Cтраница 3
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм от корпуса. Разрешается производить пайку выводов методом погружения не более чем на 2 - 3 с в расплавленный припой с температурой не более 533 К. [31]
Пайка выводов производится в течение не более 10 с. Пайка допускается на плоской части выводов транзисторов. [32]
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм от корпуса транзистора. [33]
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора. [34]
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора. За температуру корпуса принимается температура любой точки основания диаметром не более 13 мм со стороны опорной поверхности. [35]
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора. [36]
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса. [37]
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора. Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1 5 - 2 мм. [38]
Пайка выводов обеспечивает надежные соединения почти всех сплавов, применяемых для проводов сопротивления, за исключением группы нихромовых сплавов. Хорошим флюсом для пайки служит канифоль. Следует избегать излишнего количества флюса, для чего после пайки соединения протирают спиртом. [39]
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса транзистора. [40]
Пайка выводов производится при температуре 493 К в течение времени не более 10 с. Держатель транзистора является базовым электродом. [41]
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса. [42]
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзистора. [43]
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса методом, не приводящим к нарушению конструкции и герметичности транзистора. [44]
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса методом, не приводящим к нарушению конструкции и герметичности транзисторов. [45]