Ионная бомбардировка

Cтраница 4

Преимущество метода ионной бомбардировки заключается в том, что проба при этом мало нагревается. [46]

Спектры Оже-электронов от поверхности монокристалла ( 100 меди до и после нанесения слоев Аи.| Спектры Оже-электронов ( а для поверхности. [47]

Снятие слоев ионной бомбардировкой может быть использовано при анализе распределения элементов в области вещества, примыкающей к поверхности, или в тонких пленках. [48]

При травлении ионной бомбардировкой тяжелые частицы, например ионы аргона, бомбардируя поверхность пленки, распыляют с нее атомы. При низких давлениях газоразрядной плазмы, когда отсутствует диффузионное рассеяние ионов, они бомбардируют подложку перпендикулярно поверхности пленки, и эффект под-травливания не возникает. Поэтому точность формирования элементов ИС и разрешающая способность процесса фотолитографии сохраняются почти теми же, что были достигнуты при проявлении фоторезиста. В процессе ионного травления вместе с рабочим материалом пленки распыляются и атомы с поверхности защитного слоя фоторезиста. Поэтому фоторезистивная маска должна иметь толщину, которая бы обеспечивала надежную защиту рисунка ИС в течение всего процесса травления. Кромка, образующаяся в результате травления, должна быть как можно более вертикальной. Если же маска имеет скосы на кромках, контур травящего материала будет повторять эти скосы. [49]

Источники с ионной бомбардировкой имеют недостатки по сравнению с искровыми источниками, так как при их применении чувствительность к различным элементам изменяется в зависимости от состава пленок и параметров пучка. [50]

Вакуумная камера для нанесения ТОНКИХ ПЛеНОК ТерМИЧеСКИМ ИС. [51]

Способ распыления ионной бомбардировкой позволяет получить пленки тугоплавких материалов, сплавов, многокомпозиционных соединений и диэлектриков, имеющих хорошую адгезию к подложке. [52]

Вольт-амперная характеристика самостоятельного газового разряда. [53]

Недостатками распыления ионной бомбардировкой являются пониженная скорость осаждения пленки на подложку, повышенное содержание газа в осажденной пленке, невысокая четкость рисунка при использовании масок-трафаретов. [54]

В общем случае ионная бомбардировка может приводить к возникновению в ферритовой пленке механических напряжений, искажению решетки, изменению оптической проницаемости, показателя преломления и других параметров. Возможные изменения определяются дозой облучения и энергией внедренных ионов. [55]

Усиление умножителя при ионной бомбардировке будет зависеть от массы, заряда, энергии, химической природы, физических размеров бомбардирующих частиц, угла, под которым падающие частицы ударяют о поверхность, химического состава и физического состояния поверхности. Тщательная полировка поверхности также способствует улучшению вторичной эмиссии. Плох и Уол-чер [1608] установили, что число вторичных электронов, образуемое ионами различных изотопов, зависит только от скорости ионов. Поэтому для изотопных ионов, обладающих одинаковой энергией, число образующихся вторичных электронов обратно пропорционально корню квадратному из массы ионов. [56]

Устройство и принцип действия одноступеиного ФЭУ ( а и многоступенного ФЭУ ( б, ФЭУ с эмиттерами типа жалюзи ( в, ФЭУ с фокусирующими электродами ( г. [57]

Фотокатоды чувствительны к ионной бомбардировке, перегреву и легко окисляются. Кроме того, у них наблюдается утомляемость, которая проявляется в снижении чувствительности ( до 25 - 3Q % номинального значения) при длительном освещении. После затемнения ( отдыха) чувствительность фото катода почти полностью восстанавливается. [58]

Фотокатоды чувствительны к ионной бомбардировке, перегреву и легко окисляются. Кроме того, у них наблюдается утомляемость, которая проявляется в снижении чувствительности ( до 25 - 30 % номинального значения) при длительном освещении. После затемнения ( отдыха) чувствительность фотокатода почти полностью восстанавливается. [59]

Временная диаграмма с испытанием эмиттера из волокна 1 серии при постоянном повышении токоотбора. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5