Большинство - полупроводниковый прибор
Cтраница 1
Большинство полупроводниковых приборов может нормально функционировать только в том температурном диапазоне, который соответствует области 2 ( рис. 1.5), когда концентрация основных носителей практически не зависит от температуры и равна концентрации примесей. Поэтому границы области 2 определяют максимальную и минимальную рабочие температуры полупроводниковых приборов. [1]
Большинство полупроводниковых приборов чрезвычайно чувствительно к видимому и инфракрасному излучению. [2]
Большинство полупроводниковых приборов ( кроме СВЧ) рассчитано на применение паяных соединений выводов с элементами схем. Однако следует помнить, что полупроводниковые приборы разрушаются даже при кратковременном нагревании до температуры свыше 150 С. [3]
Большинство производимых полупроводниковых приборов и ИМС формируются на базе эпитаксиальных слоев, свойства которых могут изменяться в широких пределах в зависимости от требований разработчиков. При этом подложка часто выполняет лишь функции механического носителя и может быть изготовлена из вырожденного материала. Вся структура прибора или микросхемы создается в слое толщиной от 3 до 20 мкм. [4]
 |
Дефекты кристаллической решетки. [5] |
Для большинства полупроводниковых приборов используются примесные полупроводники. [6]
Для большинства полупроводниковых приборов и всех ИМС точность ориентации пластины относительно выбранного кристаллографического направления имеет большое значение в выполнении практически всех технологических операций. [7]
Для большинства полупроводниковых приборов используются примесные полупроводники. В рабочем интервале температур поставщиками свободных носителей заряда являются примеси. Примесями в простых полупроводниках служат чужеродные атомы. [8]
У большинства полупроводниковых приборов отклонение поверхностных свойств полупроводника от объемных неблагоприятно отражается на их рабочих характеристиках, снижает стабильность параметров во времени и при изменении температуры. [9]
Хотя большинство полупроводниковых приборов является сложными нелинейными сопротивлениями типа термистор-варистор, среди них есть и типичные терморезисторы. [10]
 |
Зонная диаграмма полупроводника. [11] |
Для большинства полупроводниковых приборов используются примесные полупроводники. [12]
Для большинства полупроводниковых приборов ОБР ограничивается дополнительно отрезком C D и уменьшается. Выход рабочей точки за ОБР приводит, как правило, к необратимому ухудшению параметров прибора. [13]
Работа большинства полупроводниковых приборов основана на образовании электронно-дырочного перехода ( р - w - перехода) при контакте полупроводниковых слоев с противоположным типом проводимости. Наиболее широко применяются плоскостные переходы, линейные размеры которых значительно превышают их толщину. [14]
Работа большинства полупроводниковых приборов, в том числе и СЭ, определяется процессами, происходящими с электронами при энергиях вблизи верхних уровней валентной зоны и нижних уровней зоны проводимости. Эта ситуация отражается зонной диаграммой, изображенной на рис. 1.2, а для арсенида галлия и на рис. 1.2, б для кремния. [15]
Страницы: 1 2 3 4