Охлаждение - кристалл
Cтраница 3
Он считает, что при охлаждении кристалла образуются комплексы за счет ассоциации вакансий с примесными атомами. [31]
Итак, структурные изменения при охлаждении кристаллов, подобных Agl, можно описать следующим образом: при ТТ & образуются микродомены упорядоченных фаз, в интервале Та. FB, микродоменов ( Утл) и доменных стенок ( Уд), причем УДС VB VM - По мере понижения температуры VM увеличивается, VB падает, а в точке Та когерентная структура исчезает, а домены сливаются, образуя единую р-фазу. Присутствие микродоменов, неоднородно зарождающихся в решетке на дефектах, приводит к термическому гистерезису, характерному для всех мартенситовых превращений. [32]
Отсюда следует, что при охлаждении кристалла после термической обработки при высокой температуре, при которой он находился в термодинамическом равновесии, определенное количество вакантных анионных и катионных узлов окажется замороженным в решетке. [33]
Частичное или полное растворение при охлаждении ранее выделявшихся кристаллов носит название резорбции. [34]
 |
Схемы лазерной установки. [35] |
В камеру подается сжатый воздух для охлаждения кристалла рубина. [36]
Участку кривой СВ соответствует выпадение при охлаждении кристаллов безводного хлористого натрия. Точка В отвечает температуре - f - 0 15 и содержанию в растворе 26 3 % NaCl. Точке Е соответствуют температура - 21 2 и содержание в растворе 22 42 % NaCl. В точке Е выпадают одновременно лед и кристаллы NaCl 2Н2О и раствор полностью отвердевает. Следовательно, - 21 2 является эвтектической температурой. Области, лежащей слева от точки Е, соответствуют растворы, яри охлаждении которых выделяется лед. [37]
Технологический режим задается параметрами шихты, роста и охлаждения кристаллов. Шихта должна быть сыпучей, дисперсной, однофазной. [38]
 |
Составляющие вектора телло-вых напряжений в кристалле о г, о е, o z.| Распределение составляющих вектора тепловых напряжений в кристалле Or, о 0, о г ло радиусу поперечного. [39] |
Характер и распределение по объему механических напряжений определяются способом нагрева и охлаждения кристалла. В нашем случае тепло поступает в кристалл не с его поверхности, а выделяется внутри объема и отводится с поверхности. Необычность условий нагрева определяет и необычность тепловых напряжений в кристалле. [40]
Если R XKQ, для получения заметного резонансного поглощения требуется путем охлаждения кристалла уменьшить вероятность возбуждения колебаний решетки. Чрезвычайно важной особенностью мессбауэровского эффекта является его высокая разрешающая способность, которая определяется отношением ширины возбужденного энергетического уровня Г к энергии перехода ядра из возбужденного состояния в основное. [41]
Электрокалорическое явление может привести как к нагреву, так и к охлаждению кристалла в зависимости от знака электрокалорического коэффициента и от направления электрического поля. При положительном знаке электрокалорического коэффициента температура кристалла повышается, если направление электрического поля совпадает с направлением спонтанной поляризации, и понижается, если направления поля и поляризации имеют противоположные направления. [42]
Поэтому высокоэффективная генерация на уровень 852 см 1 возможна лишь при охлаждении кристалла до таких температур, лри которых населенность этого уровня сильно упадет и можно будет создать инверсию населенности метастабильного уровня без больших затрат энергии накачки. Например, для того чтобы сделать населенность уровня 852 см 1 такой же мелкой, как и уровня 2110 см 1, необходимо охладить кристалл до температуры примерно - 150 С. [43]
 |
Конструкция модулятора фототитус. [44] |
Модулятор размещался в вакуумированном корпусе для предотвращения запотевания оптических поверхностей при охлаждении кристалла и предохранении кристалла, который является гигроскопичным, от конденсации атмосферной влаги. Кристаллическая пластина, подложка CaF2 и оптическое окно для считывающего света выполнены в виде клиньев для того, чтобы исключить попадание света, отраженного от их поверхностей, в область формирования изображения. Диэлектрическое зеркало почти полностью отражает считывающий свет, не пропуская его в фотопроводник. Поэтому считывание может производиться светом широкого спектрального диапазона, включающего, в частности, область чувствительности фотопроводника. [45]
Страницы: 1 2 3 4