Переход - коллектор-баз
Cтраница 3
 |
Схемы последовательного баланса. [31] |
Применение последовательного соединения транзисторов в первую очередь позволяет значительно снизить проводимость внутренней обратной связи ( Л12, у12) между входом и выходом схемы, что особенно существенно в области повышенных частот, когда начинает сказываться влияние емкости перехода коллектор-база. [32]
Теперь о том, чем они отличаются друг от друга. В биполярном я - / - и-транзис-торе переход коллектор-база смещен в обратном направлении и обычно ток через него не течет. Подача на переход база-эмиттер напряжения около 0 6 В преодолевает потенциальный барьер диода, приводя к поступлению электронов в область базы, где они испытывают сильное притяжение со стороны коллектора. Хотя при этом через базу будет протекать некоторый ток, большинство такого рода неосновных носителей захватывается коллектором. Результатом является коллекторный ток, управляемый ( меньшим по величине) током базы. [33]
Схема соединений изображена на рис. 12.9. Это ток через переход коллектор-база при заданном обратном напряжении и разомкнутом выводе эмиттера. [34]
Повышение быстродействия здесь получено снижением степени насыщения транзисторов за счет применения диодов Шотки, шунтирующих переход коллектор-база насыщенного транзистора. Диоды Шотки имеют существенно меньшее пороговое напряжение открывания, чем переход коллектор-база, поэтому во время действия входного импульса диоды Шотки открываются раньше, чем переход коллектор-база, таким образом предотвращается накопление избыточных зарядов в базовой области транзисторов. Накопления заряда в самих диодах Шотки не происходит, так как протекающий в них ток вызван переносом основных носителей. [35]
Вторая группа отказов связана с накоплением на поверхности полупроводника двуокиси кремния, а в объеме, близком к поверхности, зарядов, изменяющих состояние р-п переходов, и появление поверхностных каналов. В результате этого происходит увеличение токов утечки, отсутствие насыщения вольт-амперной характеристики перехода коллектор-база, омическое шунтирование эмиттера с коллектором, снижение обратного пробивного напряжения на коллекторе, уменьшение коэффициента усиления по току, омическое шунтирование эмиттера с базой, увеличение шумов. [36]
 |
Распределение примесей в р-п - р структуре, полученной методом двусторонней диффузии. [37] |
В этом случае исходная пластина становится впоследствии телом коллектора транзистора. Через одну из поверхностей пластины проводится вначале диффузия примеси с целью создания базовой области и перехода коллектор-база. Затем через эту же поверхность в пластину проводится диффузия примеси другого типа таким образом, что ее концентрация на поверхности значительно превышает поверхностную концентрацию примеси, введенной во время первой диффузии. [38]
Энергетическая схема транзистора в отсутствии внешнего напряжения изображена на рис. 9.20 а. При работе транзистора на ( р-п) - переход эмиттер-база подается небольшое постоянное напряжение в прямом направлении, а на переход коллектор-база - постоянное напряжение в обратном направлении. [39]
 |
Транзисторный источник тока. [40] |
Когда ток начинает падать, каково соотношение напряжений на коллекторе и на базе. Вы должны были наблюдать насыщение транзистора: когда напряжение коллектор-эмиттер меньше напряжения база-эмиттер, схема перестает быть источником тока, так как переход коллектор-база становится прямо смещенным и его импеданс уменьшается. [41]
Повышение быстродействия здесь получено снижением степени насыщения транзисторов за счет применения диодов Шотки, шунтирующих переход коллектор-база насыщенного транзистора. Диоды Шотки имеют существенно меньшее пороговое напряжение открывания, чем переход коллектор-база, поэтому во время действия входного импульса диоды Шотки открываются раньше, чем переход коллектор-база, таким образом предотвращается накопление избыточных зарядов в базовой области транзисторов. Накопления заряда в самих диодах Шотки не происходит, так как протекающий в них ток вызван переносом основных носителей. [42]
При наличии скрытого слоя в коллекторе образуется электрическое поле, направленное от подложки в сторону коллектора. В режиме насыщения это поле тормозит движение дырок, инжектированных из базы в коллектор, и накопление их происходит в относительно высокоомной части, прилегающей к переходу коллектор-база. [43]
При моделировании этих схем на ЭВМ могут быть использованы эквивалентные схемы многоэмиттерного транзистора, каждый из которых представляется совокупностью стольких транзисторных структур ( рис. 2.40), сколько эмиттеров в многоэмиттерном транзисторе. На рис. 2.41, а приведена топология четырехэмиттерного транзистора, а на рис. 2.41 6-его эквивалентная схема, где источник тока 1д и емкость Сд моделируют часть перехода коллектор-база в пассивной зоне базы. [44]
Более практично не допускать насыщения транзистора, поД - держивая UK. Пока переход коллектор-база находится под обратным напряжением, заперт и диод ДШ ( диод Шоттки), который в этом случае не влияет на работу ключа. [45]
Страницы: 1 2 3 4