Переход - коллектор-баз
Cтраница 4
При включении стабилитрона в схему мостового выпрямителя обе полуволны ограничиваются по напряжению одинаково. Схема, приведенная справа, позволяет работать на больших мощностях. Диоды перехода коллектор-база транзисторов заменяют диоды D2 и D4 из схемы, представленной слева. [46]
Следует отметить еще одну особенность ключа, приведенного на рис. 11.7 а. При положительном напряжении на базе транзистора 72 база транзистора 71 через насыщенный транзистор 72 соединяется с общей шиной. В этом случае переход коллектор-база может быть открыт только при положительном напряжении на коллекторе и, следовательно, такой ключ является однополярным. [47]
 |
Цепная линия. [48] |
Известно, что биполярный переключатель состоит из двух ключей, каждый из которых может быть собран на полупроводниковых триодах. На рис. 6.9 дана упрощенная схема ключа. Управление ключом производится по переходам коллектор-база. [49]
 |
Передаточная характеристика ключа при /. RC - ( SL и S j - величины запаса помехоустойчивости для уровней LK Н соответственно.| Методы повышения запаса помехоустойчивости для уровня L. [50] |
Если необходимо повысить запас помехоустойчивости для уровня L, то следует увеличить величину UL, так как напряжение Ua ( Ue С / я) - UcEme практически нельзя уменьшать. Для осуществления этого в базовую цепь транзистора включают, как показано на рис. 8.3 а, один или несколько диодов. Резистор R2 служит для замыкания цепи обратного тока перехода коллектор-база, что обеспечивает более надежное запирание транзистора. [51]
При увеличении напряжения ( - t / K9) от нулевого значения ток коллектора сначала быстро увеличивается, а затем остается практически постоянным. & - / 6) и равны обратному току через переход коллектор-база. Этот ток при номинальном напряжении f / M, ном обозначается / кв и служит параметром транзистора. С помощью семейства коллекторных характеристик, точнее, участков характеристик, практически параллельных оси абсцисс, легко определить дифференциальный коэффициент передачи тока базы как отношение Р Д / к / А / б при UK3 const, который используется при расчете усилителей. [52]
Как известно, величина емкости перехода коллектор - база транзистора есть функция приложенного к нему напряжения, в связи с чем возникает возможность использования этого перехода в качестве варактора для умножения частоты. При наличии на входе транзистора высокочастотного сигнала усиленное напряжение оказывается приложенным к его коллекторному переходу и вызывает модуляцию емкости коллектор-база, что и приводит к параметрической генерации гармоник. Таким образом, транзистор одновременно используется как усилитель мощности и как варакторный умножитель частоты на переходе коллектор-база. [53]
При этом висячий коллектор в работе не участвует, а промежуток база - эмиттер работает, как диод. При обрыве резистора R19 прекращается подача на базу положительного смещения, ее потенциал становится равным нулю. В результате транзистор запирается, потенциал его эмиттера также становится равным нулю, а потенциал коллектора - равным напряжению источника питания 160 В, что обычно приводит к пробою перехода коллектор-база, и транзистор выходит из строя. Обрыв резистора R20 приводит к увеличению напряжения на базе и эмиттере и уменьшению напряжения на коллекторе. При обрыве цепи эмиттера возрастают потенциалы коллектора и базы. Может оказаться также неисправным сам транзистор. При пробое перехода коллектор - база потенциалы коллектора, базы и эмиттера оказываются одинаковыми. При пробое перехода база-эмиттер ток коллектора становится равным нулю и потенциал коллектора резко возрастает в то время, как потенциалы эмиттера и базы оказываются равными. [54]
 |
Схема сдвоенного компаратора К521СА1 ( а и его применение в двухуровневом сравнивающем устройстве ( б. [55] |
В компараторах могут быть использованы как типовые ОУ, так и ОУ специальной разработки. Последние имеют по сравнению с первыми ряд особенностей в схемном построении. Для повышения быстродействия в специализированных ОУ-компараторах приняты меры по предотвращению глубокого насыщения транзисторов, ускоренному их выходу из состояния насыщения. Обычно реализация этих мер достигается за счет шунтирования переходов коллектор-база обратносмещенными ( при отсутствии насыщения) диодами Шотки. Эти диоды имеют напряжение открывания ( порядка 0 3 В) существенно меньшее, чем напряжение открывания ( порядка 0 7 В) в типовом кремниевом транзисторе. В результате этого базоколлекторный переход транзистора оказывается практически закрытым даже при относительно больших сигнальных напряжениях. [56]
Страницы: 1 2 3 4