Переход - эмиттер-баз
Cтраница 1
Переход эмиттер-база заперт с помощью источника смещения в цепи базы. [1]
Переходы эмиттер-база, коллектор-база и контакты металл - полупроводник образуются затем методом электрохимического осаждения соответствующего металла на полупроводник в лунки полупроводниковой пластинки, а исходная полупроводниковая пластинка образует базовую область. [2]
Переход эмиттер-база заперт с помощью источника смещения в цепи базы. [3]
 |
Схема для измерения пробойного напряжения эмиттер-база VEBQ.| Схема для измерения максимального напряжения коллектор-эмиттер.| Семейство выходных характеристик при высоких напряжениях. [4] |
К переходу эмиттер-база подсоединяют источник тока, протекающего в обратном направлении. Напряжение UEBO измеряется с помощью вольтметра. [5]
На переходе эмиттер-база происходит детектирование переменной составляющей тока базы. При этом увеличивается постоянная составляющая коллекторного тока. Длительность переходного процесса при возникновении и срыве генерации не превышает 3 - 4 периодов несущей частоты генератора ( несколько кгц), и поэтому можно считать, что коллекторный ток изменяется практически мгновенно. При срыве и возникновении генерации значения частоты отличаются незначительно. [6]
Вследствие нелинейности сопротивления перехода эмиттер-база зависимость тока в нагрузке in от управляющего напряжения еу имеет нелинейный характер. [7]
 |
Характеристики схемы с общей базой в функции. [8] |
Шум генерируется в переходе эмиттер-база, и б переходе коллектор-база, а также внутри полупроводникового материала. Для низких частот, используемых в полупроводниковых усилителях, шумовая мощность на 1 гц полосы пропускания является приблизительно обратной функцией частоты. Остальные шумы, генерируемые в полупроводниковом усилителе, вызываются ложными напряжениями источника питания. Вследствие отсутствия нити накала в полупроводниковом триоде он не так подвержен помехам частоты питающей сети, как электронная лампа. [9]
 |
Схема измерения напряжения переворота фазы базового тока. [10] |
Следует добавить, что иногда для защиты перехода эмиттер-база от перегрузок при измер-ении используется схема диодной защиты. Не допускается применение двух параллельных цепочек, рассчитанных на напряжение обеих полярностей. Методы измерения обратных токов переходов не требуют специальных разъяснений. [11]
При пороговом напряжении на конденсаторе С7 открывается р-п переход эмиттер-база 1 транзистора VT1 и конденсатор разряжается через него. Открытое состояние тринистора сохраняется за счет тока удержания до окончания рабочего полупериода. В следующий рабочий полупериод процесс повторяется. [12]
Транзисторный детектор можно рассматривать как диодный детектор, использующий переход эмиттер-база, непосредственно связанный с полупроводниковым усилителем. К сожалению, расчет детектора сложен и лучшие результаты получаются обычно при использовании отдельного диодного детектора, за которым следует соответственно рассчитанный транзисторный усилитель. [13]
При конструировании микросхемы стремятся применять диоды, эквивалентные переходам эмиттер-база или коллектор-база транзисторной структуры. В этом случае диоды изготовляют в едином технологическом цикле с остальными элементами. [14]
 |
Комплементарная схема Дарлингто. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5