Перенос - носитель - заряд
Cтраница 3
Область вольт-амперной характеристики, обусловленная туннельным механизмом переноса носителей заряда, зависит от температуры в меньшей степени. Влияние температуры на ток / макс зависит от концентрации примеси. [31]
В дальнейшем будет более подробно рассмотрен процесс переноса носителей заряда при наличии электрического поля, в условиях высокого уровня инжекции и при нарушении принципа суперпозиции, а также будут обсуждаться граничные условия. [32]
Значительные краевые токи могут повлиять на процесс переноса носителей заряда, разделяемых барьером Шоттки. В приборах с барьером Шоттки данные эффекты таким же образом воздействуют на J0 и диодный коэффициент А, как и в гетеропереходах. [33]
Фотопотенциал на электроде-носителе слоя появлялся в результате переноса носителей заряда от границы раздела электролит - слой через слой пигмента к электроду. Методами измерения диффузионной фотоэлектродвижущей силы ( фотоэдс) и фотопроводимости было непосредственно доказано рождение носителей заряда и их миграция в слоях хлорофилла и его аналогов. [34]
Из-за слабости межмолекулярных взаимодействий в вандерваальсовых кристаллах интегралы переноса носителей заряда между ближайшими соседями, величина которых порядка 10 - 2 эВ [127, 245], сравнимы с уширением зоны проводимости, обусловленным динамическим беспорядком, и сильный динамический беспорядок стремится локализовать носители заряда. [35]
Несмотря на множество работ, посвященных исследованию механизма переноса носителей заряда в ароматических кристаллах, природа движения зарядов в этих веществах остается недостаточно изученной. Редко удается определить области применимости моделей зонной структуры и прыжковой проводимости. [36]
Описание процесса протекания тока усложняется еще тем, что перенос носителей заряда в квазинейтральной области, допустим, р-типа проводимости определяется также и диффузией дырок по направлению к обедненному спою. Вследствие этого эффективная диффузионная длина носителей Ln или Lp зависит от координаты. Такие плотности тока могут быть достигнуты в солнечных элементах, работающих при концентрированном световом потоке. В условиях сильной освещенности становится существенным влияние сопротивления объема квазинейтральных областей и даже обедненного слоя на ток, значение которого под действием этих эффектов уменьшается при большом напряжении смещения. Когда перенос носителей заряда определяется в основном процессами, происходящими в квазинейтральных областях, ни одна из частей вольт-амперной характеристики не претерпевает существенных изменений, если только в структуру элемента не входят сверхтонкие диффузионные слои. При рекомбинационно-гене-рационном механизме протекания тока получаются несколько иные результаты, причем вольт-амперная характеристика изменяется наиболее значительно в области обратных напряжений смещения. [37]
Туннельным называется полупроводниковый диод, в котором используется туннельный механизм переноса носителей заряда через р-га-переход и в характеристике которого имеется область отрицательного дифференциального сопротивления. Туннельные диоды отличаются очень малым удельным сопротивлением р - и и-областей ( содержание примесей до 1021 см-3) и весьма малой толщиной р-ге-перехода. Примесные атомы образуют примесные зоны, причем примесная зона донорных атомов перекрывается с дном зоны проводимости в полупроводнике / г-типа, а примесная зона акцепторных атомов - с потолком валентной зоны в полупроводнике р-типа. [38]
 |
Конструкции туннельных диодов. [39] |
Туннельным называется полупроводниковый диод, в котором используется туннельный механизм переноса носителей заряда через р - n - переход и в характеристике которого имеется область отрицательного дифференциального сопротивления. [40]
Рассмотрим теперь экспериментальные результаты, полу ченные при измерениях характеристик переноса носителей заряда в органических полупроводниках. Первые и к настоящему времени наиболее полные характеристики получены при изучении монокристаллов антрацена. [41]
Для объяснения механизма полупроводимости органических соединений вначале, считалось, что перенос носителей заряда от одной молекулы к другой ограничивает явление проводимости. Были рассмотрены различные модели прыжковой проводимости [ 51, с. [42]
Расчет удельных параметров распределенной модели, значения которых определяются одномерными процессами переноса носителей заряда в глубь диффузионной структуры. Эти параметры вычисляются из совместного решения одномерной системы уравнений непрерывности, переноса тока для носителей обоих знаков и уравнения Пуассона. Исходной информацией для расчетов на первом этапе являются параметры диффузионного профиля и электрофизические характеристики материала. [43]
Во многих гетеропереходах одновременно реализуются два ( или даже несколько) механизма переноса носителей заряда: туннелирование с последующей рекомбинацией ( было рассмотрено ранее) и термическая активация, приводящая к повышению энергии носителей до уровня, при котором прозрачность барьера повышается или становится возможным их прямой переход на рекомбинационные центры в области границы раздела. Таким образом, по мере понижения температуры наклон кривой lg / ( F) сначала изменяется обратно пропорционально температуре, как это происходит при термической активации, а затем перестает зависеть от Т, что свидетельствует о протекании туннельного тока. В обоих случаях основная доля носителей рекомбинирует на границе раздела. С помощью такой комбинированной модели были объяснены [ Lindquist, Bube, 1972 ] особенности протекания тока при прямом напряжении смещения в солнечных элементах с гетеропереходом CuxS-CdS на основе монокристаллического сульфида кадмия. При отсутствии напряжения смещения ширина обедненного слоя в этой структуре, сосредоточенного в основном в p - CdTe, составляет 0 19 мкм. [44]
 |
Входная ( а и выходные ( б статические характеристики однопереходного транзистора. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5