Перенос - носитель - заряд
Cтраница 2
Для описания процесса переноса носителей заряда в аморфных полупроводниках предложено несколько моделей зонной структуры. Общая для всех моделей посылка состоит в том, что в хвостах энергетических зон существуют локализованные состояния. Их появление связано с пространственными флук-туациями потенциала, обусловленными отсутствием упорядоченной структуры у аморфных материалов. [16]
В последние несколько лет перенос носителей заряда в вандерваальсовых молекулярных кристаллах, таких, как антрацен и нафталин, был предметом интенсивных исследований. Зонная теория оказалась неспособной объяснить подвижность электронов вдоль направления с кристаллов антрацена и нафталина ( см. разд. [18]
Поляризация, вызванная замедленностью переноса носителя заряда ( электрона или иона) через двойной электрический слой, названа поляризацией ( или перенапряжением) разряда. Этот вид поляризации называют также электрохимической поляризацией. [19]
Приближенный анализ рекомбинационно-генерационного процесса переноса носителей заряда в обедненном слое основан на предположении о том, что в этом слое положение квазиуровней Ферми не меняется. [20]
В солнечных элементах процесс переноса носителей заряда в большей или меньшей степени зависит также от ряда других факторов, таких, например, как последовательное и шунтирующее сопротивления, изменение механизма переноса при высоких прямых напряжениях смещения, распределение концентрации легирующей примеси ( введенной диффузионным способом) и краевых эффектов. [21]
Основным и преобладающим механизмом переноса носителей заряда в структурах с барьером Шоттки является термоэлектронная эмиссия. [22]
В генераторах СВЧ-колебаний с междолинным переносом носителей заряда используется эффект Ганна. Он заключается в возникновении сверхвысокочастотных электромагнитных колебаний в однородном кристалле полупроводника под воздействием постоянного электрического поля с напряженностью, превышающей некоторое критическое значение. Наиболее полно генерация изучена в GaAs и 1пР, на основе которых изготовлены активные элементы, работающие как в резонансно пролетном режиме, так и в режиме ограничения накопления объемного заряда. [23]
Этим достигается резкое уменьшение коэффициента переноса носителей заряда через базу паразитного транзистора, который становится практически равным нулю. [24]
ЛЗ на КЛП основаны на использовании переноса носителей заряда при переключении базовых элементов. [25]
Этот вид поляризации вызывается замедленностью стадии переноса носителя заряда через электрический двойной слой. [26]
Среди множества явлений, связанных с переносом носителей заряда, гальваномагнитные явления зарекомендовали себя как наиболее ценные для определения параметров пэлупроводников. К гальваномагнитным явлениям относятся эффект Холла и магниторезистивный эффект, возникающие при совместном действии на полупроводник электрического и магнитного полей. [27]
Механизмы рассеяния играют существенную роль при переносе носителей заряда. Поэтому, изучая движение носителей во внешних полях, необходимо учитывать при данных температурах преобладающий механизм рассеяния. Разобранные выше теоретические модели механизмов рассеяния хорошо согласуются с экспериментальными данными: при высоких температурах основную роль играет рассеяние на фононах, при низких - рассеяние на ионах примеси. [29]
 |
Зависимость тока / Макс германиевого ТД от температуры при различных концентрациях носителей. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5