Переход - коллектор-баз
Cтраница 2
Транзистор выходного каскада строчной развертки проводит ток в обратном направлении ( обратный ток перехода коллектор-база у транзисторов), поэтому его переход коллектор - база может использоваться как демпфирующий диод. В тех случаях, когда требования к линейности развертки по горизонтали высокие, в выходном каскаде используется специальный демпфирующий диод. [16]
 |
Структура транзистора изготовления коллектора И диода, с переходом Шоттки шунтирующего переход коллектор. [17] |
В биполярном транзисторе типа п-р - п с переходом Шоттки, включенным параллельно переходу коллектор-база, металлический электрод контакта металл-полупроводник n - типа подсоединяют к металлическому контакту базы, а полупроводник n - типа является коллекторной областью транзистора. [18]
На рис. 13.13, б показано поперечное сечение конденсатора, образованного одновременно с переходом коллектор-база транзистора. Для этой структуры является проблемой изоляция конденсатора от других элементов, расположенных на той же подложке и имеющих переходы. В табл. 13.2 приведены значения удельной емкости и пробивного напряжения для трех переходов типовой транзисторной структуры. [19]
Особенность транзисторов интегральных микросхем состоит & том, что концентрация примесей в коллекторе вблизи перехода коллектор-база значительно меньше, чем концентрация примесей в базе по другую сторону этого перехода. Такое распределение примесей затрудняет изготовление транзисторов с высоким коэффициентом инжекции коллекторного перехода и большим инверсным коэффициентом передачи тока. Кроме того, относительно-низкий инверсный коэффициент инжекции приводит к тому, что-большая часть избыточного заряда неосновных носителей в режиме насыщения накапливается в области коллектора. Поэтому время выхода транзистора из режима насыщения-в основном зависит от свойств его коллектора. [20]
Повышение быстродействия здесь получено снижением степени насыщения транзисторов за счет применения диодов Шотки, шунтирующих переход коллектор-база насыщенного транзистора. Диоды Шотки имеют существенно меньшее пороговое напряжение открывания, чем переход коллектор-база, поэтому во время действия входного импульса диоды Шотки открываются раньше, чем переход коллектор-база, таким образом предотвращается накопление избыточных зарядов в базовой области транзисторов. Накопления заряда в самих диодах Шотки не происходит, так как протекающий в них ток вызван переносом основных носителей. [21]
При включении телевизора этот конденсатор заряжается от источника напряжением 120 В через цепь R13, VD4, переход коллектор-база VT2, источник напряжением 12 В до напряжения около 80 В и находящийся в этим состоянии во время работы телевизора. При выключении телевизора напряжение с конденсатора С9 ( отрицательный потенциал) через часть резистора R13 и резистор R29 подается на модулятор, закрывая кинескоп на несколько десятков секунд. [22]
Типичный эмиттерный переход в интегральном устройстве обладает емкостью порядка Ю5пф / см., в то время как переход коллектор-база HMeef емкость примерно на порядок меньше. Конденсатор, сделанный из эмиттерного перехода, будет иметь пробивное напряжение, равное приблизительно 6 в, что ограничивает его применимость. [23]
Структура интегральных транзисторов, в которых использован контакт с переходом Шоттки в качестве коллектора и диода, шунтирующего переход коллектор-база, показана на рис. 13.10. Биполярный транзистор с коллекторным контактом с переходом Шоттки отличается от транзисторов типа р-п - р и п-р - п тем, что при переходе к режиму насыщения в нем отсутствует инжекция неосновных носителей заряда из коллектора в базу, а также нет накопления заряда в области коллектора. [24]
К Л / Э и определяется экстракцией избыточных дырок из базы в коллектор ускоряющим полем контактной разности потенциалов перехода коллектор-база. [25]
 |
Простая схема раскачки оконечного усилителя, использованная в интегральном усилителе TDA 2002 ( SGS. [26] |
Другой способ подавления генерации состоит во включении в базовые цепи предоконечных транзисторов последовательных резисторов и конденсаторов, параллельных переходам коллектор-база. Выберем, как показано на рис. 15.17, R -, R8 100 Ом. Падение напряжения на этих резисторах составляет 0 2 В. [27]
В ток / б входит в качестве слагаемого ток через емкость коллектор-база, величина которой зависит от напряжения на переходе коллектор-база. [28]
Если ток лучей равен нулю, то от источника напряжением 120 В протекает ток через резисторы R14, R13, VD4 и смещенный в прямом направлении переход коллектор-база VT2, находящийся в режиме насыщения. Напряжение на эмиттере этого транзистора составляет 11 В. При увеличении тока лучей он начинает протекать через резисторы R24, R13 наряду с током базы транзистора VT2, который при этом уменьшается. [29]
Транзисторы включаются в схему таким образом, чтобы к переходу эмиттер - база внешнее напряжение было приложено в прямом направлении, а к / ( - - переходу коллектор-база - в обратном направлении. [30]
Страницы: 1 2 3 4