Ионная бомбардировка
Cтраница 3
 |
Структура поверхности металла после ионной обработки. [31] |
При ионной бомбардировке и распылении поверхности ионами с энергией ( 1 6 - 2 4) 10 - 19кДж наблюдается преимущественное травление границ зерен подложки и одновременно конденсация микрокапельной фазы. Капли металла, конденсирующиеся на начальной стадии процесса практически на холодную основу, имеют низкую прочность сцепления, так как их скорость невелика, а диффузионные процессы недостаточно эффективны. Вместе с тем формирование слоя на начальной стадии нанесения покрытий в значительной мере определяет свойства и структуру покрытия в целом. При дальнейшей ионной бомбардировке стимулируются диффузионные процессы как за счет температуры, так и вследствие импульса энергии ионной компоненты. В результате конденсированные на стадии ионной бомбардировки макрочастицы прочно сцепляются с основой и становятся центрами, кристаллизации для осаждающего потока частиц в режиме конденсации. На рис. 4.5 показана структура островка - йапли катодного материала, осажденной в режиме ионной бомбардировки. Из рисунка видно, что островок имеет мелкокристаллическую структуру, а зерна - неправильную форму, содержат большое число дефектов, что связано, очевидно, с высокой скоростью охлаждения и кристаллизации, диффузией и взаимодействием с материалом основы и частицами органических загрязнений, присутствующими на поверхности. [32]
При ионной бомбардировке мишени наряду с процессами распыления поверхности, иопно-ионний эмис-X сии, образования радиационных дефектов и др. лронс-X ходит проникновение ионов в глубь мишени. Движущиеся частицы в результате многократных столкновений постепенно теряют энергию, рассеиваются и в конечном итоге либо отражаются назад, либо останавливаются, распределяясь но глубине. [34]
 |
Распределение намагниченности и образование доменных границ в магнитноодноосной пленке, подвергнутой ионной имплантации. [35] |
При ионной бомбардировке поверхности магнитноодноосной пленки в слое А / г, примыкающем к этой поверхности ( рис. 15.37, а), возникают нарушения ( имплантации) кристаллической решетки в виде смещений атомов, которые стремятся вызвать локальное расширение решетки в области ионно-имплантированного ( ИИ) слоя. Так как ненарушенный слой кристаллической пленки удерживает значительно более тонкий приповерхностный слой от расширения в параллельных ей направлениях, ИИ-слой находится в состоянии плоскостного сжатия, которое в феррит-гранатах с отрицательной магнитострикцией вызывает появление плоскостной магнитной анизотропии. При этом направление намагниченности Js ИИ-слоя отклоняется от оси г на угол б, образуя составляющую J, лежащую в плоскости этого слоя, которая и определяет его свойства. Угол ср определяется направлением и величиной вектора Яу и изменяется при вращении Ну, причем в общем случае между векторами / и Ну существует сдвиг Дер. [36]
 |
Распределение намагниченности и. образование доменных границ в магнитноодноосной пленке, подвергнутой ионной имплантации. [37] |
При ионной бомбардировке поверхности магнитноодноосной пленки вслоеД / г, примыкающем к этой поверхности ( рис. 15.37, и), возникают нарушения ( имплантации) кристаллической решетки в виде смещений атомов, которые стремятся вызвать локальное расширение решетки в области ионно-имплантированного ( ИИ) слоя. Так как ненарушенный слой кристаллической пленки удерживает значительно более тонкий приповерхностный слой от расширения в параллельных ей направлениях, ИИ-слой находится в состоянии плоскостного сжатия, которое в феррит-гранатах с отрицательной магнитострикцией вызывает появление плоскостной магнитной анизотропии. При этом направление намагниченности J ИИ-слоя отклоняется от оси z на угол 0, образуя составляющую J, лежащую в плоскости этого слоя, которая и определяет его свойства. [38]
Распыление ионной бомбардировкой основано на прямом воздействии электрического поля на распыляемый материал. Этот метод называют также катодным из-за подключения распыляемой мишени к отрицательному катоду. [39]
 |
Тлеющий разряд и распределение потенциала напряжения в его областях. [40] |
Распыление ионной бомбардировкой основано на прямом воздействии электрического поля на распыляемый металл. Этот метод называют также катодным из-за подключения распыляемой мишени к отрицательному электроду. Ионная бомбардировка использует характерное для тлеющего разряда явление переноса частиц металла с отрицательного электрода ( катода) на помещенную в области разряда подложку. [41]
 |
Зависимость компонентов сеточного тока лампы от смещения на сетке. [42] |
Под действием ионной бомбардировки сетка и катод лампы могут напускать вторичные электроны. Вероятность этого процесса уменьшается при низкой температуре катода и малом анодном напряжении. [43]
В процессе ионной бомбардировки в материал вводятся чужие атомы, пик в распределении которых расположен за пиком повреждения, где концентрация внедренных атомов для потоков, эквивалентных 1023 н / см2, достигает нескольких атомарных процентов. Этот эффект не имеет последствий в случае облучения собственными ионами мишени, но возможно изменение в химическом составе, когда сорт падающих ионов отличается от сорта ионов мишени. Изменение химического состава в процессе ионного облучения наблюдается в сталях и вообще в сплавах. [44]
Использованные для ионной бомбардировки газы, удаляются насосом; при этом необходимо иметь в виду, что если для ионной бомбардировки были использованы только инертные газы, то они почти не адсорбируются электродами при ионной бомбардировке; водород же может оказаться сам поглощенным в некотором количестве; поэтому при откачке прибора после ионной бомбардировки необходимо подвергать электроды некоторому дополнительному прокаливанию, но уже в вакууме. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5