Перенапряжение - кристаллизация - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Поддайся соблазну. А то он может не повториться. Законы Мерфи (еще...)

Перенапряжение - кристаллизация

Cтраница 1


Перенапряжение кристаллизации проявляется в чистом виде только тогда, когда все другие стадии, кроме кристаллизации, а именно, стадия перехода, диффузия и химические реакции в электролите при протекании тока, находятся в условиях, очень близких к термодинамическому равновесию.  [1]

2 Локальное распределение концентрации ад-атомов [ по ур. ( 2. 381 ] для двух параллельных ступеней роста, отстоящих друг от друга на расстоянии 2х0, после наложения перенапряжения т 40 мв для Я0 / а. 0 0 2 и различных моментов времени t ( за единицы приняты константы времени t l / D и 0 x / D. выход из ступени роста и вхождение в нее не замедленны. [2]

Перенапряжение кристаллизации возникает только при изменении концентрации ад-атомов.  [3]

Перенапряжение кристаллизации % совершенно не зависит от долей перенапряжений диффузии и реакции, так как речь идет об изменении концентрации ад-атомов в другой ( металлической) фазе. Поэтому остается обсудить только, насколько важна последовательность предельных переходов для однозначного определения.  [4]

Перенапряжение кристаллизации т ] к в общем нужно определять по остатку перенапряжения % г - ( т ] %), который получается после вычитания из измеренного перенапряжения ц перенапряжений перехода % и диффузии т ] д, если нет замедленных реакций.  [5]

Определим перенапряжение кристаллизации как перенапряжение, вызванное изменением активности ад-ионов под током относи тельно равновесной.  [6]

Если перенапряжение кристаллизации мало по сравнению с перенапряжением перехода, что, согласно предыдущему, отвечает минимальному пересыщению, необходимому для продолжения роста равновесных кристаллов, то на катоде выделяются крупнокристаллические осадки. Отсюда следует важный вывод о том, что высокое перенапряжение, обусловленное торможением разряда ионов, является недостаточным условием для образования мелкокристаллического осадка, так как решающее значение имеет соотношение скоростей электрохимического пересыщения и подачи ионов к фронту роста на начальной и последующих стадиях формирования кристалла.  [7]

Идентификация перенапряжения кристаллизации при посто-яннотоковых измерениях едва ли возможна. Однако постоянно-токовые измерения с электродами металл / ионы металла вообще мало интересны, поскольку из-за сильного изменения поверхности электрода во время длительных измерений результаты едва ли можно рассмотреть теоретически. Так как до сих пор при процессах кристаллизации предельная плотность тока еще не наблюдалась, то рассуждения о перенапряжении диффузии и реакции, приведенные в § 94 и 95, приложимы и к электродам металл / ионы металла с тем отличием, что наряду с этими перенапряжениями может существовать еще перенапряжение кристаллизации г) к, которое на величину % - f - т ] р не влияет.  [8]

Возникновение перенапряжения кристаллизации объясняется отклонением концентрации ад-атомов Сад от равновесной концентрации Сад.  [9]

Возникновение перенапряжения кристаллизации объясняется отклонением концентрации ад-атомов сад от равновесной концентрации сад.  [10]

11 Схематическое изображение процесса кристаллизации по теории Косселя и Странского. Различные положения атомов. [11]

Теория перенапряжения кристаллизации прежде всего должна основываться на закономерностях роста и растворения кристаллов. При анодном растворении и катодном осаждении металла ионы металла переходят из металла в электролит или обратно.  [12]

Здесь учтено только перенапряжение кристаллизации, которое в рассматриваемом частном случае подчиняется такой же зависимости плотность тока - напряжение, как и при перенапряжении перехода.  [13]

Так как свойства перенапряжения кристаллизации еще мало известны, то относительно определения т ] к можно сделать лишь несколько замечаний.  [14]

Следовательно, с повышением перенапряжения кристаллизации число двухмерных зародышей увеличивается, а зернистость электроосадков уменьшается.  [15]



Страницы:      1    2    3    4