Переход - эмиттер-баз
Cтраница 2
Для того чтобы транзистор Т2 быстрее закрывался, часто параллельно его переходу эмиттер-база включают сопротивление. [16]
Кроме того, следует отметить, что явление накопления дырок в переходе эмиттер-база дает эффективное выпрямление, во всяком случае, на частотах, значительно более высоких, чем / аь. [17]
Если частота отсечки транзистора невысока по сравнению с частотой сигнала, в переходе эмиттер-база будет сказываться накопление дырок и коэффициент детектирования будет незначительным. Если частота сигнала должна быть высокой, лучшие результаты достигаются применением отдельного диодного детектора. [18]
Дрейф может быть значительно снижен ( рис. 35), если последовательно подключить прямосмещенный переход эмиттер-база другого транзистора. [19]
В основном применяется схема включения транзистора с общим эмиттером, где ток управления проходит через переход эмиттер-база, а ток основной цепи - через переход эмиттер - коллектор. Для специальных транзисторных ключей применяется и инверсная схема включения, где меняются функциями эмиттер и коллектор транзистора. Это дает определенные преимущества при коммутации сигналов с малым уровнем напряжения. [20]
 |
ТТЛ элемент с повышенной помехоустойчивостью. а - схема. б - характеристика вход-выход.| Эпюры изменения напряжений при переключении ТТЛ элемента. [21] |
Как только транзистор Тв открывается, ток через транзистор Т2 резко возрастает ( резистор R3 шунтируется переходом эмиттер-база Ts, и отрицательная обратная связь резко уменьшается) до тока, ограничиваемого Ri. Как только транзистор Ть отпирается, выходное напряжение ( точка В) снижается до остаточного напряжения на открытом транзисторе. [22]
Метод тройной диффузии не позволяет получать транзисторы с высоким коэффициентом усиления, который зависит от эффективности инжекции перехода эмиттер-база. Тройная диффузия не дает возможности создавать большие градиенты концентрации примеси на этом переходе, так как в процессе изготовления транзистора необходимо выполнять условие NSa NS6 NSK Nn, где NS9, N 6, SK - поверхностные концентрации примеси при диффузии эмиттера, базы и коллектора; Na-концентрация примеси в подложке. [23]
 |
Статические характеристики транзистора. [24] |
Для определения тока базы в режиме насыщения необходимо рассмотреть цепь, содержащую источник напряжения Ег, сопротивление Rr и переход эмиттер-база. [25]
На рис. 1 представлены экспериментальные зависимости & вхБ ( Г) и R3s ( T) - интегральное сопротивление перехода эмиттер-база при обрыве в цепи коллектора для сплавного маломощного германиевого транзистора типа МП21, полученные при токах / EXil ма и 1ву2 - 0 5 ма. Наклон зависимости R & ( T) при таком изменении тока остается постоянным, а наклон зависимости RBxB ( Т) меняется не только с изменением тока, но и с изменением температуры. [26]
Шумы, возникающие в транзисторах, определяются в основном тепловым движением электронов в самом полупроводнике и флуктуацией потока электронов на границах переходов эмиттер-база и база-коллектор, которые приводят к флуктуациям ( колебаниям величины во времени) коллекторного тока; шум электронной лампы за счет дробового эффекта приводит к флуктуациям анодного тока. Характер этих шумов сходен с характером тепловых шумов, поэтому вводится понятие коэффициента шума, увеличивающего тепловые шумы за счет флуктуационных шумов усилителя. [27]
Так называемый фототранзистор представляет собой прибор, построенный на основе транзистора, коллектор и эмиттер которого подсоединяют к токовым выводам, а на переходе эмиттер-база, облучаемом светом, происходит фотоэлектрическое преобразование. Конструкция таких элементов аналогична конструкции обычных транзисторов. Характеристики фототранзисторов мало чем отличаются от характеристик обычных транзисторов. Вследствие того, что в фототранзисторах наблюдается усилительный эффект, чувствительность по току их примерно в 100 раз больше, чем у фотоэлементов фотоэлектронной эмиссии, и достигает 0 5 - 5 А / люм. В настоящее время они находят применение для переключающих фотореле. [28]
Значение S, большее, чем единица, возникает в результате изменения тока гк0 в цепи базы, что вызывает изменение постоянного напряжения на переходе эмиттер-база из-за наличия сопротивления R5 в цепи базы. [29]
Мощность синхронизирующих отпирающих импульсов и установленная мощность дополнительных транзисторов могут быть резко снижены, если последние использовать либо как элемент составного транзистора, либо подключить их параллельно переходу эмиттер-база основного транзистора. В последнем случае ( пунктир на рис. 47 0) переброс генератора происходит вследствие выхода в активную область открытого основного транзистора ( 2Т), что вызвано уменьшением его базового тока при открывании дополнительного транзистора ( 4Т), шунтирующего входную цепь основного транзистора. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5