Перенос - дырка
Cтраница 2
Может так случиться, что наблюдение эффекта ПФ является просто случайным совпадением; перенос дырок в ПВК может быть описан как движение по набору ловушек с разной энергией [ см. разд. [16]
 |
Вольт-амперная характеристика ненасыщенной р-п-р-п структуры в открытом состоянии.| Зависимость коэффициента переноса дырок через базу i тиристора от тока. [17] |
Одной из причин медленного роста сн аа с ростом тока является зависимость коэффициента переноса дырок р через базу п от уровня инжекции в этой базе. [18]
Формула ( 4 - 95) учитывает пропорциональное уменьшение как дрейфовой, так и диффузионной составляющей скорости переноса дырок в базе. При очень больших концентрациях примесей дрейфовый транзистор может иметь более низкую граничную частоту, чем бездрейфовый. Поэтому в последних типах дрейфовых транзисторов уменьшают концентрацию примесей в базе на границе с эмиттером. Это одновременно увеличивает пробивное напряжение эмиттерного перехода. [19]
С ростом тока эмиттера коэффициент передачи тока базы вначале повышается вследствие увеличения напряженности внутреннего поля базы, ускоряющего перенос дырок через базу к коллектору и этим уменьшающего рекомбинационные потери на поверхности базы. [20]
Попутно заметим, что для области эмиттера из ( 1 - 57) можно сделать обратный вывод считать, что там имеет место дрейфовый механизм переноса дырок. [21]
В случае дырок температурная зависимость подвижности согласуется с зонной моделью во всех кристаллографических направлениях, т.е. дырки - Т - п, п 1, как видно из рис. 2.6.8. Появление максимума на кривой при низких температурах является результатом действия двух механизмов: в соответствии с зонным характером переноса дырки ее подвижность повышается при уменьшении температуры. [23]
При моделировании интегрального п-р-п-р - тран-зистора необходимо учесть его отличия от двухпереход-ного транзистора, заключающиеся в том, что ширину коллекторной области уже нельзя считать заметно превышающей диффузионную длину дырок в коллекторе; ток дырок, инжектированных из базы в коллектор, представляет собой две составляющие, одна из которых есть рекомбинационный ток, а другая - ток переноса дырок от базы к подложке. Очевидно, что анализ процессов в коллекторной области теперь должен быть проведен так же, как это делается для активной зоны базы с той лишь разницей, что распределение примесей в коллекторе обычно можно считать равномерным, поскольку коллекторная область представляет собой эпитаксиаль-ную пленку, выращенную на поверхности подложки. [24]
По мере роста анодного тока уровень инжекции в слаболегированной базе п повышается. Коэффициент переноса дырок через эту базу увеличивается. [26]
Она является основой количественного описания закономерностей переноса заряда, плотностей состояний, эффективных масс носителей как в хорошо проводящих материалах типа металлов, так и в полупроводниках с высокой подвижностью носителей и в изоляторах типа ионных кристаллов, таких, как галогениды щелочных металлов. Так, в случае антрацена и нафталина перенос дырок имеет зонный характер для всех кристаллографических направлений даже при комнатной температуре. Перенос электронов в направлениях осей я и b обнаруживает зоноподобную температурную зависимость, однако в направлении с подвижность не зависит от температуры при Т 100 К и не может быть описана в рамках традиционных моделей зонного или прыжкового переносов. [27]
Область проводимости типа п характеризуется тем, что прохождение тока здесь происходит за счет переноса отрицательно заряженных электронов, избыточное количество которых создается путем ввода в монокристалл полупроводника до-норных примесей, например сурьмы, мышьяка, фосфора. В области проводимости типа р прохождение тока обусловлено переносом положительно заряженных дырок ( дырка - это атом, у которого не хватает одного электрона и который, следовательно, обладает положительным зарядом, по абсолютной величине равным заряду электрона), дырки получаются путем введения в монокристалл полупроводника акцепторных примесей, например индия, бора, алюминия. [28]
 |
Эквивалентная схема ОЭ для постоянных составляющих. [29] |
Второй тип пробоя в схеме ОЭ является еще более специфичным и носит название эффекта смыкания. При этом согласно ( 4 - 18) коэффициент переноса дырок делается равным единице. Соответственно резко возрастает коэффициент f, и практически имеет место пробой транзистора. [30]
Страницы: 1 2 3 4