Cтраница 2
Прямо смещенный эмиттерный переход инжектирует носители заряда ( дырки) из эмиттера в базу. Одновременно происходит встречная инжекция электронов из базы в эмиттер. [16]
Эмиттерный переход биполярного фототранзистора включен в прямом направлении. [17]
![]() |
Устройство высокочастотного сплавного диффузионного транзистора. [18] |
Поскольку эмиттерный переход достаточно узкий, допустимые обратные напряжения на нем невелики: 1 - 2 В. Коллекторный переход весьма широкий и обладает сранительно большим дифференциальным сопротивлением. [19]
Поскольку эмиттерный переход смещен в прямом направлении, то концентрация электронов со стороны этого перехода в exp ( qVBElkT) раз больше концентрации в состоянии теплового равновесия. [21]
Через эмиттерный переход протекает ток при напряжении на эмиттере, равном нулю, если UK / 0, так как в области базы существует градиент концентрации неосновных носителей. [22]
Если эмиттерный переход закорочен с базой, а базовый контакт омический, то при любом распределении примесей в базе ток эмиттера будет по абсолютной величине один и тот же при симметричном отклонении от равновесной концентрации дырок на коллекторном переходе. [23]
Если эмиттерный переход смещен в прямом направлении и через него течет ток / б, то происходит увеличение концентрации неосновных носителей заряда в области базы. [24]
Через эмиттерный переход течет прямой ток, известен и его обратный ток. [25]
Когда эмиттерный переход закрыт ( С / бэ0), остаточные токи транзистора почти перестают зависеть от базового напряжения. [26]
![]() |
Транзистор. а - типа р-ге - р. б - типа га-р-ге. в - выполнение р-га-переходов. г - конструктивное оформление. д - схемное обозначение для типа р-п - р. е - то же, для типа п-р - п. [27] |
На эмиттерный переход подается небольшое постоянное смещение ( 0 1 - 0 2 в) в прямом направлении от батареи Еа. На коллекторный переход подается большое запирающее напряжение ( 30 - 50 в) от батареи Ек. Таким образом, эмиттерный переход оказывается открытым, а коллекторный - закрытым. [28]
![]() |
Шумовые эквивалентные схемы транзисторов. а - формальная, б - физическая. [29] |
Через эмиттерный переход идет ток; значит, там должны быть дробовые шумы. [30]