорание выводов, отпаивание контактов, трещины в полупроводниковых пластинах, проходящие через переход, пробой электронно-дырочного перехода. [24]
Удельный вес катастрофических отказов в общем балансе возможных неисправностей оказывается в связи с этим значительно больше по сравнению с величиной, характерной для схем дискретной полупроводниковой электроники. [25]
Если пренебречь катастрофическими отказами, многие изделия выходят из строя вследствие износа. Срок службы изделий имеет нормальное распределение. У многих изделий наблюдается повышенное число отказов в период приработки. [26]
Характерным является преобладание катастрофических отказов, обусловленных главным образом нарушением контактных соединений. Основные причины нарушения электрической цепи следующие: недостаточная прочность термокомпрессионных соединений, механическое повреждение металлизации, малая величина адгезии контактных площадок и соединительных проводников, возникновение нежелательных химических соединений в местах контактов разнородных металлов ( интерметаллические соединения), дефекты сборки. [27]
Наиболее частой причиной катастрофических отказов является неправильная эксплуатация диодов. Так, даже очень кратковременные импульсы токов и напряжений, превышающие допустимые значения, могут привести к необратимому пробою р-п-перехода диода в связи с тем, что пробой часто происходит по неод-нородностям в p - n - переходе. При этом плотности тока в отдельных частях p - n - перехода могут оказаться недопустимо большими, произойдет шнурование тока с резким увеличением удельной мощности, выделяющейся в шнуре. Подобные эффекты возможны в полупроводниковых диодах даже при прохождении коротких импульсов тока с амплитудой, не превышающей допустимого значения постоянного тока. [28]
Рассмотрим основные причины катастрофических отказов при неправильной эксплуатации. До 70 % всех отказов полупроводниковых приборов обусловлено именно неправильной эксплуатацией. [29]
Наиболее частой причиной катастрофических отказов является неправильная эксплуатация диодов. Так, например, даже очень кратковременные импульсы токов и напряжений, превышающие допустимые значения, могут привести к необратимому пробою р-п-перехода диода в связи с тем, что пробой часто происходит по не-однородностям в р-я-переходе. При этом плотности тока в отдельных частях / 7-п-перехода могут оказаться недопустимо большими, произойдет шнурование тока с резким увеличением удельной мощности, выделяющейся в шнуре. Подобные эффекты возможны в полупроводниковых диодах даже при прохождении коротких импульсов тока с амплитудой, не превышающей допустимого значения постоянного тока. [30]