Перенос - носитель
Cтраница 1
 |
Различные виды плотности состояний, которые, как предполагается, могут осуществляться в аморфных полупроводниках ( области, соответствующие локализованным состояниям, заштрихованы. [1] |
Перенос носителей между делокализованны-ми состояниями в зоне проводимости ( Е JEC) и в валентной зоне ( Е Еу, рис. 15.18); наличие таких состояний обусловлено ближним порядком в расположении атомов вещества. [2]
Перенос носителей связан с выделением тепла как в объеме эмиттера, коллектора и базы, так и на самих переходах. [3]
Перенос носителей на этих участках возможен лишь с помощью сил не электростатического происхождения. [4]
 |
Зависимость стохастического ( вероятностного множителя от температуры ( экстраполяция прямой дает значение Тс 524 К. [5] |
Исследования переноса носителей в a - Si: Н позволили предположить, что переходный ( нестационарный) фототок можно рассматривать в рамках модели многократного захвата, описывающей диссипативный перенос [119, 130, 131] л Анализ ограниченного пространственным зарядом тока дал возможность по-иному подойти к этому вопросу. Как показано в разделе 3.5.3, в выражение для плотности тока в области, ограниченной пространственным зарядом, входит дисперсионный параметр а. Температурная зависимость ограниченного пространственным зарядом тока позволяет извлечь информацию относительно мелких ловушек. [6]
Процесс переноса носителей в этот временной интервал является близким к диффузионному с примерно линейным распределением заряда в обеих базах. [7]
Процессы переноса носителей в сверхрешетках контролируются отчасти теми же механизмами, которые ограничивают подвижность электронов в инверсионных слоях иа кремнии. [8]
Изменением условий переноса носителей в значительной мере обусловлены различия в полупроводниковых характеристиках веществ, полученных в виде возогнанных слоев, монокристаллов или поликристаллических образцов. [9]
По характеру переноса носителей тока в базе транзисторы принято разделять на бездрейфовые и дрейфовые. [10]
Благодаря большим длинам переноса фотоиндуцированных носителей ( цт ж 1.5 - 1Q - 4 см2 - В-1 в GaAs: Cr и InP: Fe [10.294]) и достаточно большой величине nV41 / e ( табл. 10.7) в полупроводниковых кристаллах следует ожидать рекордно высоких скоростей голографической записи и чувствительности. [11]
 |
Идеализированная модель несимметричного сплавного плоскостного транзистора. [12] |
Если предположить, что перенос носителей в области базы происходит только в одном направлении ( вдоль оси х), то всю область базы, лежащую против коллектора, можно разбить на два участка. [13]
Толщину базового слоя, где перенос носителей тока происходит диффузионным путем, удается сделать не на много меньшей, чем у сплавных триодов. [14]
Если значения коэффициентов инжекции и переноса носителей велики, то коэффициент передачи тока стремится к единице. Такой транзистор обеспечивает удовлетворительное усиление по мощности. [15]
Страницы: 1 2 3 4