Охлаждение - кристалл
Cтраница 1
Охлаждение кристалла ослабляет колебания его атомов и уменьшает эффективный диаметр отверстий пор до величины, приблюкаю-щейся к истинному их диаметру. Одновременно с этим охлаждение приводит к уменьшению кинетической энергии молекул адсорбата, в данном случае аргона, и уменьшает их способность проникать в поры граничных размеров. [2]
 |
Спектр люминесценции кристалла CaW04. Nd3 при температуре 77 и 295 К. [3] |
При охлаждении кристалла до температуры жидкого азота генерация на первой из этих линий отсутствует, а на второй имеет место при более низкой накачке. [4]
При охлаждении кристалла со скоростью 20 - 30 С / мин происходит рекристаллизация, и на поверхности исходного монокристалла германия кристаллизуется сплав германия с индием, имеющий проводимость р-типа. [5]
 |
Обнаружение пироэлектрического эффекта методом Кундта ( на турмалине.| Зависимость поляризации сегнетоэлектрика от направления и напряжения поля Е. Петля гистерезиса. [6] |
При охлаждении кристалла наблюдается обратный пироэлектрический эффект: заряды противоположных знаков меняются местами. [7]
При охлаждении кристалла фтористый кальций выделяется вдоль линий дислокаций. [8]
При охлаждении кристалла с перескакивающими ионами несколько ионов могут одновременно сместиться в одном направлении. При этом возникает внутреннее поле, вызванное смещением этих ионов и их электронных оболочек. При температуре Кюри тепловое движение не очень интенсивно и возникшее внутреннее поле удерживает ионы в смещенном положении. При малейшем понижении температуры число смещенных в одном направлении ионов резко возрастает. Таким образом, возникает спонтанная поляризация Рси. [9]
При охлаждении кристалла возбуждения на частотах 91 1 см 1, 173 0 см 1, 241 1 см 1 и 324 2 см 1 испытывают сдвиг на величину 1 - - 2 см 1 в область более высоких частот. При этом линии на частотах 282 7 см 1, 291 3 см 1 разрешаются между собой. В то же время линия на частоте 419 4 см 1 незначительно сдвигается в область низких частот. Полученные результаты позволяют судить об энергиях взаимодействия в кристаллах бариевого гексаферрита, что необходимо для анализа динамики его магнитной структуры. [10]
При охлаждении кристалла рубина выходная мощность растет. Например, при типичных условиях работы и режиме накачки энергия излучения может увеличиться на 50 % при охлаждении кристалла рубина до О С, а до - 100 С - выходная энергия может увеличиться в пять раз при прочих равных условиях. [11]
При охлаждении кристалла льда до очень низких температур он оказывается в одной из многих возможных конфигураций, однако предполагается, что такая конфигурация ( на протяжении некоторого периода времени) не настолько однородна, чтобы исключалась какая-либо-неупорядоченность молекулярной ориентации. Сохраняется, следовательно, остаточная энтропия k In W, где k - постоянная Больцмана и W - число конфигураций, возможных для данного кристалла. [12]
При охлаждении кристалла тетрагональной модификации, устойчивой при комнатной температуре ( см. выше), он распадается на множество блоков низкотемпературной моноклинной модификации. Блоки имеют несколько различную ориентировку. [13]
При посткристаллизационном охлаждении кислородсодержащих кристаллов возможно образование пересыщенного твердого раствора, продуктом распада которого являются кислородсодержащие преципитаты. Ввиду значительной разницы удельных объемов кремния и оксидных преципитатов процесс образования последних является энергетически выгодным при условии либо эмиссии ими межузельных атомов Si. [14]
 |
Спектр поглощения аморфного толуола. [15] |
Страницы: 1 2 3 4