Перенос - носитель - заряд
Cтраница 1
 |
Схема неравновесных энергетических состояний в полупроводнике и физический механизм образования электронно-дырочной жидкости. [1] |
Перенос носителей заряда, возбужденных электронной бомбардировкой, определяется в значит, мере теми же свойствами полупроводников и диэлектриков, а также контактов, что и в случае фотопроводимости. Эффективность процесса переноса ограничивается, в частности, захватом носителей на локальные центры и рекомбинацией. [2]
Перенос носителей заряда в точечно-контактных триодах, как было показано Шай-вом [24], является объемным процессом. В связи с этим целесообразно рассмотреть подробнее объемные свойства полупроводника в области, лежащей непосредственно под коллекторным контактом ( фиг. [3]
Поэтому перенос носителей заряда через потенциальный барьер p - n - перехода осуществляется с помощью туннельного эффекта. [4]
 |
Одномерная модель п-р - п ВЧ транзистора ( а и потока электронов в ней ( б. [5] |
Процесс переноса носителей заряда от эмиттера к коллектору на эквивалентной схеме отображается с помощью генератора тока гг. н, включенного параллельно коллекторному переходу. При инверсном включении имеет место обратная картина: коллектор инжектирует неосновные носители заряда в области базы, которые затем собираются эмиттером. [6]
Процесс переноса носителей заряда в гетеропереходах связан в основном с явлениями, происходящими в области границы раздела, что является существенным различием гомо - и гетеропереходов. Протекание тока в обедненном слое может быть вызвано рекомбинацией носителей, их туннелированием или туннелированием через энергетические уровни вблизи границы раздела в сочетании с рекомбинацией. Теоретический анализ перехода усложняется из-за наличия разрывов зоны проводимости и валентной зоны, а также вследствие возможности образования поверхностных диполей. Кроме того, наличие на границе раздела электрически заряженных состояний приводит к дополнительному искажению формы энергетических зон в области перехода. Теория кинетических явлений в гетеропереходах разработана менее глубоко, чем теория гомопереходов. [7]
 |
Концентрации легирующих примесей и распределение приложенного напряжения в гетеропереходах. [8] |
Процесс переноса носителей заряда через границу раздела гетероперехода был рассмотрен и более подробно [ Wu, Yang, 1979 ] с учетом квантовомеханического отражения носителей с энергией, превосходящей высоту барьера, и различия их эффективных масс в полупроводниках, образующих гетеропереход. [9]
Механизм переноса носителей заряда в СПС рассматривается, как правило, с двух позиций: физической [422, 12] и химической [55, 9, 49], которые дополняют одна другую. [10]
Явление переноса носителей зарядов ( в данном случае электронов) из канала через обедненную область в сток подобно переходу зарядов из базы в коллектор биполярного транзистора через обратно смещенный р-и-переход. [11]
Показано, что перенос носителей заряда в a - Si: H носит дисперсионный характер. Исключение составляет электронный перенос в пленках TP-a - Si: H и в пленках, полученных с тщательным соблюдением условий реактивного распыления. При температурах выше комнатной теория, основанная на предположении об экспоненциальном спаде хвостов плотности состояний и энергетически независимом сечении захвата, согласуется с экспериментальными данными плохо. [12]
 |
Устройство дрейфовых транзисторов. диффузионный транзи. [13] |
В дрейфовых транзисторах перенос носителей заряда через базу осуществляется под действием ускоряющего электрического поля, которое создается за счет неравномерного распределения концентрации примесных атомов. От бездрейфовых транзисторов они отличаются также меньшей величиной поперечного сопротивления базы ГБ ( из-за увеличения концентрации основных носителей заряда около эмиттера) и большей шириной коллекторного перехода ( из-за уменьшения концентрации основных носителей заряда около коллектора), вследствие чего снижается емкость коллекторного перехода Сак и возрастает пробивное напряжение коллектора. [14]
Страницы: 1 2 3 4 5