Большинство - полупроводниковый прибор
Cтраница 3
Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на особых, изумительных свойствах переходного слоя - тончайшего диэлектрика, разделяющего р - и n - области полупроводника. По существу изготовление прибора сводится к созданию в монокристалле областей с л - и р-проводимостью, имеющих заданное содержание примесей и заданную геометрию их концентрации. [31]
Принцип действия большинства полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем основан на использовании свойств электронно-дырочного перехода ( р-и-перехода) - переходного слоя между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность р-типа, а другая - и-типа. [32]
Основным элементом большинства полупроводниковых приборов является контакт двух полупроводников с различной работой выхода электронов. При этом возможно использование одинаковых или различных по своей химической природе полупроводниковых материалов. Ниже мы рассматриваем только первый из указанных случаев. [33]
Он является основой большинства полупроводниковых приборов. [34]
В основе работы большинства полупроводниковых приборов и активных элементов интегральных микросхем лежит использование свойств р - - переходов. Однако р-и-переход не может быть создан путем простого соприкосновения двух полупроводниковых кристаллов с разными типами электропроводности, так как при этом между кристаллами всегда будет существовать некоторый промежуточный слой. Обычно р - n - переходы создают с помощью специальных технологических приемов. [35]
 |
Диаграмма изменения температуры рабочего / 7-я перехода и мощности рассеяния при серии одинаковых прямоугольных импульсов. [36] |
Этот режим характерен Для большинства полупроводниковых приборов, используемых в импульсных схемах при сравнительно малых частотах модуляции, когда имеется возможность пренебречь потерями мощности при прямом и обратном переключениях. [37]
 |
Диаграмма изменения температуры рабочего / ья-перехода и мощности рассеяния при серии прямоугольных импульсов сложной формы. [38] |
Этот режим характерен для большинства полупроводниковых приборов, используемых в импульсных схемах при относительно высоких частотах модуляции, когда необходимо учитывать потери мощности при прямом и обратном переключениях прибора. [39]
Электронно-дырочные переходы образуют основу большинства полупроводниковых приборов. Их структура, геометрические размеры, сопротивления отдельных частей и взаимное расположение определяют характеристики приборов. [40]
Рассмотрены физические принципы работы большинства известных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, приборов с отрицательным сопротивлением, с зарядовой связью, с нжекцион-ным питанием, полупроводниковых датчиков. Даны выводы основных теоретических соотношений, определяющих их параметры. Описание принципов действия приборов сопровождается соображениями по выбору оптимальных конструкций. [41]
Дробовые шумы являются преобладающими для большинства полупроводниковых приборов. Основным источником дробовых шумов является p - n - переход. При прохождении носителей заряда над потенциальным барьером перехода возникают флуктуации дрейфовой и диффузионной составляющих токов вследствие хаотичности теплового движения носителей и флуктуации высоты потенциального барьера. Это явление аналогично флуктуациям тока эмиссии электронов, поэтому оно также называется дробовым эффектом. [42]
Полупроводниковый диод, как и большинство полупроводниковых приборов, представляет собой сочетание двух кристаллов полупроводников с электронной и дырочной проводимостями. Свойства полупроводниковых приборов обусловливаются процессами, происходящими в небольшом объеме вещества у поверхности соприкосновения кристаллов, который называется электронно-дырочным ( р - п) переходом. [43]
Электронно-дырочный переход является основным структурным элементом большинства полупроводниковых приборов, его свойствами определяются принцип действия и функциональные возможности этих приборов. Поэтому необходимо детально ознакомиться с физическими процессами, протекающими в р - - переходах, основными закономерностями этих процессов, характеристиками и параметрами переходов. [44]
 |
Температурная зависимость удельной электропроводности примесного полупроводника. [45] |
Страницы: 1 2 3 4