Охлаждение - кристалл
Cтраница 2
При охлаждении кристаллов высокотемпературной модификации ( ВТМ), полученных в результате фазового перехода, обратного превращения в низкотемпературную модификацию ( НТМ) не происходит. Это дает возможность получать спектры поглощения высокотемпературной модификации кристаллов толуола при 77 и 20 К. Кристаллы ВТМ можно вырастить, резко охлаждая почти совсем расплавившиеся образцы ВТМ. При этом оставшиеся участки кристаллов начинают медленно разрастаться, новые центры кристаллизации не успевают возникнуть и образуются крупные совершенные монокристаллы ВТМ. Спектральные исследования показывают, что в этих образцах развитая плоскость отвечает иному срезу решетки, нежели в остальных. [16]
 |
Кристаллическая структура гача. [17] |
При охлаждении кристаллов парафина волокнистой формы до температуры ниже температуры перехода внешняя форма волокон сохраняется в течение продолжительного времени; внутри же волокон происходит перекристаллизация их в пластинчатую форму. [18]
Нагрев и охлаждение кристалла происходят в узком диапазоне температур: между 25 и 50 С. [19]
В результате охлаждения кристалла до - 203 или - 193 С коэффициент полезного действия можно повысить в два-три раза, однако это существенно не улучшает работу лазера. [20]
В результате охлаждения кристалла до - 203 или - - 193 С коэффициент полезного действия можно повысить в два-три раза, однако это существенно не улучшает работу лазера. [21]
В результате охлаждения кристалла до - 193ч - 203 С коэффициент полезного действия можно повысить в два-три раза, однако это существенно не улучшает работу лазера. [22]
Поскольку при охлаждении кристалла одновременно уменьшается L / K / 2 и приблизительно в той же степени увеличивается ez, амплитуда модуляции считывающего света практически не изменяется. Следовательно, не претерпевает заметных изменений и чувствительность фототитуса к записывающему свету. [23]
Если при охлаждении кристалла гексаметилбензола быстро пройти температуру перехода около 110 К, то можно заморозить высокотемпературную модификацию кристалла, что впервые наблюдал Броуде [11 ] и что было несколько раз подтверждено позднее. Поэтому существует интересная возможность исследования триклинных кристаллов, устойчивых при комнатной температуре, при температурах ниже точки перехода, как это совсем недавно было сделано Данном и др. [35], проводившими работу при 4 К. Таким образом, существует гораздо больше спектральной информации о высокотемпературной форме, чем о низкотемпературной. [24]
Сравнение величин темпов охлаждения кристаллов, выращенных в условиях экранирования и без него, указывает на незначительные их расхождения. [25]
Выпадение в процессе охлаждения кристаллов изменяющегося состава с последующим их отделением называется фракционной кристаллизацией и с физико-химической точки зрения аналогично фракционной перегонке жидкостей, образующих однородные растворы. [26]
Особенностью фототитуса является необходимость охлаждения кристалла DROP до точки Кюри ( - 50 С) для снижения рабочего напряжения до 100 В ( при комнатной температуре оно около 1 8 кВ) и для увеличения времени памяти, поскольку в этом случае проводимость селена и DK. Кроме того, для предохранения DKDP от воздействия атмосферной влаги прибор вакуумируетсн, так как кристаллы DKDP гигроскопичны. [27]
 |
Кривые теплоемкости 2 3-бензтиофена.| Ориентационный беспорядок в 2 3-бензтиофене. а, б, виг - четыре. [28] |
Очевидно, что при охлаждении кристалла I до очень низких температур число состояний неупорядоченности уменьшается. Они объясняют это тем, что вращение относительно двух молекулярных осей может быть заторможено значительно сильнее, чем относительно третьей, так что в области около 115 К может происходить только частичное упорядочение. Молекулы, первоначально находящиеся в четырех состояниях неупорядоченности, показанных на рис. 32, не могут достичь полной упорядоченности в результате вращения только относительно одной оси. [29]
Проблема ассоциации дефектов при равновесном охлаждении кристаллов многократно обсуждалась в литературе. [30]
Страницы: 1 2 3 4