Cтраница 2
Вместе с тем в большинстве теоретических работ, в курсах по электрическим машинам и заводских методиках используется система осей d, q с отстающей продольной осью. Это и послужило причиной того, что она применяется в настоящем труде. [16]
Она еще более усложняется, если материал анизотропен и состоит из двух разных материалов, которые, как правило, сильно отличаются по свойствам. Большинство теоретических работ по прочности волокнистых композитов устанавливает тот или иной критерий для определения упругой прочности композита. Некоторые исследователи полагают, что все волокна имеют одну и ту же прочность, в то время как другие считают, что хрупкие волокна обладают статистическим распределением прочности. Материал матрицы рассматривается как упругий, или по крайней мере принимается, что его свойства не зависят от времени. [17]
Массоперенос в гранулах сорбента предполагается происходящим за счет диффузии адсорбата внутри транспортных пор и поверхностной диффузии адсорбированного вещества, причем будем опускать взаимодействие этих двух видов массопереноса, включая локальные процессы поверхностной диффузии, учитываемые эффективным коэффициентом диффузии D. В большинстве теоретических работ считается, что коэффициент диффузии не зависит от концентрации адсорбированного вещества. Это не всегда физически оправдано, поскольку если в механизме переноса определяющую роль играет поверхностная диффузия адсорбированного вещества, то коэффициент диффузии сильно зависит от концентрации, что приводит также к нелинейной математической модели. [18]
Не было никаких оснований предполагать, что существование позитрона, или, как лучше сейчас его назвать, антиэлектрона, является особенностью малых частиц. Несмотря на ряд специфических особенностей, теория взаимодействия между нуклонами развивается по тем же линиям, что и теория взаимодействия электронов. В большинстве теоретических работ предполагается, что нуклоны должны описываться уравнениями, вполне подобными уравнениям Дирака для электронов. [19]
Мейер и Скуджик [23] для члена 6ас от акустического излучения рекомендуют бас 0, 0144 ( ш / ( ов) 3 для воздушных пузырьков в воде при атмосферных условиях. Отсюда ясно, что 8ас представляет собой функцию частоты и радиуса пузырька, а не константу, как для диссипации при радиальном движении. В большинстве теоретических работ д принимается постоянной, равной резонансному значению. [20]
Нужно признать, что в развитии проблемы трения, смазки и износа наблюдается отставание в смысле использования фундаментальных результатов классических наук. Именно это отставание приводит к отсутствию или противоречивости объяснений явлений, наблюдаемых при трении и износе новых материалов, при работе в сложных режимах нагружения, в новых рабочих средах. Например, в большинстве теоретических работ по трению и износу явления деформации и разрушения рассматриваются с позиций макроскопических представлений. В классических дисциплинах ( физика металлов, металловедение и др.) давно доказано, что для успешного решения этих явлений их необходимо рассматривать с точки зрения тонкой структуры с учетом несовершенств кристаллического строения - теории дислокаций. Еще большее отставание наблюдается при рассмотрении вопросов, связанных с физикой и химией поверхностных явлений. Эти обстоятельства приводят к недооценке использования современных методов металловедения, физики твердого тела, химии поверхностных явлений и других наук и в результате - к понижению теоретического уровня исследований по трению, смазке и износу и разрыву с задачами практики. [21]
Кипение при потоках между ОПК и пиковой величиной теплового потока характеризуется наличием двухфазного пограничного слоя вблизи поверхности нагрева и колебанием температуры поверхности из-за локальной изоляции ее паром. Так как эти паровые пятна нестабильны, то происходит немедленное замещение их жидкостью и пузырьковое кипение продолжается. Стабильность поверхности раздела пар - жидкость является основой анализа в большинстве теоретических работ. В последующих разделах будут рассмотрены как теоретические, так и экспериментальные уравнения для критических тепловых потоков при кипении в большом объеме, в нагреваемых каналах и при поперечном обтекании цилиндров. [22]
На диаграмме Т - Н может быть изображена кривая, разграничивающая области, в которых имеются или отсутствуют гистерезисные явления. Эта кривая не должна совпадать с геометрическим местом максимумов восприимчивости, о которых говорилось выше; область гистерезисных эффектов более широка. Однако обе эти кривые лежат довольно близко друг от друга и в большинстве теоретических работ их не различают. [23]
На диаграмме Т - Н может быть изображена кривая, разграничивающая области, в которых имеются или отсутствуют гнстерезиспые явления. Эта кривая не должна совпадать с геометрическим местом максимумов восприимчивости, о которых говорилось выше; область гнстерезпсных эффектов более широка. Однако обе эти кривые лежат довольно близко друг от друга и в большинстве теоретических работ нх не различают. [24]
Изучение межмолекулярных и ион-молекулярных взаимодействий в растворах является одной из центральных задач при разработке теории строения жидкостей. Изучение подобных взаимодействий в системах с Н - свя-зью посвящено большое число теоретических и экспериментальных работ. С момента создания квантово-химических методов расчета они стали успешно применяться в изучении систем с Н - связью. Авторы большинства теоретических работ, выполненных различными квантово-хими-ческими методами, основное место уделяют таким важным вопросам, как определение равновесных расстояний и энергий взаимодействия в комплексах с Н - связью, нахождение более устойчивых геометрических кон-формаций взаимодействующих партнеров, оценка вкладов типов взаимодействий в энергию Н - связи, а также анализ перераспределения зарядов на атомах при комплексообразовании. При изучении ион-молекулярных взаимодействий главное место принадлежит расчету комплексов центрального иона с его сольватным окружением. [25]
Чтобы определить уровни энергии электрона в слое пространственного заряда в полупроводнике, сделаем сначала все возможные упрощающие предположения, не искажающие физической сущности рассматриваемой системы, а затем оценим их влияние на получаемые результаты. Согласно простейшему приближению Хартри, каждый электрон движется в поле среднего потенциала, создаваемого всеми электронами; многочастичными взаимодействиями при этом пренебрегают. Кроме того, используется приближение эффективной массы, в рамках которого некоторым образом учитывается микроскопическая структура полупроводника. Предполагается также, что потенциальный барьер на границе раздела полупроводник - диэлектрик достаточно велик, поэтому в ее плоскости, выбираемой при г 0, огибающую волновую функцию электрона можно считать равной нулю. Это приближение, хотя и не использовалось в первоначальном расчете Дьюка [441], лежит в основе большинства теоретических работ. [26]
Одной из первых стадий процесса горения является подогрев холодного топлива до температуры, при которой реакция может протекать самопроизвольно. Поэтому были выполнены как теоретические, так и экспериментальные исследования по вопросу теплового воспламенения. Полное теоретическое решение проблемы теплового воспламенения еще не получено, однако многие вопросы можно разрешить на основании упрощенных моделей этого процесса. В случае углеродных топлив, которые могут содержать заметные количества летучих веществ, будет рассматриваться только твердый остаток, так как характеристики воспламенения летучих веществ такие же, как и для жидких топлив. Хотя большинство теоретических работ проведено применительно к углероду, их результаты, вероятно, справедливы и для других твердых топлив. [27]
Равномерное движение носителя через кристалл может быть прервано несколькими путями. Так, например, любые нерегулярности структуры кристалла, обусловленные образованием вакансий, дислокаций, границ раздела зерен и т.п., приведут к рассеянию носителя и изменению его импульса. Кроме того, носители могут быть рассеяны на динамических искажениях решетки, вызванных температурными воздействиями, - это рассеяние носителя на фононах решетки. Рассеяние носителя на тепловых колебаниях схематично иллюстрирует рис. 2.6.1, фонон изображен на нем в виде пика на энергетической поверхности, который движущийся электрон не в состоянии преодолеть. Во взаимодействиях между фононом и носителем могут участвовать как акустические, так и оптические фононы. Каждый акт рассеяния может рассматриваться как процесс первого порядка, т.е. как одно-фононный процесс, или как процесс более высокого порядка, если в нем одновременно участвуют несколько фононов. Избыточные заряды могут также рассеиваться на инородных примесях, как заряженных, так и нейтральных. Учесть все эти процессы очень трудно. Поэтому в большинстве теоретических работ рассматривается какой-либо один из вышеперечисленных процессов, а остальными пренебрегают. [28]