Блокирование - поверхность
Cтраница 1
Блокирование поверхности в отношении электронного взаимодействия может быть достигнуто даже при покрытии ее водородом. [1]
Однако блокирование поверхности наступает сразу, если плотность тока на гранях растущего кристалла опустится ниже некоторого предела. Понижение же плотности тока на растущих кристаллах происходит вследствие локального обеднения ионами металла прилегающего к кристаллу слоя электролита; на катоде все время происходит перераспределение тока между теми кристаллами, которые уже успели истощить вокруг себя электролит, и теми, которые только начинают свой рост. Чем интенсивнее добавка блокирует поверхность металла, тем короче оказывается период роста каждого кристалла и тем мельче структура получающегося осадка. [2]
Интересный пример блокирования поверхности электрода мы рассмотрим в следующем разделе; он в одинаковой степени относится как к случаю жидких, так и твердых электродов. А теперь рассмотрим некоторые данные о влиянии адсорбированных, анионов и органических катионов на процесс выделения металлов на жидком электроде, так как заранее можно ожидать, что влияние адсорбированных ионов на жидком и твердом ( кристаллическом) электродах во многих случаях будет различным. [3]
В отсутствие кислорода происходит блокирование поверхности катода анионами, электрод поляризуется, и ток через элемент уменьшается. Если в электролите присутствует кислород, то уже при малых положительных потенциалах он связывает ионы ОН - с образованием воды, вызывая тем самым частичную деполяризацию электрода и увеличение тока во внешней цепи. [4]
Однако довольно трудно отличить эффект физического блокирования поверхности с замедленным проникновением через адсорбированную пленку [11-13] от влияния этой пленки на кинетику собственно электрохимического процесса. [5]
Механизм действия ПАВ посредством экранирования или блокирования поверхности предполагает, что добавка механически изолирует часть поверхности электрода. Блокированная поверхность при этом не участвует в электродной реакции. Подобное явление было экспериментально обнаружено при изучении адсорбции жирных спиртов на амальгамах цинка. Если вещество адсорбируется очень прочно ( хемосорбция), то разряд ионов возможен в порах адсорбционного слоя. При этом добавка нередко включается в катодный осадок. [6]
Свободные дикарбоновые кислоты уменьшают скорость гидрогенизации сырья за счет блокирования поверхности катализатора. Примесь их в виде метиловых эфиров пе влияет на скорость гидрогенизации, но приводит к обогащению спиртов гликолнми: в промышленных образцах спиртов С10 - С ] в содержится 4 - 7 вес, % шсших первичных гликолсйК) йК) В. [7]
 |
Давные, характеризующие отработанный катализатор. [8] |
Снижение каталитический активности при отравлении ядами объясняется частичным или полным блокированием поверхности катализатора прочным химически адсорбированным слоем отравляющего вещества. [9]
 |
Данные, характеризующие отработанный катализатор. [10] |
Снижение каталитической активности при отравлении ядами объясняется частичным или полным блокированием поверхности катализатора прочным химически адсорбированным слоен отравляющего вещества. [11]
Наличие в парах неконденсирующихся газов сильно понижает коэффициент теплоотдачи из-за блокирования поверхности теплообмена малотеплопроводной газовой пленкой. [12]
Химическая адсорбция иногда может оказывать и отравляющее действие, приводя к блокированию поверхности [83-85], благодаря образованию слишком прочной связи. [13]
Что касается природы адсорбционного торможения, то оно может быть обусловлено блокированием поверхности электрода, омическим падением потенциала в пленке [ 111 или имеет какую-то более сложную причину. В этой связи существенно, по-видимому, что адсорбционное торможение снимается или преодолевается уже при невысоком отрицательном потенциале ( около - 0 7 в), при котором поле двойного электрического слоя еще не может оказывать существенного противодействия адсорбции нейтральных молекул. [14]
Многочисленные исследования показали, что действие добавок связано с явлениями адсорбции и блокирования поверхности растущих кристаллов металла. [15]
Страницы: 1 2 3 4