Cтраница 1
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзистора. [1]
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса методом, не приводящим к нарушению конструкции и герметичности транзистора. [2]
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса методом, не приводящим к нарушению конструкции и герметичности транзисторов. [3]
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса методом, не приводящим к нарушению конструкции и герметичности транзисторов. Пайку разрешается производить при Т 543 К в течение времени не более 5 с. Разрешается обрезать выводы на расстоянии не менее 4 мм от корпуса без передачи усилия на керамическую часть корпуса, без нарушения герметичности и с сохранением обозначения коллекторного вывода. Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 1 мм от корпуса методом, не приводящим к нарушению конструкции и герметичности транзистора. Пайку следует производить в течение времени не более 3 - 4 с, при Т 493 К с теплоотводом между корпусом и местом пайки. Необходимо защищать корпус прибора от попадания на него брызг флюса и припоя. [4]
Пайка выводов производится на расстоянии не менее 3 мм от держателя при Т 533 К, допускается обрезка и пайка выводов на расстоянии до 1 мм от держателя при Т 423 К в течение времени не более 3 с при условии фиксации основания вывода. [5]
Пайка выводов должна производиться на расстоянии не менее 3 мм от держателя, при Т 423 К допускается пайка на расстоянии до 1 мм при условии жесткой фиксации основания вывода относительно держателя. [6]
Пайка выводов при Т 533 К должна производиться на расстоянии не менее 3 мм от корпуса. [7]
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзисторов. [8]
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса матрицы при температуре жала паяльника ке выше 523 К d течение времени не более 5 с. Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса матрицы с радиусом закругления не менее 1 5 мм. Допускается любая комбинация и последовательность включения транзисторных структур в матрице при условии, что Рк макс одной транзисторной структуры не превышает 0 5 Вт, а мощность, рассеиваемая всей матрицей, 0 8 В при Гп 228 - - 323 К. [9]
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 0 мм от транзистора. При заливке транзисторов компаундами температура кристалла не должна превышать предельно допустимую температуру окружающей среды. [10]
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора паяльником мощностью не более 60 Вт напряжением 6 - 12 В. При пайке необходимо принимать меры защиты корпуса транзистора от попадания флюса и припоя. В момент пайки все выводы транзистора должны быть закорочены. Для обеспечения тока утечки затвора не более 5 10 - А необходимо использовать транзисторы в составе герметизированной аппаратуры или при местной защите транзисторов от воздействия влаги. [11]
Пайка выводов обеспечивает надежные соединения почти всех сплавов, применяемых для проводов сопротивления, за исключением группы нихромовых сплавов. Хорошим флюсом для пайки служит канифоль. Следует избегать излишнего количества флюса, для чего после пайки соединения протирают спиртом. [12]
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора. [13]
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора при температуре пайки не более 523 К в течение времени не более 9 с. Пайка производится паяльником мощностью не более 60 Вт и напряжением 6 - 12 В. Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора. Допускается одноразовый изгиб вывода на расстоянии 3 мм с радиусом изгиба не менее 0 5 мм. [14]
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора. [15]