Cтраница 4
В разделе 3.5.2 описаны, изготовление образцов мишени и экспериментальная установка. В разделе 3.5.3 обсуждены ограничения при измерениях, требования к образцам и явление фотопроводимости, наблюдаемой при использовании метода видикона. В разделе 3.5.4 представлены некоторые экспериментальные результаты, относящиеся к a - Si: H. Хотя привидиконном методе наблюдается преимущественно перенос дырок, в разделе 3.5.5 упоминается ряд подходов, рассматривающих перенос электронов. [46]
Коэффициент т ] часто называют коэффициентом п о - л я. Он определяет отношение времени пролета дырок за счет диффузии к времени пролета за счет дрейфа, а также отношение разности потенциалов, создаваемой дрейфовым полем, к температурному потенциалу. Коэффициент поля определяется только перепадом концентрации примеси в области базы транзистора. При TI 1 в большей части базы перенос дырок происходит за счет дрейфа в электрическом поле, градиент концентрации дырок близок к нулю ( dp / dx 0) и диффузионная составляющая потока дырок мала; градиент концентрации дырок возрастает лишь у коллекторного перехода, вследствие чего соотношение диффузионной и дрейфовой составляющих здесь резко увеличивается. [47]
При этом сумма аю сся) существенно превышает 1 и постоянная времени тя уменьшается. Типичные значения тн равны в этом случае нескольким десятым долям микросекунды. Приближенно постоянная времени тн в рассматриваемом случае зависит только от электрофизических параметров составного п-р - п транзистора. Это связано с тем, что составляющая коэффициента переноса дырок через базу Ль равная 1 / ( Ь 1), обусловлена дрейфом, а не диффузией дырок, и является практически безынерционной. [48]
В этом случае, когда уровни ионов активаторов лежат выше валентной зоны, дырка всплывает на эти ионы, вернее электроны с центра свечения рекомбинируют с дыркой. Вследствие этого в решетке появляются ионизованные центры свечения, а в зоне проводимости - электроны, перенесенные сюда ранее при возбуждении из валентной зоны. Дальнейший процесс идет по описанной выше схеме: электроны из полосы проводимости непосредственно или после нескольких промежуточных локализаций на ловушках рекомбинируют с возбужденными центрами и дают свечение. Таким образом четвертый вариант аналогичен второму варианту, усложненному переносом дырки на активатор. [49]
Симметрия молекулярной волновой функции для внешних электронов такова, что это взаимодействие близко к нулю, когда молекулы находятся в равновесии. Незначительные смещения молекул, такие, как колебания решетки, должны существенно увеличивать это взаимодействие. Следовательно, перенос электронов перпендикулярно плоскости спайности должен в некоторой степени ускоряться колебаниями решетки. Такого рода явления не должны наблюдаться при переносе электронов в плоскости спайности или при переносе дырок в любом направлении. Очевидно, из-за этого эффекта перенос электронов перпендикулярно плоскости спайности характеризуется относительно малым отрицательным температурным коэффициентом. [50]
Таким образом, в кристалле n - типа в проводимости участвует электронов больше, чем дырок. В таком кристалле электроны являются основными, а дырки - неосновными носителями. Подобным же образом в кристалле, содержащем акцепторы, например в кремнии, легированном бором, на каждый акцепторный атом в валентной зоне имеется по одной дырке. Поэтому в кристалле л-типа, где концентрация дырок превышает концентрацию электронов, проводимость обусловлена главным образом переносом дырок. Дырки в этом случае являются основными носителями, а электроны - неосновными. Во всех реальных кристаллах обычно имеются как доноры, так и акцепторы. [51]
Если основное состояние молекулярного кластера является орбитальным синглетом, то величина g указывает на вклад орбитально вырожденных возбужденных состояний в основное состояние кластера. Предварительные расчеты Фидоуна и Стивенса [8] показали, что сдвиг g - фактора для Зй5 - иона положителен, если спин-орбитальное взаимодействие примешивают к основному состоянию с возбужденным электроном. Эту идею Ватанабе распространил на случай Fe3 в соединениях AnBVI, его расчеты подтверждают присутствие элементарных процессов, связанных с переносом дырки через LS-взаимодействие от Fe3 к окружающим лигандам. [52]
Хотя мы рассмотрели некоторые из наиболее характерных, наиболее общих механизмов, которые приводят к изменению коэффициента усиления по току а при изменении тока ( или других параметров), наши рассуждения не были исчерпывающими. Существуют два механизма, которые в настоящее время, пожалуй, не являются важными, но которые должны приобрести большее значение в будущем. Первый из этих механизмов позволяет менять коэффициент инжекции благодаря тому, что до некоторой величины весь ток переносится туннельными основными носителями, после чего наступает переход к обычному механизму инжекции неосновных носителей. Эмиттер с двойной инжекцией состоит из р - i - n - структуры, в которой при высоких плотностях тока удлинение времени жизни создает возможность переноса дырок через i -область и инжекции в я-область. Подобное поведение до некоторой степени напоминает поведение обычного р-п-перехода, в котором действуют глубоко лежащие ре-комбинационно-генерационные центры. [53]