Большинство - полупроводниковый прибор
Cтраница 2
Сердцем большинства полупроводниковых приборов считают так называемый р - n - переход. [16]
Работа большинства полупроводниковых приборов обеспечивается примесным механизмом проводимости, тогда как собственная проводимость, связанная с определенной энергией активации электронов собственных атомов полупроводника ( с шириной запрещенной зоны), обычно определяет допустимую температуру эксплуатации приборов. [17]
Работа большинства полупроводниковых приборов нарушается при наступлении собственной проводимости вещества. Поэтому для изготовления этих приборов выгодны полупроводники, у которых собственная проводимость начинает заметно сказываться при возможно более высокой температуре. Например, известно, что германиевые полупроводниковые приборы могут успешно работать при температурах до 80 - 100 С, а кремниевые до 150 - 200 С. Это объясняется тем, что при указанных температурах значительно возрастает собственная проводимость. В рабочих же режимах этих полупроводников электропроводность достигается проводимостью примесного характера. [18]
Работа большинства полупроводниковых приборов основана на явлениях, возникающих на контакте металл-полупроводник или полупроводник-полупроводник, и в связи с этим они достаточно подробно анализируются в курсах по полупроводниковым приборам. Поэтому в настоящей главе рассмотрены лишь основные физические процессы, происходящие на контакте двух веществ и позволяющие понять явления в различных типах контактов при прохождении через них электрического тока. [19]
В большинстве полупроводниковых приборов используются монокристаллы, неоднородные по своим электрофизическим свойствам. [20]
В большинстве полупроводниковых приборов применяют спаи металла со стеклом; такие спаи обеспечивают вакуумную плотность электрических вводов и хорошую изоля цию их. [21]
В большинстве полупроводниковых приборов оно возникает в результате введения ( или выведения) в полупроводник неосновных носителей заряда через контакты, посредством которых полупроводник включается во внешнюю электрическую цепь. Покажем сначала, что введение ( выведение) основных носителей заряда не нарушает равновесного состояния полупроводника. [22]
В большинстве полупроводниковых приборов величины токов обусловлены как дрейфовым, так и диффузионным перемещением свободных носителей заряда - электронов и дырок. [23]
Как и большинство полупроводниковых приборов, источники света имеют малые габаритные размеры. [24]
Основным элементом большинства полупроводниковых приборов является электрический переход-структура, содержащая переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости, причем одна из областей может быть металлом. [25]
Принцип работы большинства полупроводниковых приборов основан на специфических явлениях, возникающих на границе раздела между полупроводниками п - и р-типов. [26]
 |
Схема установки для. [27] |
При изготовлении большинства полупроводниковых приборов применяют монокристаллические материалы. Это объясняется тем, что подвижность и время жизни свободных носителей заряда в монокристаллах выше, чем в поликристаллическом материале, который к тому же обладает и значительной неоднородностью свойств. [28]
 |
Схемы включения полупроводникового диода. [29] |
Рабочими элементами большинства полупроводниковых приборов являются так называемые электронно-дырочные переходы, известные также как р-п-переходы. Такой переход образуется на границе соприкосновения полупроводника с металлом. Он представляет собой очень тонкий ( в несколько микрон) запорный слой, обладающий односторонней проводимостью. [30]
Страницы: 1 2 3 4