Перенос - носитель
Cтраница 2
В работах по изучению механизма переноса носителей тока в других органических полупроводниках наряду с закономерностями, впервые установленными при изучении антрацена, обнаружены и другие. Время жизни дырок в пи-рене превышает время жизни электронов, подвижности носителей равны и составляют 0 75 см2 / в сек в направлении, параллельном плоскости а - b моноклинного кристалла. Из этого следует, что механизм подвижности в монокристаллах пирена тот же, что и в антрацене. [16]
Инерционность реального транзистора зависит от времени переноса носителей в его базе и от емкостей р - n - переходов. Инерционность схемы определяется ее паразитными емкостями. Для увеличения быстродействия транзисторных ключей необходимо использовать специальные транзисторы. В дальнейшем для простоты изложения работы импульсных схем с транзисторными ключами мы будем пренебрегать инерционностью процесса переноса электронов в базе транзистора и учитывать лишь емкости, не разделяя их на паразитные и емкости транзистора. [17]
По характеру электрических процессов ( явлений переноса носителей) органические полупроводники могут быть разбиты на три больших класса. [18]
В модели транзистора, рассмотренной выше, перенос носителей через базовую область осуществляется посредством диффузии. При этом быстродействие прибора определяется временем пролета дырок через базовую область, которое зависит от ширины базовой области и коэффициента диффузии. [19]
Наиболее изученной является поляризация, связанная с замедленным переносом носителей разряда через двойной слой. Современная теория замедленного разряда хотя и не является безупречной, но позволяет дать определенные количественные соотношения для случая совместного действия нескольких видов поляризации и выявить конкретные условия, в которых поляризационные кривые принимают простую форму. [20]
На участке характеристики, где действует туннельный механизм переноса носителей тока ( вся область отрицательных напряжений и начальный участок положительных напряжений, приложенных к диоду), сопротивление диода мало. С повышением положительного напряжения ток диода, достигнув значения / a max, начинает уменьшаться, а затем вновь монотонно возрастает. [21]
В особых случаях теплопроводности, когда длина пути переноса носителей энергии в среде соизмерима или даже больше размеров тела, формула ( 3 18) не удовлетворяет математическому описанию процесса теплопроводности и для этого требуются иные, более сложные теоретические предпосылки. Однако даже и в этих особых случаях распространения тепла приближенно все же удается применять формулу ( 3 18) для описания теплопроводности тела. [22]
Это происходит отчасти из-за приближенного решения задачи о переносе носителей через базу при помощи одномерного уравнения непрерывности, а в еще большей мере из-за ряда дополнительных процессов, не учитываемых рассмотренными моделями. [23]
Здесь тат; - 77 - постоянная времени коэффициента переноса носителей; гздт - т п - CTTJ - собственное время задержки выходного импульса тока. [24]
 |
Концентрация неосновных носителей в области базы в зависимости от уровня инжекции. [25] |
При / 0 наклон кривой всюду постоянен и механизм переноса носителей чисто диффузионный. Постоянный наклон кривой по всей области означает отсутствие рекомбинации в области базы или, что эквивалентно, бесконечно большую величину времени жизни носителей. Последнее было без доказательства предположено при анализе, проводимом в этом разделе. Это допущение не является грубым, так как для транзисторов с неоднородной областью базы время пролета носителей через область базы много меньше, чем для диффузионных транзисторов. [26]
 |
Структурные схемы транзисторов. [27] |
Если в базовой области транзистора концентрация примесей постоянна, то перенос носителей через нее осуществляется путем диффузии. [28]
При высокой концентрации примеси iVD ( 5s 1019 см-3) перенос носителей через потенциальный барьер осуществляется туннелированием. [29]
С увеличением тока сопротивление эмиттера падает и определяющим процессом становится перенос носителей через базу. [30]
Страницы: 1 2 3 4