Охлаждение - кристалл
Cтраница 4
 |
Зависимость МПФ от пространственной частоты v для модуляторов титус ( а и фототитус ( б. [46] |
Одним из недостатков модуляторов титус и фототитус с кристаллом ДКДР является необходимость охлаждения кристалла. Это усложняет изготовление прибора и увеличивает энергопотребление при его функционировании. Параметры ДКДР вблизи рабочей температуры имеют резкие зависимости, поэтому необходимо обеспечить однородное и стабильное охлаждение кристалла, что требует прецизионной термостабилизации. [47]
Для уменьшения термоупругих напряжений необходимо уменьшение величин температурных градиентов в зоне роста и охлаждения кристалла, достижение возможно более вертикального положения изотерм и их приближения к плоскому виду и пр. С целью уменьшения горизонтальных температурных градиентов в кристалле в условиях ГНК с боков и торцов лодочки в корыто помещаются кассеты из молибденовых экранов. Приближение формы изотермы к плоской достигается за счет того, что под лодочку укладывается молибденовая проволока. [48]
Образование дислокаций под действием термических напряжений происходит также и после окончания роста в процессе охлаждения кристалла, и механизм охлаждения играет при этом немаловажную роль. Так, если кристалл охлаждается слишком быстро, то число дислокаций, образующихся под действием напряжений, возникающих при охлаждении, будет даже больше числа дислокаций, вводимых термическими напряжениями, существующими в кристалле во время роста. [49]
Кроме снижения Ул до 180 В в результате возрастания электрооптического коэффициента и диэлектрической константы, охлаждение кристалла обеспечивает длительное, порядка часа, хранение информации вследствие уменьшения утечки поверхностного заряда. В общем случае в модуляции света принимает участие как продольный, так и поперечный электрооптический эффекты, а соотношение вкладов каждого из них определяется наклоном оптической оси кристалла к нормали его рабочей поверхности. [50]
Напряжения уменьшаются, если использовать такую систему нагревателей, которая позволила бы проводить отжиг без охлаждения кристалла до комнатной температуры. Если нагреватели расположить так, чтобы уменьшить градиенты в печи, напряжения уменьшатся еще больше. Естественно, для выращивания методом плавающей зоны могут быть приспособлены такие тепловые источники, как дуговые лампы и лампы накаливания. [51]
Отдутый плотный остаток поступает в сборник 28, где охлаждается и отстаивается от выпадающих при охлаждении кристаллов сульфата аммония. Пародистилляты, выходящие из этого куба, и раствор уксуснокислого кальция обрабатываются так же, как и при отдувке плотного остатка. [52]
 |
Зависимость концентрации носителей заряда в легированных кристаллах PbS от давления паров серы, в которых обрабатывались кристаллы. [53] |
Энергии ионизации донорной примеси ( Bi) и акцепторной вакансии УРЬ настолько малы, что при охлаждении кристалла до комнатной температуры все носители остаются свободными. [54]
Конечно, современные генераторы с такими размерами кристалла дают излучение значительно больше полученной цифры, так как охлаждение кристалла, конструкция рефлектора и другие конструктивные особенности могут значительно увеличить выходную мощность. [55]
Поскольку скорость перемещения ( диффузии) вакансий понижается при понижении температуры, то при каждой данной скорости охлаждения кристалла имеется температура, ниже которой вакансии уже не успевают достичь мест стока, и поэтому охлажденный до комнатной температуры кристалл содержит некоторый избыток вакансий. [56]
Поверочным испытанием на присутствие молибдена в полученных кристаллах может служить также наблюдение в скрещенных николях полиморфного превращения при охлаждении кристаллов предварительно нагретого препарата, Во время нагревания кристаллов молибденовокислого таллия в капле маточного раствора или в препаратах с иммерсионными сплавами наблюдается исчезновение двупреломления, которое вновь появляется при полном охлаждении его. [57]
 |
Различные типы отражателей. а - полиэллиптиче-ский. б - цилиндрический. в - эллиптический. г - сфероконический. д-аксиконный.| Электрическая схема питания двух ламп накачки. [58] |
Под действием тепла происходят изменение оптических характеристик рабочего тела и его деформация, поэтому в некоторых конструкциях лазеров предусматривается охлаждение кристалла потоком воздуха, водой, а иногда и жидким азотом. [59]
Константа анизотропии для ромбической фазы положительна и сравнительно велика, поэтому если при переходе через точку превращения в процессе охлаждения кристалла наложить магнитное поле вдоль одного из направлений [100], [010] или [001], то превращение протекает когерентно во всем кристалле, причем ромбическая ось с параллельна направлению поля. [60]
Страницы: 1 2 3 4