Большинство - полупроводниковый прибор
Cтраница 4
Именно этот участок стремятся использовать при построении большинства полупроводниковых приборов. На других участках электропроводность меняется весьма существенно, что может привести к нарушению нормального режима работы полупроводниковых устройств. [46]
 |
Принцип действия полупроводникового. [47] |
На использовании этого свойства я-р-перехода основано действие большинства полупроводниковых приборов. [48]
 |
Схема электронно-дырочного перехода ( а, распределение носителей заряда ( б и токов в нем ( в. [49] |
Это свойство электронно-дырочного перехода практически используется в большинстве полупроводниковых приборов. [50]
Явления, происходящие в электронно-дырочном переходе, лежат в основе работы большинства полупроводниковых приборов. [51]
Однако в большинстве случаев число дырок и электронов в полупроводниках различно, именно на этом основана работа большинства полупроводниковых приборов. Различие в концентрациях дырок и электронов достигается путем введения примесей. Проводимость, созданная введением примеси, называется примесной. [52]
Однако в большинстве случаев число дырок и электронов в полупроводниках различно, именно на этом основана работа большинства полупроводниковых приборов. Различие в концентрациях дырок и электронов достигается введением примесей. Проводимость, созданная введением примеси, называется примесной. [53]
Явления, возникающие на контакте металл - полупроводник или полупроводник - полупроводник, лежат в основе работы большинства полупроводниковых приборов и в связи с этим достаточно подробно анализируются в курсах по полупроводниковым приборам. Поэтому в настоящей главе рассмотрены лишь основные физические процессы, происходящие на контакте двух веществ и позволяющие понять явления в различных типах контактов при прохождении через них электрического тока. [54]
Страницы: 1 2 3 4