Перенос - дырка
Cтраница 3
С увеличением UKc коллекторный переход расширяется и уменьшается толщина базы, так как ширина / - п - 1перехода растет за счет более высокоомной ( с меньшим количеством примесей) базовой области полупроводника. Уменьшение толщины базы снижает число рекомбинаций дырок при диффузии их через базу и увеличивает коэффициент переноса дырок ( 5 [ см. формулу (4.2) ] и ток коллектора / к. Эффект модуляции ширины базы ( называемый также эффектом Эрли) приводит к зависимости тока / к от напряжения на транзисторе и тем самым обусловливает конечное сопротивление коллекторного перехода. [31]
В нелегированных пленках a - Si: H и-типа ( рис. 2.4.8, в) ( в областях сеток чистого a - Si) электроны двигаются более свободно и менее подвержены захвату ловушками, что проявляется в недисперсионном характере электронного переноса и в высокой подвижности носителей заряда. Дырки же, претерпевая со стороны ловушек частый захват, оказываются локализованными в сильно разупорядоченных областях Si: H аморфного полупроводника, что проявляется в диспер-сионности переноса дырок. Как было показано выше, этот случай реализуется в пленках обоих типов: TP-a - Si: H и PP-a - Si: H. [33]
Этот эффект представляет собой, собственно говоря, комбинацию делокализации с внутренним обменом. Следует упомянуть, что совершенно аналогичный случай мы имеем, когда одна из орбит целиком заполнена, а вторая является магнитной, поскольку тогда речь идет о переносе дырки и ее эффективном обмене с какой-либо магнитной орбитой ( фиг. [34]
Они обладают значительной фоточувствительностью, так как являются по сути дела многослойными фототранзисторами. Эффективный квантовый выход фотопроводимости супермногослойных структур должен быть около ( Рр Р) / ( 1 - рР - Рп), где Рр и рп - коэффициенты переноса дырок и электронов, инжектированных из смещенного в пропускном направлении отдельно взятого р-л-элемента с учетом эффективности инжекции. Поскольку эти величины немногим отличаются от единицы, видно, что фоточувствительность таких многослойных структур может быть очень высока. [35]
Предположим, что к одному из электродов ( истоку или приемнику) приложено напряжение записи более отрицательное, чем напряжение хранения, приложенное к другому электроду. В этом случае под первым электродом возникает более глубокая потенциальная яма, а в области, разделяющей потенциальные ямы, созда-ется электрическое поле, параллельное поверхности полупроводника. Это приводит к переносу дырок в более глубокую потенциальную яму, который осуществляется как за счет дрейфа под действием поля, так и за счет диффузии под действием градиента концентрации. [36]
Предположим, что к одному из электродов ( истоку или приемнику) приложено напряжение записи более отрицательное, чем напряжение хранения, приложенное к другому электроду. В этом случае под первым электродом возникает более глубокая потенциальная яма, а в области, разделяющей потенциальные ямы, создается электрическое поле, параллельное поверхности подложки. Это приводит к процессу переноса дырок в более глубокую потенциальную яму, который осуществляется как за счет дрейфа под действием поля, так и за счет диффузии под действием градиента концентрации неосновных дырок. Процесс переноса дырок представляет собой второй характерный режим работы ПЗС, называемый режимом передачи информационного сигнала. [37]
При описании движения носителей заряда в твердых телах обычно выделяют два предельных случая. В одном случае движение носителя рассматривается как распространение делокализованной плоской волны в широкой зоне проводимости; ему соответствует относительно большая средняя длина свободного пробега. Примером такого рода перемещения может служить перенос дырок в германии, у которого ширина валентной зоны равна - 3 эВ, время рассеяния т тц / е Ю-3 с, а средняя длина свободного пробега при Т 300 К составляет 1000 А, т.е. весьма велика по сравнению с межатомным расстоянием 2 45 А. В другом предельном случае носитель сильно локализован и перемещается путем перескоков от узла к узлу решетки, причем на каждом перескоке происходит рассеяние. Каждый вид переноса характеризуется своим значением подвижности и ее температурной зависимостью. [38]
Второй тип пробоя в схеме ОЭ является еще более специфичным и носит название эффекта смыкания. В основе этого эффекта лежит расширение коллекторного перехода при увеличении напряжения V к. При этом согласно ( 4 - 18) коэффициент переноса дырок делается равным единице. Соответственно резко возрастает величина р и практически имеет место пробой транзистора. [39]
Обозначение зона, однако, применяется для более высокоэнергетических проводящих состояний в силу более сильной делокализации при этих энергиях ( разд. Как и в случае неорганических полупроводников, положительный ион в молекулярных кристаллах называется дыркой, ибо он представляет собой электронную вакансию. Более глубокие валентные уровни сильно локализованы и не могут служить в качестве зон для переноса дырок. [40]
При очень малых прямых токах эмиттера, как хи, так и ос оказываются много меньшими единицы. Поэтому в данном случае большинство дырок реком-бинирует с электронами, и слабый ток эмиттера почти целиком замыкается через базу, не достигая коллекторного перехода. Для случаев / Э2 и / эз ( кривые 2 и 3 на рис. 4.2, в) создаются оптимальные условия для переноса дырок через базу. При очень больших токах эмиттера в базе накапливается очень большой заряд, образованный дырками, который притягивает ( через цепь базы) и удерживает в базе такой же по величине отрицательный заряд, образуемый электронами проводимости. Поэтому, несмотря на возросшую скорость дырок, двигающихся к коллектору, вероятность их рекомбинации с электронами значительно увеличивается. [41]
Таким образом, в области высоких частот или при работе с импульсными сигналами период колебаний или же время нарастания и спада импульсного напряжения ( длительность фронтов импульса) могут быть весьма малы, так что их величины будут соизмеримы с временем протекания физических процессов в транзисторе. В этих условиях появляются фазовые сдвиги между напряжениями и токами в приборе, характеристические проводимости транзистора становятся комплексными величинами, изменяются по величине другие параметры прибора и, что особенно важно, коэффициент передачи тока. Уменьшение с ростом частоты коэффициента передачи тока а обусловлено в основном уменьшением двух его компонентов: коэффициента инжекции у и коэффициента ап переноса дырок через базу. [42]
Так как некоторые из сенсибилизаторов в твердой фазе не обнаруживали фотоэлектрической чувствительности в наших установках, мы предполагаем механизм сенсибилизации, при котором фотовозбужденная молекула красителя передает свою энергию носителям заряда, находящимся на локальных центрах в структуре полимера. Данные ЭПР и значительное влияние паров и газов на фотоэффект показывают, что эти центры локализованы на поверхности. По-видимому, возбужденная молекула красителя передает свою энергию электронам в заполненной зоне или на уровнях, близких к ней, возбуждает их в лежащие выше вакантные ловушки, сен-сибилизуя, таким образом, перенос дырок в заполненной зоне. [43]
Предположим, что к одному из электродов ( истоку или приемнику) приложено напряжение записи более отрицательное, чем напряжение хранения, приложенное к другому электроду. В этом случае под первым электродом возникает более глубокая потенциальная яма, а в области, разделяющей потенциальные ямы, создается электрическое поле, параллельное поверхности подложки. Это приводит к процессу переноса дырок в более глубокую потенциальную яму, который осуществляется как за счет дрейфа под действием поля, так и за счет диффузии под действием градиента концентрации неосновных дырок. Процесс переноса дырок представляет собой второй характерный режим работы ПЗС, называемый режимом передачи информационного сигнала. [44]
Страницы: 1 2 3 4