Перенос - носитель
Cтраница 3
Наиболее существенное влияние на характеристики прибора оказывают процессы накопления и переноса носителей в области базы, а. Процессы накопления и переноса носителей в области эмиттера и коллектора можно моделировать аналогично процессам в базе. При этом модели с параметрами, определяемыми соответствующими областями транзистора, включаются последовательно или параллельно с моделью активной области базы. Объемные сопротивления эмиттера, коллектора и базы, а также емсости электронно-дырочных переходов обычно рассматриваются как элементы, внешние по отношению к собственно транзистору. Их влияние в различных моделях может учитываться практически одинаково. Она же определяет простоту и точность полученных результатов. [31]
Для того чтобы это случилось, необходимо как минимум, чтобы перенос носителей был недисперсионным. Как следует из приведенного, этому условию удовлетворяют комнатные температуры. Из данных рис. 2.4.4 следует, что даже при низких температурах, где в слабых полях перенос является дисперсионным, при повышении напряженности электрического поля характер переноса может стать недисперсионным. [32]
ПВК эффекта Пула - Френкеля является просто случайным совпадением, и перенос носителей в этом полимере может быть описан с помощью их движения по ловушкам разной глубины ( см. разд. [34]
Такое кажущееся изменение коэффициента диффузии объясняется влиянием электрического поля на процесс переноса носителей. [35]
 |
Схема цезиевого ТЭП. [36] |
Классификация ТЭП отражает варианты реализации МЭЗ и электродов, а также механизмы переноса носителей тока через МЭЗ. [37]
 |
Схемы включения диода в фотодиодном ( а и фотовентильном ( б режимах. [38] |
При обратном смещении процесс переноса генерированных светом носителей заряда не отличается от переноса равновесных носителей в n - базе. [39]
 |
Многоэмиттерный транзистор. [40] |
Непосредственная связь между эмиттерами через боковые стенки в реальных транзисторах практически отсутствует, поэтому перенос носителей между эмиттерами в схеме ( рис. 9, б) не учитывается. Эта схема получается из схемы рис. 9, б при допущении одинаковости падения напряжения на всем протяжении коллекторного перехода. Различия между моделями, соответствующими схемам ( рис. 9, б и рис. 10), заключаются в неодинаковости представления объемных сопротивлений и в неодинаковости параметров коллекторного перехода. С 2, / г2, связаны только с секциями активных зон базы, а в схеме рис. 10 параметры, определяющие - / к. Ск, If, связаны с активными и пассивными зонами базы. [41]
В узкой проводящей области вблизи стока плотность тока и электрическое поле велики; явления переноса носителей подобны инжекции носителей эмиттером биполярного транзистора в обедненную область обратносмещенного коллекторного перехода. [42]
Для оценки влияния рекомбинации носителей заряда в базе на усилительные свойства транзистора используется коэффициент переноса носителей в базе, который показывает, какая часть инжектированных эмиттером дырок достигает коллекторного перехода. [43]
Теперь попытаемся определить те условия, при которых имеет место в основном диффузионный механизм переноса носителей в областях вне переходов. [44]
 |
Схема возникновения некоторых кинетических эффек. [45] |
Страницы: 1 2 3 4