Перенос - носитель - заряд
Cтраница 4
При этом предполагалось, что эффективность эмиттера близка к единице и коэффициент переноса носителей заряда по базе тоже близок к единице в связи с малым временем дрейфа носителей в базе по сравнению со временем их жизни. [46]
 |
Энергетические диаграммы структуры металл - диэлектрик - металл ( МДМ с несимметричными контактами. [47] |
В тонких диэлектрических и полупроводниковых пленках протекают физические процессы, связанные с переносом носителей заряда. Процесс переноса ( иначе называемый механизмом токопро-хождения) оказывает существенное влияние на свойства пленочных элементов и может быть исследован с помощью вольт-амперной характеристики. Рассмотрим более подробно механизмы токопро-хождения, имеющие место в тонких диэлектрических и полупроводниковых пленках. [48]
Создание подобных методов моделирования трехмерных стационарных и двух - и трехмерных нестационарных процессов переноса носителей заряда в функционально-интегрированных приборах актуально и возможно с использованием быстродействующих ЭВМ с ОЗУ большой емкости. [49]
Теоретическое определение КПД солнечных элементов с гетеропереходом затруднено из-за недостатка информации о механизмах переноса носителей заряда. [51]
Скорость протекания процессов в транзисторах и диодах конечна и зависит как от скорости переноса носителей заряда, так и от наличия емкостей у р - - переходов. Через открывшийся эмиттерный переход в базу начнут поступать электроны. Сначала, пока электроны не достигли коллекторного перехода, ток базы равен току эмиттера. [52]
 |
Схематическое изображение МД П - транзистора с индуцированным каналом. [53] |
В настоящее время насчитывается значительное количество физических явлений и эффектов, связанных с переносом носителей заряда в пленочных структурах. Электрический ток в пленках может протекать за счет переноса различных носителей заряда: электронов, дырок, ионов. [54]
Таким образом, основные усилия по разработке ПАЭ направлены на возможность применения различных механизмов переноса носителей заряда в тонких поликри-v сталлических пленках. В зависимости от преобладания того или иного механизма в ПАЭ могут быть использованы токи за счет надбарьерной эмиссии, токи за счет туннельного прохождения электронов, токи, ограниченные пространственным зарядом, и другие эффекты. [55]
Это дает возможность определить область температур, в которой основную роль играет шоттковский механизм переноса носителей заряда. [56]
Туннельным называется полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором используется туннельный механизм переноса носителей заряда через электронно-дырочный переход, в характеристике которого имеется область отрицательного дифференциального сопротивления. [57]
Таким образом, основные усилия по разработке ПАЭ направлены на возможность применения различных механизмов переноса носителей заряда в тонких поликри-v сталлических пленках. В зависимости от преобладания того или иного механизма в ПАЭ могут быть использованы токи за счет надбарьерной эмиссии, токи за счет туннельного прохождения электронов, токи, ограниченные пространственным зарядом, и другие эффекты. [58]
В настоящее время еще нет однозначного ответа на вопрос о том, какой механизм обеспечивает перенос носителей заряда в полимерах. Основной вопрос касается природы проводящих состояний, т.е. того, обусловлена их электропроводность движением носителей в широких энергетических зонах, связанных с тг-электронными состояниями вдоль полимерной цепи, или же механизм переноса связан с дефектами или обусловлен внешними причинами. [59]
Страницы: 1 2 3 4 5