Переход - эмиттер-баз
Cтраница 4
 |
Схемы усилительных каскадов на полупроводниковом триоде с подачей начального смешения. а-от источника тока. 6-от источника напряжения. [46] |
В усилительных каскадах с полупроводниковыми триодами нужное начальное смещение ( постоянное напряжение между эмиттером и базой) обычно получают от источника, питающего коллекторные цепи. Простейшее фиксированное ( неизменное) смещение осуществляется либо фиксированным током через переход эмиттер-база, либо фиксированным напряжением на этом переходе. [47]
Если на вход транзистора Тх подан сигнал низкого уровня, то он пропускает ток /, и выходные уровни меняются местами. Высокий уровень сигнала, подаваемого на вход Т1 ( должен быть больше падения напряжения перехода эмиттер-база открытого транзистора Т2, чтобы Тг не отпирался. Аналогично, низкий уровень сигнала на входе Т1 должен быть таким, чтобы Т2 был полностью заперт. [48]
В последнее время получили распространение логические схемы, подобные приведенной на фиг. Эта схема практически полезна при использовании транзисторных схем с заземленной базой и других транзисторов с низким пробивным напряжением перехода эмиттер-база. Кроме того, в этой схеме требуется небольшая мощность синхронизирующего импульса, и действие схемы вообще мало зависит от тока утечки диода и времени переключения. [49]
Теоретический частотный предел для спейсисторов составляет несколько гигогерц, однако реализовать его представляет большие технологические трудности. Так, например, с одной стороны, необходимо сделать прибор с большой площадью эмиттера, с другой стороны, емкость перехода эмиттер-база ограничивает частотный предел и с этой точки зрения площадь следует уменьшать. Для уменьшения емкости Ск необходимо уменьшать до предела площадь брусочка полупроводника, здесь также существуют технологические границы. [50]
До тех пор, пока идет заряд конденсатора, транзистор 77 открыт, резистор R8 служит его нагрузкой. Этот транзистор открывается - В цепи базы транзистора Т2 потечет ток: плюс на разъеме БУ / 15, провод 173 - 5, клемма 1Ш1173, провод 173 - 1, разъем Ш / 7, провод 173 - 2, резистор R5, переход эмиттер-база Т2, резисторы R7, R8, R9, минус панели реле времени. При открытом транзисторе Т2 по его коллекторной цепи потечет ток, который включает реле РпрВ, далее реле РпрВ ставится на самопитание через свои замыкающие контакты. [51]
В схеме ТТМ на рис. 4 а так же, как в ТТМ с ин - дуктивностью, нагрузочная прямая RI может пересекать характеристику тиристора на восходящей ветви. Для выключения тиристора служит конденсатор CV Принципиальным отличием этой схемы от рассмотренных является то, что транзисторный каскад не только формирует импульс ( благодаря1 прямой связи с тиристором через конденсатор С2), но и выключает тиристор благодаря обратной связи через конденсатор Сь В основе работы схемы лежит такое соотношение между постоянными C1RS и С2 ( 24 - б), при котором после включения тиристора напряжение Uc успевает изменить знак раньше, чем под действием напряжения U отпирается переход эмиттер-база триода и он переходит в насыщенный режим. [52]
Сплавно-диффузионный транзистор, или сплавной транзистор с последующей диффузией, также изготавливается методом диффузии и сплавления. Материал, используемый для сплавления, содержит примеси как р -, так и я-типа. Переход эмиттер-база создается обычным методом сплавления, а базовая область образуется в результате диффузии примеси из расплава внутрь кристалла. В этом заключается различие между диффузионно-сплавными и сплавно-диф-фузионными. В этом случае, так же как и в случае диффузионно-сплавных транзисторов, между базой и коллектором может находиться область с собственной проводимостью. [53]
При обрыве пожарного шлейфа блокировки открывается транзистор Т4, пробивается стабилитрон Д11, и через резистор R11 и стабилитрон Д11 начинает протекать ток, который открывает транзистор ТЗ. Таким образом, переход эмиттер-база ключевого транзистора Т10 оказывается зашунтированным малым сопротивлением перехода эмиттер - коллектор открытого транзистора ТЗ, в результате чего транзистор Т10 закрывается и прекращается генерация в преобразователе. Поскольку транзистор Т7 при питании от сети постоянно находится в открытом состоянии, транзистор Т13 будет закрыт, и световой сигнализатор ( индикатор пульта) не горит. Остальная часть схемы устройства при питании от сети в дежурном режиме н режиме Тревога работает аналогично указанному выше. В дежурном режиме контакты / - 2 реле Р1 замкнуты. [54]
Если к эмиттеру подвести плюс источника тока, а к коллектору ( через сопротивление нагрузки) - минус, то тока в цепи не будет, так как на пути находится запирающий слой. В этом случае транзистор называется закрытым. Если будет пропущен ток через переход эмиттер-база, то потечет ток базы. При этом электроны, проникнувшие в область базы из эмиттера, проскочат к переходу база-коллектор вследствие диффузии ( так как толщина слоя базы меньше, чем диффузионная длина пробега электронов), где под влиянием электрического поля они будут втянуты в коллектор. Этот ток образует ток коллектора. Транзистор в этом состоянии называется открытым. Причем небольшой ток базы вызывает значительный ток коллектора. Вследствие этого транзистор обладает усилительными свойствами. [55]
 |
Монтажная схема печатной платы блока цветности. [56] |
При приеме цветной программы и правильной коммутации сигналов этот триггер создает такой режим, когда на выводе 7 микросхемы D5 напряжение составляет 10 5 В. Оно через контакт 1 разъема Х2 ( AS6), замкнутые контакты 12, 13 выключателя цветности SI ( A1) и контакт 8 разъема XI ( AS6, см. рис. 6.2) поступает на выводы 7 микросхем D6, D7 блока цветности и открывает каналы. Кроме того, проходящий через переход эмиттер-база VT1 и через включенный диодом транзистор VT4 положительный кадровый импульс поступает через вывод 2D5, цепь R38, С42 и вывод 4 на базу транзистора VT6 триггера и также закрывает его. [57]
 |
Характеристики типичного плоскостного транзистора.| Схематическое изображение конструкции точечно-контактного тра н. [58] |
Постоянное отрицательное напряжение на коллекторе увеличивает потенциальный барьер перехода и уменьшает прямой ток до значения, меньшего, чем обратный ток / Обр - При подаче постоянного положительного напряжения на эмиттер между эмиттером и базой будет протекать ток. Носителями этого тока в основном являются дырки, двигающиеся от эмиттера к базе. Так как переход база-коллектор находится очень близко от перехода эмиттер-база, то дырки притягиваются к коллектору под влиянием градиента потенциала через коллекторный переход. Хотя механизм усиления тока еще недостаточно изучен, однако опыт показывает, что точечно-контактные транзисторы дают усиление тока большее, чем единица. [59]
При освещении области базы транзистора через окно в его корпусе образуются электронно-дырочные пары. При этом дырки втягиваются в коллектор электрическим полем обратного напряжения между базой и коллектором, а электроны остаются в базе, поскольку она не подключена и ее ток не может скомпенсировать их избыток. Избыточная концентрация электронов в базе увеличивает прямое напряжение перехода эмиттер-база, что увеличивает поступление в базу дырок из эмиттера, большинство которых достигает коллекторного перехода, и ток коллектора растет. Таким образом, появление избыточного заряда в базе вследствие ее освещения приводит к появлению значительного фототока в цепи коллектора. На базу фототранзистора подают внешнее напряжение, спрямляющее его вольт-амперные характеристики и частично компенсирующее зависимость режима от температуры. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5