Перенапряжение - кристаллизация - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Быть может, ваше единственное предназначение в жизни - быть живым предостережением всем остальным. Законы Мерфи (еще...)

Перенапряжение - кристаллизация

Cтраница 2


Частный случай фазового перенапряжения - перенапряжение кристаллизации - отвечает процессу электрокристаллизацйи при катодном осаждении металлов. Перенапряжение кристаллизации вызывается торможением в стадии вхождения ад-атома в кристаллическую решетку. Согласно Фольмеру, процесс электрокристаллизации идет в две стадии: возникновение центров кристаллизации ( кристаллических зародышей) и их рост. Центр кристаллизации - уплотнение атомов, вокруг которого начинается рост кристалла. Различают двухмерные ( толщиной в один атом) и трехмерные ( толщиной более одного атома) зародыши.  [16]

17 Кривая потенциал - время, измеренная после гальваностатического замыкания цепи на Ag в растворе 0 1 М AgClO4 0 9МНСЮ4 при 25 С и плотности анодного тока i 0 66жа - сл-2 ( г д0 1 мв ( по Геришеру 631. [17]

Геришер 631 очень подробно исследовал перенапряжение кристаллизации на серебре в 1 М растворе AgC104 НСЮ4 при низких значениях перенапряжения, применяя метод гальваностатического замыкания цепи. Из более ранних измерений Геришера и Тишера и из последующих контрольных измерений следует, что доля перенапряжения перехода в этом случае крайне мала.  [18]

Частный случай фазового перенапряжения - перенапряжение кристаллизации - отвечает процессу электрокристаллизации при катодном осаждении металлов. Перенапряжение кристаллизации вызывается торможением в стадии вхождения ад-атома в кристаллическую решетку. Согласно Фольмеру, процесс электрокристаллизацчи идет в две стадии: возникновение центров кристаллизации ( кристаллических зародышей) и их рост. Центр кристаллизации - уплотнение атомов, вокруг которого начинается рост кристалла. Различают двухмерные ( толщиной в один атом) и трехмерные ( толщиной более одного атома) зародыши.  [19]

Если наступает обеднение ад-атомами и возникает перенапряжение кристаллизации, то локальная плотность тока iu вблизи ступеней роста больше, чем на средних участках поверхности.  [20]

Из приведенных примеров следует, что перенапряжение кристаллизации может проявляться при осаждении металла как на инородную, так и на одноименную основу. Перенапряжение кристаллизации обычно невелико, и обнаружение явлений, связанных с образованием новой фазы, требует специальной постановки экспериментов.  [21]

22 Поляризационные кривые литиевого электрода второго рода. 207 ]. Растворитель - пропилен-карбонат.| Гальваностатические анодные кривые литиевого электрода в электролите состава 0 2 М ( C H9 NG1 0 9 M ( C4H9 4NG1O4 в пропиленкарбонате. Плотность тока. 1 - 5. 2 - 1. 5 - 10 ма / см3. [22]

Перенапряжение проходит через небольшой максимум, который связывается с перенапряжением кристаллизации, но затем при малых плотностях тока оно длительное время ( 50 мин) остается постоянным, а при повышенных плотностях тока более или менее быстро увеличивается.  [23]

Образование в ходе электродной реакции новой фазы может привести к появлению перенапряжения кристаллизации; например, оно может быть обусловлено медленным построением кристаллической решетки.  [24]

На работу, необходимую для образования кристалла, и, следовательно, на перенапряжение кристаллизации существенное влияние оказывает природа металла основы, причем решающим фактором является смачиваемость основы электролитом.  [25]

При выделении металлов может быть заторможена реакция кристаллизации, в результате чего возникает перенапряжение кристаллизации. Падение потенциала у электрода вследствие, например, образования слоя покрытия называют омической поляризацией.  [26]

При электрокристаллизации металла из расплавленной соли, как и при кристаллизации из растворов, возникает перенапряжение кристаллизации.  [27]

Для электродов металл / ион металла наряду с перенапряжениями перехода, диффузии и реакции может иметь место еще и перенапряжение кристаллизации, причиной которого является замедленность вхождения ад-атома в упорядоченную кристаллическую решетку твердого металлического электрода или выхода из нее.  [28]

29 Зависимость перенапряжения ( разделение на г ] п и т ] д после гальваностатического замыкания цепи при плотности катодного тока i - 5 ма-см-2 для электрода Cd / 0 05 M CdS04 1 5 н. K2S04 при 20s С от времени ( переходное время т я. 10 сек ( по Лоренцу614. [29]

По Геришеру и Тишеру617 618 и Мэлю и Бокрису, перенапряжение на твердом серебряном электроде состоит в основном из перенапряжений кристаллизации и диффузии, что следует из очень большой величины плотности тока обмена этой системы.  [30]



Страницы:      1    2    3    4