Ионная бомбардировка
Cтраница 2
Ионная бомбардировка з процессах ПА ХОГФ всегда способствует уплотнению структуры осаждаемых пленок и развитию в них сжимающих напряжений. [16]
Ионная бомбардировка поверхности подложки изменяет условия зарождения совокупности кристаллов в начальных стадиях. Повреждаемость же совокупности кристаллов в процессе ее роста приводит к изменению энергетического состояния. Катодное распыление примесных и основных компонентов может существенно повлиять на процессы отбора. Таким образом, зажигание тлеющего разряда может оказать существенное влияние на все три фактора эволюции. В настоящее время отсутствуют представления, позволяющие дать априорную оценку влияния тлеющего разряда на закономерности роста кристаллов при образовании покрытий. [17]
Сопутствующая слабая ионная бомбардировка аргоном вызывает автодесорбцию газовых примесей и служит средством очистки растущей пленки. Для этого на пленку подают отрицательное относительно анода напряжение. [18]
Для ионной бомбардировки применяется трансформатор высокого напряжения мощностью 1 5 кв с тщательно изолированными зажимами для предотвращения проникновения разряда внутрь диффузионного насоса, так как следствием этого может быть проникновение паров масла в камеру. [19]
Метод ионной бомбардировки находится в стадии разработки. Недостатки метода: значительный разогрев исследуемой пробы, отсюда ухудшение вакуума в системе, что приводит к искажению получаемых данных. [20]
Метод ионной бомбардировки в одинаковой степени пригоден и для монокристаллов, и для поликристаллических поверхностей. Бомбардировка положительными ионами аргона удаляет загрязнения из приповерхностного слоя толщиной до нескольких сотен атомных слоев в зависимости от времени и интенсивности обработки, но при этом все же остаются захваченные поверхностью положительные ионы. Кроме того, поверхность содержит некоторое количество дефектов, образовавшихся в результате смещения атомов металла из их равновесных положений в решетке. Поэтому для освобождения от дефектов решетки и от захваченного аргона необходим отжиг при повышенной температуре. Истинное состояние поверхности определяют методом дифракции медленных электронов. Однако вполне справедливо отмечено [37], что воспроизводимые дифракционные максимумы, получаемые после ионной бомбардировки и отжига, ие обязательно доказывают чистоту поверхности, даже если они и соответствуют дифракционным максимумам поверхностной решетки металла; упорядочение загрязненная поверхность также может дать воспроизводимую картину, которую можно принять за результат ориентированной поверхности. [21]
Влияние ионной бомбардировки на люминофор наглядно выражено в образовании темного пятна на экране часто называемого также ионным пятном. Это округлый участок в центре экрана с размытыми неровными краями, где слой люминофора обнаруживает пониженную светоотдачу. Появление пятна обязано ионной эмиссии с катода и возникает на первых стадиях обработки трубки в момент формирования оксида. В нормальной трубке в первые часы работы ионное пятно можно заметить только при пониженном напряжении, когда яркость экрана мала и пятно выступа - ti в виде более темного участка на слабо освещенном фоне. [22]
Эффект ионной бомбардировки, резко выраженный в момент формирования катода, не прекращается и в дальнейшей работе отпаянной трубки. Интенсивность окраски экрана со временем увеличивается, а светоотдача соответственно падает; ионное пятно становится заметным уже при нормальной нагрузке экрана. [23]
Метод ионной бомбардировки отличается тем, что его применение не требует разрушения пробы. Метод позволяет определить почти все элементы за один прием и очень подходит для исследований поверхности, так как температура пробы во время анализа заметно не повышается. Однако точность анализа плохая. [24]
 |
Изготовление тонкопленочных элементов методом термовакуумного напыления через отделяемую маску.| Трехэлектродная установка катодного распыления. [25] |
Метод ионной бомбардировки позволяет получить пленки самых различных материалов: проводников, полупроводников, диэлектриков, тугоплавких металлов и многокомпонентных материалов. Этим методом можно также получать пленки, являющиеся соединениями распыляемого материала - с введенными под колпак газами. Эта разновидность метода катодного распыления называется реактивным катодным распылением. [26]
 |
Модель сингулярной ( а и вицинальной ( б поверхностей. [27] |
Метод ионной бомбардировки заключается в обработке поверхности ионным пучком инертного газа с энергией ионов в несколько сотен4 электрон-вольт. При такой обработке удаляются все поверхностные примеси и несколько верхних слоев решетки исходного вещества. Для отжига возникающих при бомбардировке дефектов и удаления атомов инертного газа производят последующий высокотемпературный нагрев образца. Это приводит в ряде случаев к таким же осложнениям, что и первый метод. [28]
При ионной бомбардировке достигается идеальная депассивация поверхности за счет удаления окисных пленок в процессе катодного распыления. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5