Переход - коллектор-баз - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если ты подберешь голодную собаку и сделаешь ее жизнь сытой, она никогда не укусит тебя. В этом принципиальная разница между собакой и человеком. (Марк Твен) Законы Мерфи (еще...)

Переход - коллектор-баз

Cтраница 1


Переход коллектор-база имеет низкую удельную емкость, но высокое пробивное напряжение.  [1]

2 Структура ( а и конструкция ( б маломощного биполярного транзистор а.| Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р - п. [2]

На переход коллектор-база напряжение i / Kg подается в обратном направлении. Оно обычно в несколько раз больше напряжения между эмиттером и базой.  [3]

4 Схемное обозначение фототранзистора.| Схема замещения составного фототранзистора.| Простейшие фотодатчики.| Схема замещения фототранзистора. [4]

В фототранзисторе переход коллектор-база представляет собой фотодиод. На рис. 10.9 показано схемное обозначение фототранзистора, а на рис. 10.10 - его схема замещения.  [5]

6 Емкости транзистора и паразитные емкости монтажа в схеме с общей. [6]

Такое увеличение емкости перехода коллектор-база называется эффектом Миллера. Он связан с тем, что напряжение на конденсаторе С3 в ( 1 А) раз превышает входное.  [7]

Определить максимальное напряжение на переходе коллектор-база, при котором база остается активной.  [8]

Концентрация примесей в коллекторе вблизи перехода коллектор-база значительно меньше, чем концентрация примесей в базе по другую сторону этого перехода. В зтом случае большая часть неосновных носителей при работе транзистора в режиме насыщения накапливается в области коллектора. Поэтому время выхода транзистора из режима насыщения в основном зависит от свойств его коллектора.  [9]

10 Типовая схема операционного усилителя. [10]

Здесь через гк обозначено сопротивление обратно-смещенного перехода коллектор-база соответствующего транзистора, а через гэ - сопротивление открытого перехода эмиттер-база.  [11]

12 Характеристики схемы с общей базой в функции. [12]

Шум генерируется в переходе эмиттер-база, и б переходе коллектор-база, а также внутри полупроводникового материала. Для низких частот, используемых в полупроводниковых усилителях, шумовая мощность на 1 гц полосы пропускания является приблизительно обратной функцией частоты. Остальные шумы, генерируемые в полупроводниковом усилителе, вызываются ложными напряжениями источника питания. Вследствие отсутствия нити накала в полупроводниковом триоде он не так подвержен помехам частоты питающей сети, как электронная лампа.  [13]

При этом исключается влияние паразитных параметров транзистора, прежде всего емкости перехода коллектор-база, на усилительные свойства всей схемы. Дополнительно в таких схемах исключается влияние изменения величины этой емкости на свойства схемы при различных амплитудах усиливаемого сигнала, что связано с полным исключением эффекта Миллера. Во-вторых, применяются специальные пассивные корректирующие схемы, включаемые в стандартные каскады усиления, выполненные по схеме с ОЭ.  [14]

15 Схема транзисторного блока строчной развертки. [15]



Страницы:      1    2    3    4