Cтраница 2
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса. [16]
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса при температуре припоя 265 С в течение не более 3 с. Допускается не более трех перепаек. Разрешается осуществлять пайку путем погружения выводов в припой с температурой 250 С на время не более 5 с, допускается пайка волной припоя при температуре 240 С. [17]
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено. [18]
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено. Допускаются пайка без теплоотвода и групповой метод пайки. [19]
Пайка выводов транзисторов КТ611А, КТ611Б, КТ611В, КТ611Г допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса при температуре пайки не более 533 К в течение 10 с. Допускается изгиб выводов на расстоянии не менее 5 мм от корпуса с радиусом изгиба 1 5 - 2 мм. Запрещается использование транзисторов без теплоотвода при мощности рассеяния более 0 8 Вт. Разрешается использовать транзисторы в схеме видеоусилителя телевизоров при коэффициенте использования по напряжению [ / кэ 0 9 икэк макс. [20]
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм от защитного покрытия. [21]
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса при температуре не более 260 С в течение не более 3 с. Жало паяльника должно быть заземлено. [22]
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса при температуре не более 260 С в течение не более 3 с. Допускается пайка волной припоя при температуре не более 240 С. [23]
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора при температуре не более 260 С в течение не более 3 с. Допускается пайка выводов волной припоя при температуре не более 240 С. [24]
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора при температуре не более 260 С в течение не более 5 с. Допускается пайка волной припоя при температуре не более 240 С. [25]
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора при температуре не более 270 С в течение не более 3 с, время лужения не более 2 с. Допускается не более двух перепаек выводов. [26]
Пайка выводов транзистора рекомендуется не ближе 3 мм от корпуса при температуре 260 С в течение не более 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии 2 мм от корпуса, при этом температура пайки не должна превышать 150 С, время пайки не более 3 с. Допускается пайка фланца корпуса транзистора к теплоотводу, температура пайки не более 150 С. [27]
Пайка выводов транзисторов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса. [28]
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 2 мм от кристаллодержателя при температуре не выше 260 С в течение не более 3 с и не ближе 0 5 мм от кристаллодержателя при температуре не выше 150 С. Металлизированное основание кристаллодержателя рекомендуется заземлять. Допускается пайка металлизированного основания кристаллодержателя при температуре не более 180 С. [29]
Пайка выводов транзисторов должна производиться при температуре не выше 275 С в течение не более 3 с на расстоянии не менее 6 ( 2Т803А) и 5 мм ( КТ803А) от корпуса транзистора. [30]