Эмиттерный переход - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Восемьдесят процентов водителей оценивают свое водительское мастерство выше среднего. Законы Мерфи (еще...)

Эмиттерный переход

Cтраница 2


Прямо смещенный эмиттерный переход инжектирует носители заряда ( дырки) из эмиттера в базу. Одновременно происходит встречная инжекция электронов из базы в эмиттер.  [16]

Эмиттерный переход биполярного фототранзистора включен в прямом направлении.  [17]

18 Устройство высокочастотного сплавного диффузионного транзистора. [18]

Поскольку эмиттерный переход достаточно узкий, допустимые обратные напряжения на нем невелики: 1 - 2 В. Коллекторный переход весьма широкий и обладает сранительно большим дифференциальным сопротивлением.  [19]

20 Распределение концентрации электронов в транзисторе в активном режиме работы Vbe0, Vbc0. Для наглядности в базовой области распределение концентрации представлено в линейном масштабе, а в. других областях - в логарифмическом. [20]

Поскольку эмиттерный переход смещен в прямом направлении, то концентрация электронов со стороны этого перехода в exp ( qVBElkT) раз больше концентрации в состоянии теплового равновесия.  [21]

Через эмиттерный переход протекает ток при напряжении на эмиттере, равном нулю, если UK / 0, так как в области базы существует градиент концентрации неосновных носителей.  [22]

Если эмиттерный переход закорочен с базой, а базовый контакт омический, то при любом распределении примесей в базе ток эмиттера будет по абсолютной величине один и тот же при симметричном отклонении от равновесной концентрации дырок на коллекторном переходе.  [23]

Если эмиттерный переход смещен в прямом направлении и через него течет ток / б, то происходит увеличение концентрации неосновных носителей заряда в области базы.  [24]

Через эмиттерный переход течет прямой ток, известен и его обратный ток.  [25]

Когда эмиттерный переход закрыт ( С / бэ0), остаточные токи транзистора почти перестают зависеть от базового напряжения.  [26]

27 Транзистор. а - типа р-ге - р. б - типа га-р-ге. в - выполнение р-га-переходов. г - конструктивное оформление. д - схемное обозначение для типа р-п - р. е - то же, для типа п-р - п. [27]

На эмиттерный переход подается небольшое постоянное смещение ( 0 1 - 0 2 в) в прямом направлении от батареи Еа. На коллекторный переход подается большое запирающее напряжение ( 30 - 50 в) от батареи Ек. Таким образом, эмиттерный переход оказывается открытым, а коллекторный - закрытым.  [28]

29 Шумовые эквивалентные схемы транзисторов. а - формальная, б - физическая. [29]

Через эмиттерный переход идет ток; значит, там должны быть дробовые шумы.  [30]



Страницы:      1    2    3    4    5