Переход - эмиттер-баз
Cтраница 3
Это напряжение можно использовать непосредственно в ачестве напряжения смещения на базу первого транзистора; тогда напряжение на его эмиттере равняется 1 6 в ( 0 2 в падает на переходе эмиттер-база), на коллекторе - 5 в ( базовое напряжение выходного каскада); следовательно, для первого транзистора UK3 3 4 в, что вполне допустимо. [31]
 |
Эквивалентная Н. И в режиме.| Эквивалентная схема в режиме.| Эквивалентная схема ь режиме Ш.| Эквивалентная схема в режиме / К. [32] |
Анализ режимов / - V сведен в табл. 9.1. Для каждого режима составлена эквивалентная схема ( рис. 9.5 - 9.9), причем для упрощения пренебрегаем падением напряжения на переходе эмиттер-база, а в режиме насыщения и на переходе эмиттер - коллектор транзисторов. [33]
В исходном состоянии транзисторы ТЗ и Т1 открыты по цеш 1: ППБ - резистор R1 - переход эмиттер-база транзистора Т1 ( сме щение за счет резистора R3) - переход эмиттер-база транзистор; ТЗ - резистор R5 - ПМБ. [34]
 |
Схема генераторной установки с регулятором напряжения. [35] |
Для перехода транзистора из закрытого в открытое состояние в цепи эмиттер-база должен появиться ток, протекающий в транзисторе типа PNP от эмиттера к базе, а типа NPN - от базы к эмиттеру. Если переход эмиттер-база смещен в обратном направлении, то транзистор закрыт. [36]
На рис. 4.35, в изображена зависимость тока в нагрузке от напряжения управления иу. Вследствие нелинейности сопротивления перехода эмиттер-база зависимость тока в нагрузке гн от управляющего напряжения у имеет нелинейный характер. В транзисторе р-п - р увеличение коллекторного тока происходит при увеличении отрицательного потенциала базы транзистора относительно эмиттера. [37]
Приведенные формулы являются приближенными и могут давать ошибку порядка десятка процентов и более, а при повышенных температурах они вообще не пригодны. С повышением температуры уменьшается сопротивление перехода эмиттер-база закрытого транзистора, так как через него увеличивается ток неосновных носителей. Это сопротивление шунтирует сопротивление резистора RQ, изменяет постоянную времени перезаряда конденсатора и сокращает длительность импульса, изменяя тем самым частоту колебаний мультивибратора. Для уменьшения шунтирующего воздействия в схему мультивибратора вводят термокомпенсирующие цепи. Самым простым способом термостабилизации является уменьшение сопротивления резистора R &. Чем меньше сопротивление Rs по сравнению с обратным сопротивлением эмиттерного перехода, тем меньше изменение последнего сказывается на частоте колебаний. Однако уменьшение сопротивления Re требует для получения импульса заданной длительности такого же увеличения емкости конденсатора С, что приводит к увеличению постоянной времени заряда конденсатора и, следовательно, к затягиванию фронта отрицательного импульса. Для уменьшения фронта импульса следует уменьшить сопротивление резистора RK, что связано с увеличением тока насыщения / к. Величину R K выбирают таким образом, чтобы выполнялось условие / к. Так как перезаряд конденсаторов происходит через малые сопротивления резисторов R K, форма генерируемых импульсов значительно улучшается. Однако, следует учитывать, что значительное уменьшение сопротивлений R K затрудняет самовозбуждение схемы. [38]
Особенностью построения схемы электронного стабилизатора - 15 В является то, что регулирующий транзистор Т1 включен в положительную цепь. Стабилитрон ДЗ включен встречно с переходом эмиттер-база усилителя, собранного на транзисторе ТЗ. [39]
Энергетическая схема транзистора в отсутствии внешнего напряжения изображена на рис. 9.20 а. При работе транзистора на ( р-п) - переход эмиттер-база подается небольшое постоянное напряжение в прямом направлении, а на переход коллектор-база - постоянное напряжение в обратном направлении. [40]
Транзисторные преобразователи частоты ( смесители) эквивалентны диодным преобразователям, включаемым после транзисторных усилителей. Преобразование частоты осуществимо на любой частоте, для которой переход эмиттер-база сохраняет диодную характеристику. Преобразование частоты не связано с усилением сигнала. Поэтому транзисторы часто применяются в качестве преобразователей на частотах, более высоких, чем fT - Однако разностная частота ( промежуточная частота) должна соответствовать диапазону рабочих частот транзистора. [41]
 |
Форма сигнала для схемы 29 - 35. ( Заметно искажение формы сигнала на выходе.| Эквивалентная схема для анализа переходных процессов. [42] |
Когда сигнал на входе становится положительным, эмиттер транзистора Т будет иметь отрицательный потенциал относительно базы. При этом транзистор Г2 проводит, и конденсатор С разряжается через переход эмиттер-база Т2, что уменьшает время спада выходного сигнала и позволяет получить симметричную форму сигнала. [43]
 |
Транзисторы с чередованием двух типов проводимостей. а - р-п - р, б - п-р - п. [44] |
Потенциальная диаграмма равновесного состояния р-л-перехода транзистора, при котором на его электроды не подано напряжение от внешних источников питания, приведена на рис. 20, а. Как и в случае одиночного р - n - перехода, переходы эмиттер-база и база-коллектор имеют потенциальный барьер, препятствующий протеканию основных носителей в соседнюю область. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5