Перенос - носитель
Cтраница 4
Во всех случаях воздействия на полупроводник какой-либо силой F - t в кристалле возникают явления переноса носителей, чаще называемые кинетическими явлениями. Коэффициенты 0, а, к, R и другие в выражениях типа (4.1) - (4.4) называют кинетическими коэффициентами. [46]
Пролета носителей через базу тгС % э, так что рекомбинацией в базе пренебрегаем, а перенос носителей считаем только дрейфовым. [47]
Чтобы сохранить все положительные свойства полевого транзистора, необходимо исключить любую возможность начала работы биполярного механизма переноса носителей. По этой причине в базовой ячейке мощного МДП-транзистора всегда подключают части р-области к металлизированному контакту истока. Со схемотехнической точки зрения это эквивалентно закорачиванию эмиттерного перехода паразитного n - p - л-транзистора. [48]
Кроме указанных емкостей С и Ск в транзисторах действует еще так называемая диффузионная емкость, обусловленная характером переноса носителей. Поступающие I из эмиттера в базу дырки ( в транзисторе типа р - - га - р) диффундируют. Под действием переменного напряжения иг величина и знак этого зфяда меняются так, как будто между эмиттером и базой включена некоторая емкость. Эта емкость называется диффузионной и может составлять 10 - fl2 пф. [49]
Объяснение всех наблюдавшихся результатов, согласно [171], состоит в неприменимости теории линейного отклика к задачам о переносе носителей в широком классе одномерных систем. Предложена модель, которая подходит для использования в случае веществ типа ПДА - ТС с присущей им низкой концентрацией кристаллических дефектов. [50]
 |
Зависимость изменения сопротивления от одноосного растяжения для волокна полиакрило-нитрила, подвергнутого термическому превращению. [51] |
Сам по себе факт возрастания проводимости при всестороннем сжатии не дает оснований отдать предпочтение туннельному или активационному механизму переноса носителей, поскольку этого эффекта следует ожидать в обоих случаях. Однако то обстоятельство, что повышение давления сопровождается снижением энергии активации, заставляет считать, что в общем механизме проводимости полимеров с сильно развитой системой сопряжения перенос носителей является активационным процессом, так как вероятность туннельного перехода от температуры не зависит. [52]
Рассмотрение этих процессов целесообразно начать с анализа идеализированной модели несимметричного сплавного транзистора, которая учитывает только диффузионный характер переноса носителей в области базы и не учитывает влияния объемных сопротивлений материала полупроводника, процессов рекомбинации - генерации носителей в слое объемного заряда, зарядных емкостей p - n - переходов и других факторов. [53]
 |
Схема включения спесистора-триода. [54] |
Спесистор, как и канальный триод, также относится к приборам, в которых используется внешнее напряжение для переноса носителей тока. [55]
В нескольких последующих главах мы увидим, что основным процессом ( наряду с дрейфом за счет электрического поля) переноса носителей в диодах и транзисторах является диффузия. Диффузия является одним из основных физических явлений. [56]
Возникающие ионные пары образуют цепи ионо-экситонного типа / R-R / / R-R /, в которых вследствие сильного взаимодействия облегчается перенос носителей. [57]
Во множителе перед экспонентой в отличие от формулы (1.9) имеется коэффициент 2, который отражает влияние электрического поля на процесс переноса носителей. Это связано с тем, что при высоком уровне инжекции концентрация как неосновных, так и основных носителей определяется числом инжектированных носителей и не зависит от содержания примесей в полупроводнике. [58]
Заметим, что смещение носителей зарядов ( электронов и дырок) не нарушает структуры вещества, так как в этом случае перенос носителей не связан с изменением химической структуры вещества. [59]
Вторая глава посвящена анализу переходных процессов в транзисторе, работающем в схеме модулятора, который проводится с учетом как диффузионного характера переноса носителей в области базы, так и процессов в обедненном слое p - n - переходов транзистора. На основании этого анализа составляются эквивалентные схемы, учитывающие влияние переходных процессов при переключении транзистора на параметры транзисторных ключей, и устанавливается зависимость параметров этих схем от условий работы транзистора в схеме модулятора. [60]
Страницы: 1 2 3 4