Cтраница 1
Схема электронно-лучевой установки. i К - катод. А - анод. 1J - деталь. 2 - электромагнитная линза. 3 - пучвК ускоренных электронов. [1] |
Ионная бомбардировка позволяет не только нагреть металл, но и при определенных условиях производить одновременно со сваркой физическую и химическую очистку его поверхности, а также изменять его свойства внедрением ионов в поверхностный слой свариваемой детали. [2]
Зависимость интенсивности поглощения СО-групп А от энергии Е бомбардирующих ионов при силе ионного тока 0 24 мкА и времени облучения 2 ч. [3] |
Ионная бомбардировка приводит к гораздо более существенным изменениям ИК-спектра полиэтилена, чем электронная. [4]
Ионная бомбардировка является наиболее распространенным способом заряда частиц. Исходный материал, содержащий проводящие и непроводящие частицы, подается на заземленную поверхность ( валок), который движется под коронирующим электродом, расположенным над этой поверхностью. Оборудованием для создания коронного разряда является высоковольтный источник электрической энергии и специальным образом изготовленный электрод. В короне заряжаются как проводящие, так и непроводящие частицы, но проводящие при контакте с заземленной несущей поверхностью теряют свой заряд, а непроводящие сохраняют и притягиваются к ней. Силы тяжести отрывают частицы от поверхности, но в разных местах ( заряженные непроводящие отрываются позже), и направляют их в разные бункера. [5]
Ионная бомбардировка в системах с постоянным смещением и при распылении на переменном токе используется для уменьшения степени загрязнения подложки остаточными газами, атомы и молекулы которых в результате взаимодействия с высокоэнергетическими ионами рабочего газа приобретают энергию, достаточную для десорбции с подложки. С этой же целью были разработаны системы катодного распыления с несамостоятельно поддерживаемым разрядом. [6]
Зависимость интенсивности поглощения СО-групп А от энергии Е бомбардирующих ионов при силе ионного тока 0 24 мкА и времени облучения 2 н. [7] |
Ионная бомбардировка является более вероятной причиной эрозии. Однако отмеченная выше большая роль окислительных реакций, инициированных разрядами, и независимость скорости эрозии от полярности коронирующего электрода заставляют предположить, что вызывающая эрозию реакция окисления может инициироваться за счет энергии рекомбинации ионов и электронов на поверхности диэлектрика. [8]
Зависимость интенсивности поглощения СО-групп А от энергии Е бомбардирующих ионов при силе ионного тока 0 24 мкА и времени облучения 2 ч. [9] |
Ионная бомбардировка приводит к гораздо более существенным изменениям ИК-спектра полиэтилена, чем электронная. [10]
Ионная бомбардировка изменяет предел прочности твердых сплавов, заметно снижая ее вариационные разбросы. [11]
Ионная бомбардировка для очистки изделий осуществляется непосредственно перед покрытием в самой камере. До помещения в камеры изделие нужно тщательно очистить от загрязнений. [12]
Ионная бомбардировка распыляет катод, микрочастицы титана оседают на деталях насоса и образуют активную пленку, сорбирующую газы. [13]
Ионная бомбардировка может применяться для придания пленкам требуемой конфигурации. В этих случаях мишени в высокочастотных установках заменяют подложками с нанесенными пленками. Слоем фоторезиста при этом защищают места, которые не следует вытравливать. Такой способ получения требуемой конфигурации пленок применяют для диэлектриков и полупроводников. Скорость травления достигает 0 2 мкм / мин. [14]
Ионная бомбардировка является наиболее распространенным способом заряда частиц. Исходный материал, содержащий проводящие и непроводящие частицы, подается на заземленную поверхность ( валок), который движется под коронирующим электродом, расположенным над этой поверхностью. Оборудованием для создания коронного разряда является высоковольтный источник электрической энергии и специальным образом изготовленный электрод. В короне заряжаются как проводящие, так и непроводящие частицы, но проводящие при контакте с заземленной несущей поверхностью теряют свой заряд, а непроводящие сохраняют и притягиваются к ней. [15]