Перенос - дырка
Cтраница 1
Перенос дырок через пластинку, очевидно, не будет различным для обоих барьеров. Было установлено, что эта величина остается неизменной при изменении температуры от 15 до 60 С, концентрации КОН от 0 01 до 10 %, удельном сопротивлении материала электронной проводимости от 0 2 до 6 ом см, световых токах от 0 1 до 1 0 ма / см2 и для 0 1 N раствора сульфата индия. [1]
Коэффициент ап переноса дырок через базы, естественно, зависит от соотношения ширины базы и диффузионной длины. [2]
Аналогично протекают процессы переноса дырок. В дырочных полупроводниках холодный спай приобретает положительный потенциал по отношению к горячему. Очевидно, что наибольшую термоЭДС можно получить при комбинировании термоэлектродов из электронного и дырочного полупроводников. Эта термоЭДС достигает 1 мВ / К, что в десятки и сотни раз больше, чем в металлах. [3]
Совпадение значений подвижности при дисперсионном переносе дырок в пленках TP-a - Si: H [123] и PP-a - Si: H [124] свидетельствует о том, что процесс гидрогенизации a - Si не приводит к однозначному снижению плотности локализованных состояний вблизи потолка валентной зоны, а обусловливает существование сильных флуктуации концентрации водорода. Влияние таких флуктуации на свойства переноса в a - Si: H обсуждается в следующем разделе. [4]
Аналогичным способом описывается диффузионный процесс переноса дырок в квазинейтральной и - области. [6]
У, рП1 и РР2 - коэффициенты переноса дырок через базу п и электронов через базу р2, зависящие от эффективных толщин этих баз. [7]
Из известных авторам литературных источников следует, что перенос дырок в пленках TP-a - Si: H является всегда дисперсионным. [8]
Первый член правой части соотношения (3.20) описывает механизм переноса дырок под действием поля краевого эффекта, второй член определяет составляющую плотности дырочного тока, возникающую под действием так называемого самоиндуцированного дрейфа, а третий член - диффузионную составляющую плотности тока. [9]
Первое слагаемое правой части соотношения (3.36) описывает механизм переноса дырок под действием поля краевого эффекта, второе определяет составляющую плотности дырочного тока, возникающую под действием так называемого самоиндуцированного дрейфа, а третье - диффузионную составляющую плотности тока. [10]
 |
Подача рабочих смещений на транзисторы р-п - р и п-р - п.| Распределение токов в транзисторе р-п - р. [11] |
На составляющую коллекторного тока / кр, обусловленную переносом дырок от эмиттера, накладывается обратный ток коллекторного перехода / о, ибо этот переход смещен в обратном направлении. [12]
Влияние рекомбинации в базе на величину коллекторного тока учитывается коэффициентом переноса дырок ] 5 / к. [13]
Хорошее совпадение найденных и вычисленных данных подтверждает предложенный механизм влияния нафтацена на перенос дырок. [14]
Страницы: 1 2 3 4