Cтраница 3
Если эмиттерный переход напряжением I /, смещен в прямом направлении, а коллекторный переход напряжением 17Х - в обратном направлении ( см. рис. 3.13, а, в), то включение транзистора является нормальным. [31]
Через эмиттерный переход идет ток; значит, там должны быть дробовые шумы. [32]
Если эмиттерный переход смещен в обратном направлении, а коллекторный - в прямом, то такое включение биполярного транзистора называется инверсным или обратным. [33]
![]() |
Устройство высокочастотного сплавного диффузионного транзистора. [34] |
Поскольку эмиттерный переход достаточно узкий, допустимые обратные напряжения на нем невелики: 1 - 2 В. Коллекторный переход весьма широкий и обладает сранительно большим дифференциальным сопротивлением. [35]
На эмиттерный переход подано прямое напряжение, а на коллекторный - обратное. Этот режим является основным режимом работы транзистора. Вследствие того, что напряжение в цепи коллектора значительно превышает напряжение, подведенное к эмиттерному переходу, а токи в цепях эмиттера и коллектора практически равны, следует ожидать, что мощность полезного сигнала на выходе схемы ( в коллекторной цепи) может оказаться намного больше, чем во входной ( эмиттерной) цепи транзистора. Именно эта гипотеза может быть принята в качестве рабочей для последующего ( параграф 7.6) исследования усилительных свойств транзистора. [36]
Инжектированные через эмиттерный переход электроны проникают вглубь базы, для которой они являются неосновными носителями. В базе происходит частичная рекомбинация электронов с дырками. Однако если база тонкая, то преобладающая часть электронов достигает коллекторного перехода, не успев рекомби-нировать. При этом электроны попадают в ускоряющее поле коллекторного перехода. В результате экстрации электроны быстро втягиваются из базы в коллектор и участвуют в создании тока коллектора. [37]
Инжектированные через эмиттерный переход электроны диффундируют в глубь базы. Если бы ширина базового слоя была бы достаточно большой, то все инжектированные электроны успевали бы рекомбинировать с дырками, являющимися основными носителями зарядов в области базы. [38]
Если на эмиттерный переход подано прямое напряжение смещения, то из / 0-области эмиттера течет дырочный ток через базу с проводимостью - типа в р-область коллектора. В результате эта ( не подключенная непосредственно к электродам) р-область приобретает настолько большой положительный потенциал, что через кристалл начинает течь значительный электронный ток от коллекторного электрода к базовому. Этот электронный ток во много раз может превосходить ток эмиттера, поэтому коэффициент усиления по току также превосходит единицу. [39]
Если бы эмиттерный переход, к которому подключен отрицательный полюс источника энергии, не влиял на ток в приборе, то через коллекторный переход протекал бы ток / ф, равный сумме светового и темнового токов, так же, как в фотодиоде, работающем в режиме фотопреобразователя. Однако действие эмиттерного перехода, вводящего в базу ( р-слой) электроны, приводит к усилению коллекторного тока. Если световой поток направить в области, прилегающие к эмиттерному переходу ( рис. 11.15, б), то, как и в первом случае, через этот переход потечет световой ток из тг-слоя к р-слою. [40]
Инжектированные через эмиттерный переход электроны проникают вглубь базы, для которой они являются неосновными носителями. В базе происходит частичная рекомбинация электронов с дырками. Однако если база тонкая, то преобладающая часть электронов достигает коллекторного перехода, не успев рекомби-нировать. При этом электроны попадают в ускоряющее поле коллекторного перехода. В результате экстрации электроны быстро втягиваются из базы в коллектор и участвуют в создании тока коллектора. [41]
Так как эмиттерный переход Т по-прежнему имеет отрицательное смещение, транзистор Т2 оказывается в инверсном включении, при котором / э2 а / / к2 и ба тока отрицательны. Такой режим, возможный при достаточно большом входном сигнале, приводит к затруднениям в использовании триггера как формирователя и дискриминатора. Во избежание этих затруднений используют на входе схемы диодный ограничитель. [42]
Так как эмиттерный переход смещен в прямом направлении, то его толщина мала и изменение толщины при t / 3evar можно не учитывать. [43]
![]() |
К пояснению принци - [ IMAGE ] Энергетическая диа. [44] |
Инжектированные через эмиттерный переход дырки проникают вглубь базы. В зависимости от механизма прохождения носителей заряда в области базы отличают бездрейфовые и дрейфовые транзисторы. В бездрейфовых транзисторах перенос неосновных носите лей заряда через базовую область осуществляется в основном за счет диффузии. Такие транзисторы обычно получают описанным выше методом сплавления. В дрейфовых транзисторах в области базы путем соответствующего распределения примесей создается внутреннее электрическое поле и перенос неосновных носителей заряда через базу осуществляется в основном за счет дрейфа. Такие транзисторы, как уже отмечалось, обычно получают методом диффузии примесей. [45]